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氧化鋁是一種化學(xué)化合物，由鋁和氧元素組成，化學(xué)式為Al2O3。它是一種非導(dǎo)電的陶瓷材料，具有高熔點(diǎn)、高硬度和優(yōu)異的耐腐蝕性。氧化鋁廣泛應(yīng)用于陶瓷制品、磨料、催化劑、絕緣材料等領(lǐng)域。在工業(yè)上，氧化鋁常用于制備金屬鋁的原料。...
該產(chǎn)品主要具有正向阻斷電壓高、高溫漏電流小、飽和壓降低、開通門限電壓高、陽(yáng)極脈沖峰值電流大、斷態(tài)陽(yáng)極電壓上升率（dv/dt）高、開通陽(yáng)極電流上升率（di/dt）高、抗輻射能力強(qiáng)等特點(diǎn)。...
8英寸SiC晶體生長(zhǎng)的難點(diǎn)在于：首先要研制出8英寸籽晶；其次要解決大尺寸帶來(lái)的溫場(chǎng)不均勻和氣相原料分布和輸運(yùn)效率問(wèn)題。...
功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管電參數(shù)指標(biāo)中規(guī)定的電參數(shù)一般分為三大類：直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)。...
產(chǎn)品發(fā)射區(qū)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)為梳狀結(jié)構(gòu)。晶體管版圖中發(fā)射區(qū)半寬度選擇為30μm。...
該產(chǎn)品主要具有正向阻斷電壓高、高溫漏電流小、飽和壓降低、開通門限電壓高、陽(yáng)極脈沖峰值電流大、斷態(tài)陽(yáng)極電壓上升率（dv/dt）高、開通陽(yáng)極電流上升率（di/dt）高、抗輻射能力強(qiáng)等特點(diǎn)。...
該產(chǎn)品主要具有正向阻斷電壓高、高溫漏電流小、飽和壓降低、開通門限電壓高、陽(yáng)極脈沖峰值電流大、斷態(tài)陽(yáng)極電壓上升率（dv/dt）高、開通陽(yáng)極電流上升率（di/dt）高、抗輻射能力強(qiáng)等特點(diǎn)。...
IGBT單胞結(jié)構(gòu)參數(shù)：溝道長(zhǎng)度4.3μm，溝道寬度2E4μm，多晶硅區(qū)半寬度13μm，窗口區(qū)半寬度12μm...
在學(xué)習(xí)運(yùn)放選型前，我們需要先來(lái)透測(cè)的學(xué)習(xí)運(yùn)放電路的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和原理，對(duì)于我們來(lái)說(shuō)是模擬電路中十分重要的元件，它能組成放大、加法、減法、轉(zhuǎn)換等各種電路，我們可以運(yùn)用運(yùn)放的"虛短"和"虛斷"來(lái)分析電路，然后應(yīng)用歐姆定律等電流電壓關(guān)系，即可得輸入輸出的放大關(guān)系等。...
同等電流情況下，一是可以選擇更低壓降的肖特基，可以保證VF稍微低0.2-0.3V，可以保證功耗情況下，比如選擇雷卯的SS34LVFA 壓降為0.3V。...
具體的鍺二極管參數(shù)可能會(huì)因不同的制造商和型號(hào)而有所差異。在選擇和使用鍺二極管時(shí)，建議參考具體型號(hào)的規(guī)格表，并根據(jù)應(yīng)用需求選擇合適的參數(shù)。...
切割出片數(shù)量方面，以2英寸、5mm的氮化鎵晶錠為例，在切割指定厚度為400微米的襯底時(shí)，KABRA工藝可切11片，相比之下出片數(shù)量增加了37.5%。...
IGBT的開關(guān)特性是通過(guò)對(duì)門極電容進(jìn)行充放電來(lái)控制的，實(shí)際應(yīng)用中經(jīng)常使用＋15V的正電壓對(duì)IGBT進(jìn)行開通，再由-5V…-8V…-15V的負(fù)電壓進(jìn)行關(guān)斷。...
車規(guī)級(jí)功率器件未來(lái)發(fā)展趨勢(shì) 材料方面: SiC和GaN是必然趨勢(shì)，GaAs在細(xì)分領(lǐng)域有可能 ●封裝方面:高功率密度、高可靠性和定制化 ●評(píng)測(cè)方面:多應(yīng)力綜合測(cè)試方法、新型結(jié)溫測(cè)試方法和技術(shù) ●進(jìn)展方面:國(guó)產(chǎn)在趕超進(jìn)口(參數(shù)和性能)，可靠性還需要時(shí)間沉淀...
商務(wù)部 海關(guān)總署公告2023年第23號(hào) 關(guān)于對(duì)鎵、鍺相關(guān)物項(xiàng)實(shí)施出口管制的公告...
前面章節(jié)，給大家介紹過(guò)運(yùn)放增益帶寬積GBW和-3dB帶寬的概念，可以用來(lái)初步換算運(yùn)放電路在某一增益下，所能達(dá)到的-3dB帶寬是多少。但在實(shí)際應(yīng)用中，為了保證所需帶寬內(nèi)增益盡可能平坦，我們不可能將-3dB帶寬設(shè)置為我們的截止頻率。...
今天我們來(lái)討論一個(gè)三極管放大電路的問(wèn)題，起因是在網(wǎng)上看到了一個(gè)“壓控電流源模型”比“流控電流源模型”更好的說(shuō)法...
砷化鎵芯片的制造工藝相對(duì)復(fù)雜，需要使用分子束外延（MBE）或金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）等專門的生長(zhǎng)技術(shù)。而硅芯片的制造工藝相對(duì)成熟和簡(jiǎn)單，可以使用大規(guī)模集成電路（VLSI）技術(shù)進(jìn)行批量制造。...
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