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看了一眼這個(gè)電路，我感覺(jué)有問(wèn)題，MOS管應(yīng)該不會(huì)導(dǎo)通，就跟同事講了，同事說(shuō)這個(gè)電路是之前用過(guò)的，認(rèn)為沒(méi)有問(wèn)題，于是就上電了。...
三極管，全稱(chēng)應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，也稱(chēng)雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導(dǎo)體器件。其作用是把微弱信號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào)，也用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。...
壓敏電阻具有較大的寄生電容，當(dāng)它應(yīng)用于交流電源系統(tǒng)的保護(hù)時(shí)，往往會(huì)在正常運(yùn)行狀態(tài)下產(chǎn)生數(shù)值可觀(guān)的泄漏電流。例如一個(gè)寄生電容為2nF的壓敏電阻安裝在220V,50hz的交流電源系統(tǒng)中，其泄漏電流可達(dá)0.14mA(有效值)，這樣大的泄漏電流往往會(huì)對(duì)系統(tǒng)的正常運(yùn)行產(chǎn)生影響。...
① LDO正常工作時(shí)，VIN大于VOUT，二極管D3截止； ② LDO掉電，出現(xiàn)VOUT下電比VIN下電慢的情況，反向壓差可能會(huì)損壞LDO，加了D3，輸入和輸出電壓差鉗位在二極管壓降大小，保護(hù)了LDO。...
Si-MOSFET根據(jù)制造工藝可分為平面柵極MOSFET和超結(jié)MOSFET。平面柵極MOSFET在提高額定電壓時(shí)，漂移層會(huì)變厚，導(dǎo)致導(dǎo)通電阻增加的問(wèn)題。...
碳化硅是一種寬帶隙(Wide Bandgap,WBG)半導(dǎo)體材料，與傳統(tǒng)的硅(Si)材料相比，具有更寬的能隙、更高的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度和熱導(dǎo)率。...
MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低，開(kāi)關(guān)速度快，因此被廣泛應(yīng)用在開(kāi)關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管，其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。...
在實(shí)際應(yīng)用中，運(yùn)放的同一個(gè)封裝里面有雙運(yùn)放或四運(yùn)放（如下圖），但有時(shí)候我們只需使用其中的一部分，多余的引腳怎么處理呢？...
那么結(jié)溫和熱阻有什么用呢？--半導(dǎo)體器件主要通過(guò)熱傳遞的方式對(duì)元件本身進(jìn)行散熱，當(dāng)芯片溫度升高，超過(guò)結(jié)溫后會(huì)導(dǎo)致元件損壞。...
本文采用的DTS（DieTopSystem）技術(shù)結(jié)合了芯片雙面銀燒結(jié)工藝與銅線(xiàn)鍵合工藝，此技術(shù)能夠避免直接在芯片上進(jìn)行銅線(xiàn)鍵合時(shí)造成的芯片損傷。...
IGBT在二極管鉗位感性負(fù)載條件下的電路如圖1所示，該電路為IGBT常用電路，可作為IGBT開(kāi)關(guān)特性的測(cè)試電路，評(píng)估IGBT的開(kāi)通及關(guān)斷行為。...
國(guó)際半導(dǎo)體IDM廠(chǎng)商，如意法半導(dǎo)體、英飛凌、安森美、羅姆電子等，在中國(guó)市場(chǎng)仍然占據(jù)碳化硅元件的重要地位。消息人士補(bǔ)充，外國(guó)汽車(chē)品牌或與中國(guó)合資的汽車(chē)品牌，也主要依賴(lài)于上述供應(yīng)商進(jìn)行碳化硅采購(gòu)。...
雖然Infineon是歐洲五大芯片制造商之一，但他的作風(fēng)一向非常低調(diào)。就連Infineon的收購(gòu)行動(dòng)也常常被低調(diào)處理。...
SPICE在晶體管級(jí)別的仿真方面表現(xiàn)出色；然而，IC設(shè)計(jì)工程師要盡一切可能，讓人難以分辨運(yùn)算放大器中是否存在晶體管。他們希望您能夠使用運(yùn)算放大器手冊(cè)為設(shè)計(jì)提供參考，并且不會(huì)因?yàn)榫w管的限制而偏離理想的運(yùn)算放大器性能。...
碳化硅功率器件利用SiC半導(dǎo)體材料制成。SiC是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，具有比硅（Si）更高的電子飽和漂移速度和熱導(dǎo)率，以及更高的臨界擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度。...
利用 SiC 功率器件開(kāi)關(guān)頻率高、開(kāi)關(guān)損耗低等優(yōu)點(diǎn), 將 SiC MOSFET 應(yīng)用于水下航行器大功率高速電機(jī)逆變器模塊, 對(duì)軟硬件進(jìn)行設(shè)計(jì)。...
模擬電路：用連續(xù)的模擬電壓 / 電流值來(lái)表示信息 數(shù)字電路：用一個(gè)離散的電壓序列來(lái)表示信息...
與放電型RCD緩沖電路不同，非放電型RCD緩沖電路的RSNB消耗的功率僅為浪涌能量，因此RSNB的容許損耗可以較小。這可以擴(kuò)大RSNB的選擇范圍，使得能夠增加CSNB的電容量，因而可以提高鉗位的效果。...
IGBT是通過(guò)在MOSFET的漏極上追加層而構(gòu)成的。 IGBT的理想等效電路如下圖所示，IGBT實(shí)際就是MOSFET和晶體管三極管的組合，MOSFET存在導(dǎo)通電阻高的缺點(diǎn)，但I(xiàn)GBT克服了這一缺點(diǎn)，在高壓時(shí)IGBT仍具有較低的導(dǎo)通電阻。...
ME9620內(nèi)部集成有多個(gè)獨(dú)立的高階斬波穩(wěn)定調(diào)制器和FIR數(shù)字濾波器，可實(shí)現(xiàn)4／8通道同步采樣，支持高速、高精度、低功耗、低速4種工作模式。...
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