設(shè)計，才能既保證器件長期可靠運行，又充分挖掘器件的潛力。而對功率器件及整個系統(tǒng)的熱設(shè)計，都是以器件及系統(tǒng)的熱路模型為基礎(chǔ)來建模分析的，本文對IGBT模塊的等效熱路模型展開基礎(chǔ)介紹，...
2022-08-01 10:07:51
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IGBT 功率模塊工作過程中存在開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，這些損耗以熱的形式耗散，使得在 IGBT 功率模塊封裝結(jié)構(gòu)產(chǎn)生溫度梯度。并且結(jié)構(gòu)層不同材料的熱膨脹系數(shù)( Coefficient of Thermal Expansion，CTE) 相差較大
2022-09-07 10:06:184436 為獲得絕緣柵雙極型晶體管( IGBT)在工作過程中準確的功率損耗,基于數(shù)學模型及測試,建立了 一種準確計算功率逆變器損耗模型的方法。通過雙脈沖測試對影響 IGBT 開關(guān)損耗的參數(shù)( Eon
2023-03-06 15:02:511536 ）是影響鍵合點壽命的重要因子。傳統(tǒng)功率循環(huán)壽命試驗需采用大量的試驗樣本，文章采用單根鍵合引線作為試驗獨立樣本，極大程度地減少了試驗所需的樣本數(shù)，同時通過壓降參數(shù) VCE(sat)?的微小變化相對準確地獲取到 IGBT 模塊內(nèi)部鍵合線的脫落趨勢，結(jié)合壽命模型和威
2023-08-08 10:59:38772 
本文對IGBT模塊的等效熱路模型展開基礎(chǔ)介紹，所述方法及思路也可用于其他功率器件的熱設(shè)計。
2021-08-20 16:56:497224 
IGBT功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大，驅(qū)動功率小，控制電路簡單，開關(guān)損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大等優(yōu)點。
2020-03-24 09:01:13
，如圖6所示，優(yōu)化的組裝技術(shù)顯著改善了功率循環(huán)（PC）周期。這至少能確保在工作結(jié)溫增大的情況下，輸出電流增大，但功率器件壽命不變。 圖6：1200V標準模塊的功率循環(huán)（PC）可靠性圖和搭載IGBT
2018-12-07 10:23:42
簡單，通態(tài)壓降低，且具有較大的安全工作區(qū)和短路承受能力。 1 IGBT及其功率模塊 1.1 IGBT的結(jié)構(gòu) IGBT采用溝槽結(jié)構(gòu)，以減小通態(tài)壓降，改善其頻率特性，并采用NPT(Non Punch
2012-06-01 11:04:33
圖2 熱管散熱器基板溫升隨風速變化測試文章來源：中國電力電子網(wǎng)-IGBT論壇IGBT模塊散熱器 區(qū)熔單晶電力電子
2012-06-19 13:54:59
特性相匹配的過電壓、過電流、過熱等保護電路?！ ?.4散熱設(shè)計 取決于IGBT模塊所允許的最高結(jié)溫(Tj),在該溫度下，首先要計算出器件產(chǎn)生的損耗，該損耗使結(jié)溫升至允許值以下來選擇散熱片。在散熱
2012-06-19 11:17:58
模塊)的散熱方案 在電子元件的熱設(shè)計中，散熱方式的選擇，以及對其進行試驗、模擬、分析、優(yōu)化從而得到一個熱效率高、成本低廉的結(jié)構(gòu)，對保證功率器件運行時其內(nèi)部結(jié)溫始終保持在允許范圍之內(nèi)顯得尤為重要
2012-06-20 14:58:40
·PAV Tjm為器件的最大允許最高工資結(jié)溫，普通整流管為150℃，普通晶閘管為125℃，快速晶閘管為115℃ Rjc為器件的結(jié)殼熱阻。 PAV為器件的耗散功率。其計算公式為： PAV
2012-06-20 14:33:52
是IGBT模塊控制的平均電流與電源電壓的 乘積。由于IGBT模塊散熱器是大功率半導(dǎo)體器件，損耗功率使其發(fā)熱較多，加之IGBT模塊散熱器的結(jié)溫不能超過125℃，不宜長期工作在較高溫度下，因此要采取恰當
2012-06-19 11:26:00
在實際工作過程中通過測量模塊的殼溫及功率，得到實時工作過程中的結(jié)溫變化，并將鍵合引線的損傷作為總體損傷的一部分及時反饋到系統(tǒng)中，從而增加IGBT模塊的壽命預(yù)測精度。
2020-12-10 15:06:03
IGBT模塊進行高溫反偏試驗而進行設(shè)計,是IGBT出廠檢測的重要設(shè)備。該試驗系統(tǒng)可對相應(yīng)的IGBT器件進行適配器匹配。測試標準符合MIL-STD-750，IEC60747。本設(shè)備采用計算機自動控制系統(tǒng)
2018-08-29 21:20:11
實用性。全書共7章，分別介紹了電力電子器件的發(fā)展和研發(fā)動向、IGBT的結(jié)構(gòu)和工作特性、IGBT功率模塊、IGBT驅(qū)動電路設(shè)計、IGBT保護電路設(shè)計、IGBT應(yīng)用電路設(shè)計以及IGBT在現(xiàn)代電源領(lǐng)域
2011-11-25 15:46:48
子。另外，應(yīng)當盡可能減少驅(qū)動線或電纜與主功率回路平行，盡可能地遠離功率回路，降低互感，避免驅(qū)動回路被強磁場干擾。 圖15 適配板MA3005.2 散熱并聯(lián)IGBT之間的冷卻差異會引起工作結(jié)溫不同，進而
2018-12-03 13:50:08
IGBT作為電力電子領(lǐng)域的核心元件之一，其結(jié)溫Tj高低，不僅影響IGBT選型與設(shè)計，還會影響IGBT可靠性和壽命。因此，如何計算IGBT的結(jié)溫Tj，已成為大家普遍關(guān)注的焦點。由最基本的計算公式Tj=Ta+Rth(j-a)*Ploss可知，損耗Ploss和熱阻Rth(j-a)是Tj計算的關(guān)鍵。
2019-08-13 08:04:18
計算，直接得出結(jié)論如下： 10、二極管反向恢復(fù)損耗 11、實際模型計算 實際驗證FFR600R12ME4模塊損耗步驟如下： 11.1 參數(shù)獲取 12、IPOSIM驗證 英飛凌官方條件下，計算
2023-02-24 16:47:34
電流密度分別為前兩者的數(shù)十至數(shù)倍，這就決定了它的抗浪涌電流能力強，安全工作區(qū)寬，并聯(lián)連接容易。從現(xiàn)有商品化IGBT及其發(fā)展趨勢看，在高頻大功率開關(guān)電源、變頻調(diào)速、電機控制、通信電源、逆變電源、不間斷電源
2016-06-21 18:25:29
如果分流器用于測量發(fā)射極電流，將會失去隔離且IGBT柵極信號中存在干擾?！ τ诟咝阅芎痛?b class="flag-6" style="color: red">功率半導(dǎo)體模塊，一般使用電氣隔離的傳感器。無補償電流的純霍爾效應(yīng)傳感器在誤差和溫度穩(wěn)定性方面的性能較差。傳感器
2018-10-29 15:35:27
功率模塊回收★IGBT回收--------------------高價現(xiàn)金回收工廠歐派克、西門康、三菱、富士等各品牌拆機、原裝模塊。需要處理此類產(chǎn)品的朋友請聯(lián)系我，把庫存換成現(xiàn)金，為您資金立馬回籠
2010-11-26 15:41:42
【作者】：王丹;關(guān)艷霞;【來源】：《電子設(shè)計工程》2010年02期【摘要】：介紹功率器件的發(fā)展情況,隨后分析比較SJMOSFET與FS-IGBT兩種器件的工作原理及其性能特征,SJMOS-FET具有
2010-04-24 09:01:39
通常用熱阻的大小來描述。熱阻RT定義為每1W的集電極耗散功率使晶體管的結(jié)溫升高的度數(shù)，即 熱阻RT越小，散熱條件越好。功率管最大允許的管耗PCM與熱阻大小、工作環(huán)境溫度有關(guān)，即 式中，TjM表示PN結(jié)的最高允許結(jié)溫;Tα表示功率管的工作環(huán)境溫度。
2021-05-13 07:44:08
）可靠性圖和搭載IGBT4的EconoPACK模塊（Ton≈1秒， I≈Inom）的典型使用壽命這種全新的功率半導(dǎo)體通過提高芯片最高工作結(jié)溫（ Tvjop=150°C），提高了逆變器輸出功率。全新
2018-12-03 13:49:12
普通的高亮度 (HB) LED 僅將約 45% 的應(yīng)用能量轉(zhuǎn)換給可見光子，其余的則產(chǎn)生熱量。 如果產(chǎn)生的這些熱量不能從 LED 充分散去，將會導(dǎo)致過熱，并可能造成災(zāi)難性故障。 即使不出現(xiàn)災(zāi)難性故障，LED 結(jié)溫升高也會造成光輸出下降、顏色發(fā)生變化和/或預(yù)期壽命顯著縮短。
2019-08-12 07:57:16
ad8346汽車級最高工作環(huán)境溫度是125度，最高結(jié)溫是多少攝氏度？
2023-12-05 07:44:20
Fullpack和TO247）和芯片面積。最終給出了一組完整的公式，來計算結(jié)溫。利用本文的結(jié)果，設(shè)計工程師將能夠準確而輕松地計算器件的真實結(jié)溫。導(dǎo)言對于電子器件原型的評估通常包括對功率晶體管和二極管最大結(jié)溫
2018-12-05 09:45:16
150℃。結(jié)溫較高的情況下，特別是結(jié)溫與數(shù)據(jù)表規(guī)格不符時，可能會損壞LED并縮短LED壽命。那么，應(yīng)如何做來降低LED的結(jié)溫呢？ 等式1表示每個LED消耗的電功率： 其中：Vf 是LED的正向電壓
2019-03-01 09:52:39
℃，最大結(jié)溫提高至150℃，電流輸出能力可提高50%以上。本文還對宇宙射線以及功率循環(huán)試驗進行了研究。關(guān)鍵詞:具備更強機械性能高功率IGBT模塊3.3kV IGBT3芯片技術(shù)[中圖分類號] ？？[文獻
2018-12-03 13:51:29
請問怎么確定可控硅的結(jié)溫？？？超過結(jié)溫時會有哪些危害？
2014-05-24 11:35:10
循環(huán)周次能力是有限的。值得注意的是，IGBT模塊主要有兩個失效機制，下文將對此進行說明。通常情況下，逆變器的結(jié)溫可采用熱模型計算。對于遠遠超過0 Hz的正弦波形輸出電流而言，結(jié)溫可采用近似值，其中芯片
2018-12-04 09:57:08
電機驅(qū)動市場特別是家電市場對系統(tǒng)的能效、尺寸和穩(wěn)健性的要求越來越高?！ 闈M足市場需求，意法半導(dǎo)體針對不同的工況提供多種功率開關(guān)技術(shù)，例如， IGBT和最新的超結(jié)功率MOSFET?！ ”疚脑趯嶋H
2018-11-20 10:52:44
的功率耗散也不同，各自要求單獨計算。此外，每個裸片互相提供熱能，故必須顧及到這種交互影響。 本文將闡釋怎樣測量兩個元件的功率耗散，使用IGBT及二極管的θ值計算平均結(jié)溫及峰值結(jié)溫。 圖1： 貼裝在
2018-09-30 16:05:03
模塊輸出電流能力會約束整個逆變器的功率密度，最大結(jié)溫是IGBT開關(guān)運行的限制因素，本文介紹了PrimePACKTM封裝將IGBT工作結(jié)溫提高到150℃，并給出了在苛刻條件下逆變器性能和電流利用率的情況
2018-12-03 13:56:42
發(fā)光二極管進行熱流分析及散熱優(yōu)化設(shè)計。理論計算結(jié)果表明,PN結(jié)到環(huán)境之間的總熱阻為28.67℃/W;當LED耗散功率為1 W、環(huán)境溫度為25℃時,結(jié)溫為53.67℃。模擬結(jié)果顯示,在同樣工作條件下,大功率
2010-04-24 09:17:43
大功率開關(guān)電源常用元器件知識之 IGBT和IPM及其應(yīng)用電路資料來自網(wǎng)絡(luò)資源分享
2021-06-01 18:37:04
我如何計算VIPER37HD / LD的結(jié)溫 以及頻率（60k，115k hz）如何影響結(jié)溫？
2019-08-05 10:50:11
測量和校核開關(guān)電源、電機驅(qū)動以及一些電力電子變換器的功率器件結(jié)溫，如 MOSFET 或 IGBT 的結(jié)溫，是一個不可或缺的過程，功率器件的結(jié)溫與其安全性、可靠性直接相關(guān)。測量功率器件的結(jié)溫常用二種方法：
2021-03-11 07:53:26
通過電流和電壓探頭以及標準的示波器進行數(shù)據(jù)記錄和獲得。在逆變器運行過程中，芯片的結(jié)溫很少通過實驗方法確定。熱處理通常是供應(yīng)商提供典型值或最差值（如IGBT模塊和冷卻板的熱阻）與仿真產(chǎn)生的損耗情況結(jié)合
2018-12-07 10:19:13
專業(yè)回收,觸控屏,變頻器,AB模塊。新舊不限,大量上門回收IGBT模塊,或個人滯留,或工程剩余模塊要處理的主營產(chǎn)品:常年回收igbt功率模塊,電源模塊,可控硅模塊,ipm功率模塊,gtr達林頓模塊
2021-03-04 13:57:12
測量功率器件的結(jié)溫常用二種方法
2021-03-17 07:00:20
模塊的熱可靠性要求。這種計算是基于模塊損耗、熱仿真模型和模塊壽命模型。本文通過將功率模塊連接至不同的冷卻系統(tǒng)，探討了主動/被動熱應(yīng)力條件下，諸如IGBT芯片焊接或綁定線連接等鍵合點1. 導(dǎo)言通常，混合
2018-12-04 09:59:53
的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域?！ ?b class="flag-6" style="color: red">IGBT模塊 IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管
2019-03-05 06:00:00
摘要：本文介紹了分立IGBT和二極管的結(jié)和塑封料（MC）之間溫度差異的總體相關(guān)性。我們以引線架背面為基準，通過分立功率器件的相關(guān)參數(shù)說明這種差異。這些參數(shù)包括封裝類型（TO220，To220
2018-12-03 13:46:13
Rg-計算所需的IGBT門極驅(qū)動功率-計算所需的門極充電電流英飛凌驅(qū)動培訓(xùn)及其使用中的問題-1.pdf (4.73 MB )英飛凌驅(qū)動培訓(xùn)及其使用中的問題-2.pdf (3.63 MB )
2018-12-14 09:45:02
芯片和封裝、周圍環(huán)境之間的溫度差按以下公式進行計算。其中項目解說θｊａ結(jié)溫（Ｔｊ）和周圍溫度（Ｔａ）之間的熱阻ψｊｔ結(jié)溫（Ｔｊ）和封裝外殼表面溫度（Ｔｃ 1）之間的熱阻θｊｃ結(jié)溫（Ｔｊ）和封裝外殼背面
2019-09-20 09:05:08
上一個輸錯了型號，AD8436BRQZ 的datasheet里沒有最大結(jié)溫
2023-12-05 06:37:12
=111.83℃/W ；計算方式2： θJA=42℃/wTJ=Ta+θJA*PD=26℃+0.826w*42℃/w=60.7℃。兩者相差太大，方式2中結(jié)溫60.7℃小于方式1中表面溫度73℃，這個就很難理解
2019-03-25 10:54:06
不同，兩個裸片的功率耗散也不同，各自要求單獨計算。此外，每個裸片互相提供熱能，故必須顧及到這種交互影響。 本文將闡釋怎樣量測兩個組件的功率耗散，使用IGBT及二極管的θ值計算平均結(jié)溫及峰值結(jié)溫。 功率計算
2018-10-08 14:45:41
的功率耗散也不同，各自要求單獨計算。此外，每個裸片互相提供熱能，故必須顧及到這種交互影響。 本文將闡釋怎樣測量兩個元件的功率耗散，使用IGBT及二極管的θ值計算平均結(jié)溫及峰值結(jié)溫。圖1： 貼裝在
2014-08-19 15:40:52
，LED 結(jié)溫升高也會造成光輸出下降、顏色發(fā)生變化和/或預(yù)期壽命顯著縮短。本文介紹了如何計算結(jié)溫，并說明熱阻的重要性。 文中探討了較低熱阻 LED 封裝替代方法，如芯片級和板載 (COB) 設(shè)計，并介紹
2017-04-10 14:03:41
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:55 編輯
大家下午好！我是來自中國北車的張強。隨著高速鐵路和動車的發(fā)展，我們提供車輛數(shù)量的增加，大功率IGBT模塊作為動車中的主要功率
2012-09-17 19:22:20
的、分立式設(shè)備尺寸或額定值數(shù)據(jù)庫中找到。因此，設(shè)計人員常常束手束腳，不得已地采用次優(yōu)器件。圖2顯示了一個模型跟蹤超級結(jié)MOSFETS的挑戰(zhàn)性縮放CRSS特性并在IGBT中傳遞特性的能力。
以前
2019-07-19 07:40:05
IGBT損耗計算和損耗模型研究：器件的損耗對系統(tǒng)設(shè)計堯器件參數(shù)及散熱器的選擇相當重要。損耗模型主要分為兩大類院基于物理結(jié)構(gòu)的IGBT損耗模型淵physics-based冤和基于數(shù)學方法的IG
2009-06-20 08:33:53
96 ），這樣結(jié)合了 PT 和 NPT 技術(shù)的優(yōu)勢。該技術(shù)可使靜態(tài)和動態(tài)損耗減至最小，加上 IGBT3 具有更高電流密度，它還可擴展系列產(chǎn)品的功率范圍。硅片結(jié)溫可高達1
2023-01-10 11:29:08
），這樣結(jié)合了 PT 和 NPT 技術(shù)的優(yōu)勢。該技術(shù)可使靜態(tài)和動態(tài)損耗減至最小，加上 IGBT3 具有更高電流密度，它還可擴展系列產(chǎn)品的功率范圍。硅片結(jié)溫可高達1
2023-01-10 11:33:54
大功率IGBT驅(qū)動模塊2SD315A 的特性及其應(yīng)用:介紹了一種適用于大功率IGBT 的新型驅(qū)動模塊,該模塊工作頻率高,驅(qū)動電流大,具有完善的短路、過流保護和電源監(jiān)控功能。關(guān)鍵詞:模塊
2010-01-07 11:04:27195
可控硅、達靈頓、IGBT、MOSFET等大功率模塊外形圖
（供參考）
2009-07-25 14:45:452146 IGBT和續(xù)流二極管的功率模塊單元電路
(a)所示為單開關(guān)模塊; (b)所示為兩單元(半橋)模塊; (c)所示為H橋(單相橋)模塊; (d)所示為不對稱H橋模塊; (e)所示為三相橋(六單元或逆
2010-02-17 23:12:172894 
M57962L驅(qū)動大功率IGBT模塊時的應(yīng)用電路
2010-02-18 11:20:464335 
賽米控推出其最新的MiniSKiiP IGBT功率半導(dǎo)體模塊，該模塊目前也可提供三電平拓撲結(jié)構(gòu)。與競爭對手的產(chǎn)品相比，新模塊擁有4.9 A/cm2的額定電流
2011-05-06 08:34:24870 器件的損耗對系統(tǒng)設(shè)計堯器件參數(shù)及散熱器的選擇相當重要遙損耗模型主要分為兩大類院基于物理結(jié)構(gòu)的IGBT損耗模型淵physics-based冤和基于數(shù)學方法的IGBT損耗模型遙對近年來的各種研究
2011-09-01 16:38:4565 本文介紹了大功率電力電子器件I P M 智能功率模塊，給出了模塊的內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)及功能特點。以通用變頻電源的設(shè)計為例，介紹了以I P M 智能功率模塊為核心的主電路及其控制電路的設(shè)
2011-12-22 14:30:11105 帶逆阻型IGBT的三電平NPC-2功率模塊的門極驅(qū)動器應(yīng)用
2017-02-28 23:14:222 IGBT單管和IGBT模塊的控制電路是一樣的，它們的作用和工作原理基本一樣，IGBT模塊可以看成是多個IGBT單管集成的模塊。IGBT模塊封裝技術(shù)拓展了IGBT的運用領(lǐng)域和功能。IGBT是集功率
2017-05-14 15:02:3412273 
在大功率系統(tǒng)中，為了擴大電路的功率等級，開關(guān)器件往往會并聯(lián)使用。為了保證絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）模塊工作在安全范圍，需要建立并聯(lián)器件的瞬態(tài)電熱模型。首先，重點分析了結(jié)溫變化對損耗產(chǎn)生
2018-02-01 14:09:060 目前已有場終止型絕緣柵雙極性晶體管（ IGBT）行為模型以及仿真軟件中的IGBT模型末專門針對中電壓大功率IGBT模塊搭建，不能準確模擬其區(qū)別于中小功率IGBT的行為特性。在已有行為模型基礎(chǔ)上，提出
2018-03-08 09:21:360 在一些電力電子應(yīng)用場合，不僅需要高壓IGBT模塊有優(yōu)異的性能，還需要具有相當高的可靠性；為了滿足實際需求，希望高壓IGBT模塊的壽命能達到30年，所以，高壓IGBT模塊的壽命預(yù)估非常重要。
2018-03-13 16:34:4210729 IGBT模塊的原理及測量判斷方法 GBT模塊的原理及測量判斷方法 本文以介紹由單只 IGBT 管子或雙管做成的逆變模塊及其有關(guān)測盈和判斷好壞的方法。場效應(yīng)管有開關(guān)速度快、電壓控制的優(yōu)點，但也
2018-05-18 13:12:0014868 
*ΔVge*f或者P=Ciss*5*ΔVge2*f，今天小R就與大家來聊聊IGBT驅(qū)動器驅(qū)動功率的計算。 關(guān)于IGBT的使用，我們在評估完IGBT本身特性參數(shù)的時候，可以最重要的就是驅(qū)動器的選擇
2022-12-01 11:45:084137 IGBT 功率模塊基本的封裝工藝介紹，給初入半導(dǎo)體芯片制造封裝的工程師作為參考資料。
2022-06-17 14:28:4251 諸如高環(huán)境溫度、暴露于機械沖擊以及特定的驅(qū)動循環(huán)等環(huán)境條件，要求對IGBT功率模塊的機械和電氣特性給予特別的關(guān)注，以便在整個使用壽命期間能確保其性能得到充分發(fā)揮，并保持很高的可靠性。本文對IGBT
2022-08-06 14:54:531999 諸如高環(huán)境溫度、暴露于機械沖擊以及特定的驅(qū)動循環(huán)等環(huán)境條件，要求對IGBT功率模塊的機械和電氣特性給予特別的關(guān)注，以便在整個使用壽命期間能確保其性能得到充分發(fā)揮，并保持很高的可靠性。本文對IGBT的功率和熱循環(huán)進行了探討。
2022-12-02 11:46:35968 智能功率模塊（IPM）是一種功率半導(dǎo)體模塊，可將操作IGBT所需的所有電路集成到一個封裝中。它包括所需的驅(qū)動電路和保護功能，以及IGBT。這樣，可以通過可用的IGBT技術(shù)獲得最佳性能。
2023-02-02 14:39:142430 
賽米控近期完成了基于成熟大功率三電平IGBT模塊并聯(lián)的功率模組參考設(shè)計與測試驗證。本文將詳細的介紹這款設(shè)計。
2023-02-07 09:12:041555 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）模塊是一種功率半導(dǎo)體器件，它是由多個IGBT芯片、反并聯(lián)二極管、驅(qū)動電路、保護電路等組成的集成模塊。IGBT模塊通常根據(jù)結(jié)構(gòu)、電壓、電流、功率等參數(shù)進行分類。
2023-02-20 17:32:254883 隨著電力電子功率模塊不斷的提高功率密度，縮小封裝的體積，提高應(yīng)用頻率。半導(dǎo)體器件，尤其是以IGBT為代表的功率電
子器件面臨的散熱挑戰(zhàn)日益提高，封裝和散熱成為電子產(chǎn)品設(shè)計的熱門詞匯。
在新能源
2023-02-22 13:53:086 IGBT功率模塊是指采用lC驅(qū)動，利用最新的封裝技術(shù)將IGBT與驅(qū)動電路、控制電路和保護電路高度集成在一起的模塊。其類別從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM.
2023-02-22 15:02:552865 IGBT最常見的形式其實是模塊（Module），而不是單管。IGBT模塊是由IGBT與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品，具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點。
2023-02-22 15:08:141760 
IGBT功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大，驅(qū)動功率小，控制電路簡單，開關(guān)損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大等優(yōu)點。實質(zhì)是個復(fù)合功率器件，它集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優(yōu)點于一體化。
2023-02-22 15:34:002490 
IGBT模塊在電力電子變流領(lǐng)域應(yīng)用尤為廣泛，其吸收電容的選型計算成為熱點。由于IGBT模塊關(guān)斷時會產(chǎn)生較高的尖峰附加電壓，疊加在母線電壓上容易導(dǎo)致IGBT模塊燒毀（IGBT模塊開通時的尖峰附加電壓
2023-02-23 09:11:1216 電動汽車驅(qū)動電機控制器基本結(jié)構(gòu)可分為：殼體、高低壓連接器、電子控制元件、電氣控制元件、電氣功率元件。 電氣功率元件主要為IGBT集成功率模塊，是電氣控制器關(guān)鍵零部件。 通過電子控制元件與電氣控制
2023-07-28 11:03:451569 
到 IGBT 模塊內(nèi)部鍵合線的脫落趨勢，結(jié)合壽命模型和威布爾統(tǒng)計方法，對鍵合點壽命進行統(tǒng)計分析，最終獲得功率循環(huán)壽命曲線。利用新的功率循環(huán)壽命統(tǒng)計方法可將試驗成本和試驗周期減少 80%。
2023-08-08 10:56:361216 
IGBT功率模塊失效的主要原因是溫度過高導(dǎo)致的熱應(yīng)力，良好的熱管理對于IGBT功率模塊穩(wěn)定性和可靠性極為重要。新能源汽車電機控制器是典型的高功率密度部件，且功率密度隨著對新能源汽車性能需求的提高仍在
2023-08-23 09:33:23907 
功率半導(dǎo)體器件在現(xiàn)代電力控制和驅(qū)動系統(tǒng)中發(fā)揮著重要作用。IGBT模塊和IPM模塊是其中兩個最為常見的器件類型。它們都可以用于控制大功率負載和驅(qū)動電機等應(yīng)用，但是它們的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和功能有所不同，那么
2023-09-04 16:10:494679 
IGBT模塊的起源可以追溯到20世紀80年代，當時日本的電子工程師們致力于克服傳統(tǒng)功率器件的局限性，尤其是普通雙極晶體管和場效應(yīng)晶體管（FET）。IGBT模塊的出現(xiàn)正是為了綜合這兩者的優(yōu)點，以滿足
2023-09-12 16:53:531805 
IGBT 功率模塊的開關(guān)特性是由它的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，內(nèi)部的寄生電容和內(nèi)部和外接的電阻決定的。
2023-09-22 09:06:14432 
提高4.5kV IGBT模塊的功率密度
2023-11-23 15:53:38280 
聊聊什么是IGBT的膝電壓？ IGBT是一種半導(dǎo)體器件，常用于功率放大和電流控制應(yīng)用。作為一種開關(guān)器件，IGBT能夠在低驅(qū)動電壓下實現(xiàn)較高的電流和電壓控制能力。膝電壓是其關(guān)鍵的特性之一，本文將對
2024-02-03 16:23:43288
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