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• SGT-MOS與DMOS雪崩耐量對(duì)比

  屏蔽柵側(cè)壁氧化層厚度：0.7um屏蔽柵底部氧化層厚度：0.5um屏蔽柵隔離氧化層厚度：0.3um...

  1005次閱讀 · 0評(píng)論 MOS管雪崩二極管DMOS雪崩光電管
  

• dV/dt對(duì)MOSFET動(dòng)態(tài)性能的影響有哪些？

  ①靜態(tài)dV/dt：會(huì)引起MOSFET柵極電壓變化，導(dǎo)致錯(cuò)誤開(kāi)通。在柵源間并聯(lián)電阻，可防止誤開(kāi)通。...

  2438次閱讀 · 0評(píng)論 二極管MOSFET電感器CGD柵極電壓
  

• 如何去實(shí)現(xiàn)一種肖特基整流二極管的設(shè)計(jì)？

  肖特基整流二極管具有工作頻率高、工作電流大、正向壓降低、反向漏電小、可靠性高等特點(diǎn)，廣泛用于開(kāi)關(guān)電源及功率變換器中。...

  961次閱讀 · 0評(píng)論 開(kāi)關(guān)電源整流二極管變換器肖特基二極管VBR
  

• SCR放電管瞬態(tài)特性器件晶格溫度

  晶閘管（SCR）由于其深回滯輸出特性曲線，低導(dǎo)通電阻，高ESD泄流能力的特點(diǎn)，在ESD保護(hù)中得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。...

  732次閱讀 · 0評(píng)論 晶閘管ESD保護(hù)SCRNPN晶體管觸發(fā)器
  

• TVS二極管的PCB布局技巧

  今天是關(guān)于：TVS二極管的PCB布局技巧。...

  1166次閱讀 · 0評(píng)論 二極管ESDpcb保護(hù)電路TVSPCB布局
  

• IGBT模塊的常規(guī)檢查以及常見(jiàn)故障問(wèn)題維修方法

  IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)；當(dāng)前市場(chǎng)上銷(xiāo)售的多為此類(lèi)模塊化產(chǎn)品，一般所說(shuō)的IGBT也指IGBT模塊；...

  6090次閱讀 · 0評(píng)論 RCD吸收電路二極管MOSFET變頻器IGBT模塊

• 模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC1001CCJ特性概述

  模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC1001CCJ特性概述 ADC1001CCJ是一款12位精度、1MSPS速率的模數(shù)轉(zhuǎn)換器。ADC1001CCJ具有較高的抗干擾能力和穩(wěn)定性，能夠滿(mǎn)足各種復(fù)雜環(huán)境下的應(yīng)用需求。 其主要技術(shù)參數(shù)包括： 1. 分辨率：12位 2. 采樣速率：1MSPS 3. 工作電壓范圍：4.5V至5.5...

  974次閱讀 · 0評(píng)論 adc模數(shù)轉(zhuǎn)換器
  

• BLDC電機(jī)常用IGBT：適用各類(lèi)家電優(yōu)選IGBT單管

  BLDC電機(jī)不管在工業(yè)用還是家用領(lǐng)域的滲透率都在持續(xù)提升，除傳統(tǒng)的電動(dòng)工具、吸塵器、小家電外，還有汽車(chē)、電動(dòng)兩輪車(chē)、高速風(fēng)筒等都是不斷在提升的。...

  790次閱讀 · 0評(píng)論 電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT驅(qū)動(dòng)電路快恢復(fù)二極管BLDC電機(jī)
  

• 超結(jié)MOSFET開(kāi)關(guān)特性2-理想二極管模型

  寄生電容和開(kāi)關(guān)時(shí)間：功率MOS具有極快的開(kāi)關(guān)速度，器件導(dǎo)通或關(guān)斷前需要對(duì)寄生電容進(jìn)行充放電，而電容的充放電需要一定時(shí)間...

  1171次閱讀 · 0評(píng)論 MOS管電源電壓寄生電容VDS理想二極管
  

• IGBT雙脈沖仿真—片內(nèi)寄生電感的影響

  階段1(0—t1)：在此階段，柵極電流開(kāi)始對(duì)柵電容CGE充電，但是VGE<Vth，溝道未開(kāi)啟。...

  1114次閱讀 · 0評(píng)論 仿真器IGBT續(xù)流二極管寄生電感VDD
  

• SCR放電管瞬態(tài)特性

  晶閘管（SCR）由于其深回滯輸出特性曲線，低導(dǎo)通電阻，高ESD泄流能力的特點(diǎn)，在ESD保護(hù)中得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。...

  1952次閱讀 · 0評(píng)論 電阻器晶閘管SCRNPN晶體管ESD保護(hù)電路
  

• SCR低壓觸發(fā)放電管設(shè)計(jì)

  低壓觸發(fā)區(qū)峰值濃度位置對(duì)常溫IV特性的影響...

  525次閱讀 · 0評(píng)論 晶閘管SCRPNP晶體管觸發(fā)器ESD保護(hù)電路
  

• 超結(jié)MOSFET的開(kāi)關(guān)特性

  寄生電容和開(kāi)關(guān)時(shí)間：功率MOS具有極快的開(kāi)關(guān)速度，器件導(dǎo)通或關(guān)斷前需要對(duì)寄生電容進(jìn)行充放電，而電容的充放電需要一定時(shí)間，其開(kāi)關(guān)速度要受器件的寄生電容限制。...

  771次閱讀 · 0評(píng)論 MOS管電源電壓VDS電容充放電寄生電容器
  

• IGBT短路特性

  IGBT是雙極型三極管和MOS管結(jié)合在一起的產(chǎn)物，雙極型三極管具有低頻（10KHz以下）大電流能力，MOSFET具有高頻（100KHz以上）小電流特點(diǎn)。...

  739次閱讀 · 0評(píng)論 三極管MOSFETMOS管IGBT續(xù)流二極管
  

• IGBT穩(wěn)態(tài)輸出特性及其工作原理

  IGBT是雙極型三極管和MOS管結(jié)合在一起的產(chǎn)物，雙極型三極管具有低頻（10KHz以下）大電流能力，MOSFET具有高頻（100KHz以上）小電流特點(diǎn)。...

  2263次閱讀 · 0評(píng)論 三極管IC設(shè)計(jì)MOS管IGBT續(xù)流二極管
  

• IGBT開(kāi)通特性簡(jiǎn)析

  采用TCAD器件仿真和工藝仿真軟件對(duì)芯片進(jìn)行結(jié)構(gòu)仿真、特性仿真、電場(chǎng)分布仿真和工藝仿真。...

  1709次閱讀 · 0評(píng)論 振蕩器emiIGBT單晶硅電池TCAD
  

• 森國(guó)科推出最小封裝碳化硅二極管 具備高浪涌電流和雪崩能力

  TO-220-2L封裝散熱效果最佳，但是相對(duì)來(lái)說(shuō)占用空間； TO-252-2L封裝具備優(yōu)秀的散熱能力，體積上也有一定的優(yōu)勢(shì)，在應(yīng)用場(chǎng)景上的利用率較高。...

  769次閱讀 · 0評(píng)論 二極管pcb電解電容碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體
  

• 達(dá)林頓晶體管輸出特性仿真過(guò)程

  硅雙極型晶體管、晶閘管及其衍生器件具有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，可改善大電流情況下的飽和壓降，降低其通態(tài)損耗。...

  583次閱讀 · 0評(píng)論 晶閘管晶體管達(dá)林頓晶體管功率晶體管
  

• 達(dá)林頓晶體管仿真設(shè)計(jì)案例分享

  硅雙極型晶體管、晶閘管及其衍生器件具有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，可改善大電流情況下的飽和壓降，降低其通態(tài)損耗。...

  573次閱讀 · 0評(píng)論 晶閘管仿真器晶體管達(dá)林頓晶體管
  

• 功率二極管的正向?qū)ㄌ匦?/a>

  根據(jù)實(shí)際電參數(shù)指標(biāo)要求，在25℃室溫情況下，當(dāng)測(cè)試電流IR=5μA時(shí)，器件反向重復(fù)峰值電壓（VRRM）需高于1200V。...

  901次閱讀 · 0評(píng)論 串聯(lián)電阻功率二極管電阻器單晶硅片vrrm
  
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