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屏蔽柵側(cè)壁氧化層厚度:0.7um屏蔽柵底部氧化層厚度:0.5um屏蔽柵隔離氧化層厚度:0.3um...
①靜態(tài)dV/dt:會(huì)引起MOSFET柵極電壓變化,導(dǎo)致錯(cuò)誤開(kāi)通。在柵源間并聯(lián)電阻,可防止誤開(kāi)通。...
肖特基整流二極管具有工作頻率高、工作電流大、正向壓降低、反向漏電小、可靠性高等特點(diǎn),廣泛用于開(kāi)關(guān)電源及功率變換器中。...
晶閘管(SCR)由于其深回滯輸出特性曲線,低導(dǎo)通電阻,高ESD泄流能力的特點(diǎn),在ESD保護(hù)中得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。...
模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC1001CCJ特性概述 ADC1001CCJ是一款12位精度、1MSPS速率的模數(shù)轉(zhuǎn)換器。ADC1001CCJ具有較高的抗干擾能力和穩(wěn)定性,能夠滿(mǎn)足各種復(fù)雜環(huán)境下的應(yīng)用需求。 其主要技術(shù)參數(shù)包括: 1. 分辨率:12位 2. 采樣速率:1MSPS 3. 工作電壓范圍:4.5V至5.5...
BLDC電機(jī)不管在工業(yè)用還是家用領(lǐng)域的滲透率都在持續(xù)提升,除傳統(tǒng)的電動(dòng)工具、吸塵器、小家電外,還有汽車(chē)、電動(dòng)兩輪車(chē)、高速風(fēng)筒等都是不斷在提升的。...
寄生電容和開(kāi)關(guān)時(shí)間:功率MOS具有極快的開(kāi)關(guān)速度,器件導(dǎo)通或關(guān)斷前需要對(duì)寄生電容進(jìn)行充放電,而電容的充放電需要一定時(shí)間...
階段1(0—t1):在此階段,柵極電流開(kāi)始對(duì)柵電容CGE充電,但是VGE<Vth,溝道未開(kāi)啟。...
晶閘管(SCR)由于其深回滯輸出特性曲線,低導(dǎo)通電阻,高ESD泄流能力的特點(diǎn),在ESD保護(hù)中得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。...
低壓觸發(fā)區(qū)峰值濃度位置對(duì)常溫IV特性的影響...
寄生電容和開(kāi)關(guān)時(shí)間:功率MOS具有極快的開(kāi)關(guān)速度,器件導(dǎo)通或關(guān)斷前需要對(duì)寄生電容進(jìn)行充放電,而電容的充放電需要一定時(shí)間,其開(kāi)關(guān)速度要受器件的寄生電容限制。...
IGBT是雙極型三極管和MOS管結(jié)合在一起的產(chǎn)物,雙極型三極管具有低頻(10KHz以下)大電流能力,MOSFET具有高頻(100KHz以上)小電流特點(diǎn)。...
IGBT是雙極型三極管和MOS管結(jié)合在一起的產(chǎn)物,雙極型三極管具有低頻(10KHz以下)大電流能力,MOSFET具有高頻(100KHz以上)小電流特點(diǎn)。...
采用TCAD器件仿真和工藝仿真軟件對(duì)芯片進(jìn)行結(jié)構(gòu)仿真、特性仿真、電場(chǎng)分布仿真和工藝仿真。...
TO-220-2L封裝散熱效果最佳,但是相對(duì)來(lái)說(shuō)占用空間; TO-252-2L封裝具備優(yōu)秀的散熱能力,體積上也有一定的優(yōu)勢(shì),在應(yīng)用場(chǎng)景上的利用率較高。...
硅雙極型晶體管、晶閘管及其衍生器件具有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng),可改善大電流情況下的飽和壓降,降低其通態(tài)損耗。...
硅雙極型晶體管、晶閘管及其衍生器件具有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng),可改善大電流情況下的飽和壓降,降低其通態(tài)損耗。...
根據(jù)實(shí)際電參數(shù)指標(biāo)要求,在25℃室溫情況下,當(dāng)測(cè)試電流IR=5μA時(shí),器件反向重復(fù)峰值電壓(VRRM)需高于1200V。...