SEMI（國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會）“全球晶圓廠預測”最新報告指出，2017年中國總計有14座晶圓廠正在興建，并將于2018年開始裝機。

　　2018年中國晶圓設備支出總金額將逾100億美元，成長超過55%，全年支出金額位居全球第二?？傆?017年中國將有48座晶圓廠有設備投資，支出金額達67億美元。

　　展望2018年，SEMI預估中國將有49座晶圓廠有設備投資，支出金額約100億美元。

　　目前國內(nèi)三大存儲器廠商正處于緊鑼密鼓的施工階段，預計2018上半年陸續(xù)進入設備安裝階段，新一輪的設備入廠調(diào)試安裝大戲即將上演。

　　2016年7月26日，長江存儲科技有限責任公司正式成立，武漢新芯將成為長江存儲的全資子公司，而紫光集團則是參與長江存儲的二期出資。注冊地位于武漢東湖開發(fā)區(qū)關東科技工業(yè)園的長江存儲，公司注冊資本189億元。

　　2016年12月30日，由紫光集團聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資建設的國家存儲器基地項目，在武漢東湖高新區(qū)正式動工建設。該項目總投資240億美元，主要生產(chǎn)存儲器芯片，總占地面積1968畝。

　　這一項目即將建設3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、1座總部研發(fā)大樓和其他若干配套建筑，其核心生產(chǎn)廠房和設備每平方米的投資強度超過3萬美元。項目一期計劃2018年建成投產(chǎn)，2020年完成整個項目，總產(chǎn)能將達到30萬片/月，年產(chǎn)值將超過100億美元。

　　目前，長江存儲32層3D NAND芯片順利通過電學特性等各項指標測試，達到預期要求。預計2018年實現(xiàn)量產(chǎn)，并于2019年實現(xiàn)產(chǎn)能滿載。

　　今年6月，長江存儲的廠址區(qū)域正在加速打樁工作中。預計2018年4月將實現(xiàn)設備安裝，第一階段每月的產(chǎn)能大約在50000片，大規(guī)模生產(chǎn)的產(chǎn)品將是長江存儲64層的3D NAND產(chǎn)品。

　　相信，2018年第一家具有中國自主知識產(chǎn)權的 3D NAND 即將誕生。如果說2017年是東芝的天下，2018年必將在中國存儲器行業(yè)劃下濃重的一筆。

　　總投資額達72億美元的合肥長鑫12寸存儲晶圓廠，以生產(chǎn) 19nm DRAM 產(chǎn)品為主，預計2019年底將實現(xiàn)達12.5萬片的月產(chǎn)能。

　　據(jù)悉，該廠的生產(chǎn)設備安裝時間預計在2018年第一季度，目前已開始與晶圓供應商進行商談，以確保2018年內(nèi)獲得穩(wěn)定的晶圓供應。在晶圓廠建設完成之后，月產(chǎn)能預計將高達12.5萬片，其規(guī)模將與韓國 SK Hynix 現(xiàn)在的產(chǎn)能差不多，比福建晉華的存儲器產(chǎn)能更高，僅次于紫光在武漢的 12 寸晶圓廠月產(chǎn)能20萬片的規(guī)模。

　　據(jù)了解，長鑫目前已網(wǎng)羅SK海力士、華亞科及臺廠DRAM設計公司相關人員，構(gòu)成陸日臺的存儲器研發(fā)團隊，預定2017年人才儲備達到千人規(guī)模、2018年上看2，000人。

　　目前可見，合肥長鑫的施工速度要比長江存儲的速度快一些，廠房正在加速建設中，預計9月完成。從產(chǎn)品的原型設計，到試量產(chǎn)仍需要一年多的時間，加上產(chǎn)能的提升，預計2019年2月才能實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)，2019年底有望實現(xiàn)12.5萬片的月產(chǎn)能。

　　目前進度最快的是福建晉華存儲器生產(chǎn)線項目，在近6萬平方米的施工現(xiàn)場，鋼筋密度最大、施工難度最高、用工量最繁復的主廠房，正進行鋼結(jié)構(gòu)吊裝，目前也已完成一半的工程量，最快今（2017）年10月，主廠房將順利封頂。

　　據(jù)悉，今年4月~6月晉華已計劃推出R＆D迷你產(chǎn)線，以實現(xiàn)每月5000片的產(chǎn)能，無論從產(chǎn)品進度和施工作業(yè)來看，晉華存儲器項目的速度都是最快。

　　福建省晉華集成電路有限公司（簡稱晉華公司）是由福建省電子信息集團、晉江能源投資集團有限公司等共同出資的集成電路生產(chǎn)企業(yè)，是中國國家基金積極布局的戰(zhàn)略項目。

　　目前一期總投資370億元，已納入國家十三五集成電路重大項目清單，并得到第一筆 30 億元國家專項資金支持，將通過引進***和全球技術、人才、資源，打造中國第一個自主技術的內(nèi)存制造項目及 12 吋晶圓廠，爭取 3-5 年內(nèi)在國內(nèi)主板上市。

　　2016年5月聯(lián)電宣布與晉華集成電路公司簽約合作，由聯(lián)電負責開發(fā)DRAM制程相關技術。福建省晉華12寸新廠初期將導入32納米制程，預期在2018年9月開始試產(chǎn)，投入DRAM及相關產(chǎn)品的研發(fā)生產(chǎn)與銷售，預計2019年到2020年期間將月產(chǎn)能擴大至3萬片。

　　2016年10月，中芯國際投資近百億美元在上海開啟新的12寸集成電路生產(chǎn)線，可覆蓋14nm至10/7nm工藝節(jié)點，滿產(chǎn)后規(guī)?？蛇_每月7萬片，供應給新一代移動通訊和智能終端機領域。其天津8寸廠開啟了擴建項目，目前月產(chǎn)能在4.5萬片，預計全部達產(chǎn)后中芯天津月產(chǎn)能將達15萬片8英寸晶圓。

　　在深圳中芯國際也將啟動一條12寸產(chǎn)線，定位主流成熟技術，預計2017年底投產(chǎn)，預期產(chǎn)能將達每月4萬片晶圓。

　　2016年11月，華力微二期12寸新生產(chǎn)線建設項目正式啟動，將在浦東新區(qū)康橋工業(yè)區(qū)南區(qū)建設一條月產(chǎn)能4萬片，工藝為28-20-14納米的12英寸集成電路芯片生產(chǎn)線，主要從事邏輯芯片生產(chǎn)，重點服務國內(nèi)設計企業(yè)先進芯片的制造需求。該項目預計2018年底完成工藝串線、試生產(chǎn)，形成 1 萬片生產(chǎn)能力，2022年前實現(xiàn)達產(chǎn)。

　　2017年6月，淮安德科碼開啟12英吋半導體芯片晶圓廠項目，總投資150億元，一期為年產(chǎn)24萬片，預計9月開始生產(chǎn)設備的安裝。