三極管是由基極注入電流的大小來直接影響集電極電流大小的一種器件，是一種電流控制電流型器件。還有一種半導(dǎo)體器件是利用輸入電壓來控制輸出電流的器件，叫做場(chǎng)效應(yīng)管。

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管

場(chǎng)效應(yīng)管分結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管兩種，上圖所示是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)和符號(hào)，結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管又分為N溝道和P溝道兩種，上圖為N溝道結(jié)構(gòu)示意圖，它是在一塊N型硅棒兩端各引出一個(gè)電極，一端稱為源極S，另一端稱為漏極D；在兩側(cè)分別擴(kuò)散一個(gè)高濃度雜質(zhì)的P型區(qū)，形成兩個(gè)PN結(jié)（圖中橙色和灰色部分），把兩個(gè)P型區(qū)相連引出一個(gè)電極就是柵極G。

工作原理：在工作時(shí)，內(nèi)部?jī)蓚€(gè)PN結(jié)施加反偏電壓VGS，在漏源之間加正向電壓VDS，漏極和源極之間只有N型溝道是電流流通的路徑。打個(gè)比喻，把溝道想像成河流，把柵極比做兩岸可以左右控制的閘門，由兩岸各有一人向中間推拉閘門，進(jìn)而控制水流的大小。P溝道和N溝道原理差不多，只不過中間溝道是P型溝道，兩邊柵極是N型區(qū)，和N溝道正好相反，這里就不多說了。

絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管：

絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管又名MOS管（以下簡(jiǎn)稱MOS管），它的柵極和源漏極之間有一層二氧化硅的絕緣層，如上圖所示。MOS管也有N溝道和P溝道兩類，但每一類又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種，因此總共有四種類型：N溝道增強(qiáng)型、P溝道增強(qiáng)型、N溝道耗盡型、P溝道耗盡型。凡是柵源電壓為零時(shí)，漏極電流也為零的管子都是增強(qiáng)型管。凡是柵源電壓為零時(shí)，漏極電流不為零時(shí)都屬于耗盡型管。

上圖是四種MOS管的電路符號(hào)，注意：襯底箭頭朝內(nèi)的是N溝道，襯底箭頭朝外的是P溝道。

增強(qiáng)型MOS管工作原理：工作時(shí)，柵源之間不加電壓時(shí)，漏源之間PN結(jié)是反向的，所以不存在導(dǎo)電溝道，即使漏源之間加了電壓，導(dǎo)電溝電是關(guān)閉的，就不會(huì)有電流通過。當(dāng)柵源之間加正向電壓到一定值時(shí)，在漏源之間就會(huì)形成導(dǎo)電通道，使導(dǎo)電溝道剛剛形成的這個(gè)柵源電壓叫做開啟電壓VGS，柵源之間電壓越大，導(dǎo)電溝道越寬，從而使流過的電流越大。

耗盡型MOS管工作原理：工作時(shí)，柵源之間不加電壓，同增強(qiáng)型MOS管不同，漏源之間存在導(dǎo)電溝道，因此只要在漏源之間加正向電壓，就會(huì)產(chǎn)生漏極電流。并且，柵源之間加正向電壓時(shí)，導(dǎo)電溝道增大，加反向電壓時(shí)，導(dǎo)電溝道變小，流過的電流就會(huì)越小，同增強(qiáng)型MOS管相比，它可以在正、負(fù)值的一定范圍內(nèi)存在導(dǎo)電溝道。

場(chǎng)效應(yīng)管的作用：

一、場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。

二、場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換。

三、場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻。

四、場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。

五、場(chǎng)效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)。
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