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• 不同類型的二極管介紹

  二極管是用作單向開關(guān)的兩端電子設(shè)備/組件，即它們只允許電流沿一個方向流動。這些二極管使用硅、鍺和砷化鎵等半導(dǎo)體材料制造。...

  4611次閱讀 · 0評論 二極管半導(dǎo)體逆變器小信號PN結(jié)
  

• 數(shù)字后端基本概念介紹—FinFET Grid

  今天要介紹的數(shù)字后端基本概念是FinFET Grid，它也是一種設(shè)計(jì)格點(diǎn)。介紹該格點(diǎn)前，我們首先來了解一下什么是FinFET技術(shù)。...

  1740次閱讀 · 0評論 CMOS技術(shù)場效晶體管FinFET技術(shù)
  

• 什么是FET？FinFET將半導(dǎo)體制程帶入新境界

  FET 的全名是“場效電晶體（Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）”，先從大家較耳熟能詳?shù)摹癕OS”來說明。...

  4344次閱讀 · 0評論 MOSFETMOS管FETFinFET技術(shù)
  

• 為快充而生的650V/4A & 650V/6A SiC二極管

  圳市森國科科技股份有限公司日前發(fā)布了第五代Thinned MPS SiC二極管KS04065（650V/4A）、KS06065（650V/6A）...

  1546次閱讀 · 0評論 二極管電解電容SiCPFC電路EMI干擾
  

• 科普一下先進(jìn)工藝22nm FDSOI和FinFET的基礎(chǔ)知識

  泄漏功率仍然是HKMG(High-K Metal Gate)一個主要問題。從下圖看出，在28nm的High-K Metal Gate Stack中，leakage power仍然在總功耗中占據(jù)主導(dǎo)地位。...

  9941次閱讀 · 0評論 晶體管NPN晶體管FinFETCMOS技術(shù)GND
  

• 功率二極管噪聲特性

  根據(jù)實(shí)際電參數(shù)指標(biāo)要求，在25℃室溫情況下，當(dāng)測試電流IR=5μA時，器件反向重復(fù)峰值電壓（VRRM）需高于1200V。...

  526次閱讀 · 0評論 功率二極管電阻器單晶硅電池擊穿電壓
  

• 聊聊IGBT功率模塊的結(jié)溫計(jì)算及其模型

  電機(jī)控制器的功率模塊，即IGBT器件和續(xù)流二極管，在開關(guān)和導(dǎo)通電流會產(chǎn)生損耗，損失的能量會轉(zhuǎn)化成熱能，表現(xiàn)為功率模塊發(fā)熱。...

  7460次閱讀 · 0評論 新能源汽車IGBT電機(jī)控制器續(xù)流二極管simulink仿真
  

• 65W副邊外驅(qū)MOS充電器芯片U2281介紹

  65W副邊外驅(qū)MOS充電器芯片U2281是一個高度集成的PWM控制集成電路的反轉(zhuǎn)換器，專門為需六級能效的開關(guān)電源而設(shè)計(jì)的。...

  730次閱讀 · 0評論 MOSFET開關(guān)電源MOS管充電器芯片VDD

• 功率二極管交流頻率響應(yīng)介紹

  根據(jù)實(shí)際電參數(shù)指標(biāo)要求，在25℃室溫情況下，當(dāng)測試電流IR=5μA時，器件反向重復(fù)峰值電壓（VRRM）需高于1200V。...

  685次閱讀 · 0評論 二極管功率二極管電阻器單晶硅電池vrrm
  

• 功率二極管碰撞電離區(qū)位置與漂移區(qū)電阻率的關(guān)系

  首先利用TCAD半導(dǎo)體器件仿真軟件建立高反壓整流二極管結(jié)構(gòu)，如圖1所示。...

  826次閱讀 · 0評論 整流二極管電阻器TCAD單晶硅片大功率二極管
  

• 功率二極管正、反向恢復(fù)過程功率損耗簡析

  導(dǎo)通角：導(dǎo)通角是指在一個周期內(nèi)，由電力電子器件控制其導(dǎo)通的角度。交流電一般為正弦波形，它的一個周期為360度，正半周占180度，負(fù)半周占180度。...

  2362次閱讀 · 0評論 功率二極管整流二極管電阻器脈沖電流變壓器
  

• 功率二極管的正向恢復(fù)特性和反向恢復(fù)特性

  首先利用TCAD半導(dǎo)體器件仿真軟件建立高反壓整流二極管結(jié)構(gòu)，如圖1所示。...

  2781次閱讀 · 0評論 二極管功率二極管整流二極管單晶硅TCAD
  

• 功率二極管仿真設(shè)計(jì)

  導(dǎo)通角：導(dǎo)通角是指在一個周期內(nèi)，由電力電子器件控制其導(dǎo)通的角度。交流電一般為正弦波形，它的一個周期為360度，正半周占180度，負(fù)半周占180度。...

  580次閱讀 · 0評論 功率二極管可控硅仿真器單晶硅電池變壓器
  

• 二極管結(jié)面積的影響

  階段6(t6—t7)：在t6時刻，VCE下降到使IGBT進(jìn)入飽和狀態(tài)，柵極反射極電壓增加以維持IL，當(dāng)VCE衰減穩(wěn)定后，穩(wěn)定值即為飽和導(dǎo)通壓降VCE(sat)，到此開通過程完全結(jié)束。...

  907次閱讀 · 0評論 二極管電感器IGBT續(xù)流二極管VDC
  

• 談?wù)劧O管與IGBT少子壽命的影響

  在IGBT開關(guān)過程中通常用開通延遲td(on)、關(guān)斷延遲td(off)、上升時間tr和下降時間tf來進(jìn)行描述。圖5是IGBT整個開關(guān)過程的波形。...

  952次閱讀 · 0評論 二極管電感器IGBT續(xù)流二極管
  

• 二極管開關(guān)速度對雙脈沖測試條件下IGBT開關(guān)特性的影響

  階段1(0—t1)：在此階段，柵極電流開始對柵電容CGE充電，但是VGE<Vth，溝道未開啟。...

  777次閱讀 · 0評論 電感器IGBT續(xù)流二極管VDC電容電壓
  

• IGBT雙脈沖測試仿真過程描述

  階段1(0—t1)：在此階段，柵極電流開始對柵電容CGE充電，但是VGE<Vth，溝道未開啟。...

  2619次閱讀 · 0評論 電感器IC設(shè)計(jì)IGBT續(xù)流二極管VCE
  

• 通用儀表放大器EVM原理圖解析

  EVM 提供以下功能： 通過絲印原理圖進(jìn)行直觀評估 通過表面貼裝測試點(diǎn)輕松訪問節(jié)點(diǎn) 兩個原型區(qū)域的高級評估 參考電壓源靈活性 方便的輸入輸出過濾。...

  985次閱讀 · 0評論 放大器運(yùn)算放大器儀表放大器SMA連接器
  

• FinFET到底是什么呢？

  提到FET，學(xué)電子的人都比較熟悉，F(xiàn)ET就是Field-Effect Transistor，場效應(yīng)管。...

  4171次閱讀 · 0評論 MOSFET場效應(yīng)管FETFinFET寄生電阻
  

• 為什么二極管在線測量時，反向有電壓？

  為什么二極管在線測量時，反向有電壓？...

  2869次閱讀 · 0評論 繼電器二極管線圈PN結(jié)反向電壓
  
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