近日，第十一屆中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會分立器件年會暨2017中國半導(dǎo)體器件創(chuàng)新產(chǎn)品與應(yīng)用及產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇在西安順利舉行，深圳基本半導(dǎo)體有限公司作為支持單位參與了本次論壇。

　　活動由中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會主辦，邀請全國幾十所高校、科研院所及企業(yè)的數(shù)百名行業(yè)人士參與，基本涵蓋產(chǎn)、學(xué)、研、用的眾多機構(gòu)和企業(yè)代表。通過主題演講和學(xué)術(shù)報告的形式，嘉賓們分享并探討碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、石墨烯等各類半導(dǎo)體新材料、功率器件、封裝工藝的最新技術(shù)和研究成果。碳化硅是目前非常熱門的第三代半導(dǎo)體材料，在本次活動上相關(guān)主題分享達到十多場，其火爆程度可見一斑。

　　基本半導(dǎo)體此次攜最新研發(fā)的碳化硅功率器件亮相高峰論壇，其中包括各電流電壓等級的碳化硅JBS二極管、1200V MOSFET、10kV PiN二極管等產(chǎn)品，吸引眾多行業(yè)人士駐足交流?；景雽?dǎo)體1200V、1700V JBS二極管采用特有的嵌入式結(jié)構(gòu)，反向漏電流比傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)低3個數(shù)量級，更利于高溫（250℃）環(huán)境下工作，抗浪涌電流能力強；公司推出的MOSFET采用高質(zhì)量柵氧工藝，導(dǎo)通電阻闕值電壓與國際同類產(chǎn)品參數(shù)相當(dāng)；10kV PiN二極管憑借自身高質(zhì)量外延技術(shù)，良率達到75%以上，公司自主設(shè)計開發(fā)了對應(yīng)的高壓封裝結(jié)構(gòu)，產(chǎn)品性能達到國際領(lǐng)先水平。

　　碳化硅器件可廣泛應(yīng)用于新能源發(fā)電、新能源汽車、家用電器、節(jié)能環(huán)保、軌道交通、醫(yī)療設(shè)備、智能電網(wǎng)、國防軍工等領(lǐng)域。2016年美國福特電動汽車搭載碳化硅MOSFET器件，在城市和高速上實測相比硅IGBT損耗降低超過77%；美國新一代航空母艦中，變壓器由傳統(tǒng)的磁結(jié)構(gòu)改為碳化硅器件的電力電子變壓器，重量從6噸減少到1.7噸，體積從10立方米減少到2.7立方米，碳化硅器件性能優(yōu)越優(yōu)勢顯著。

　　我國在第三代半導(dǎo)體材料研究上一直緊跟世界前沿，是世界上為數(shù)不多的碳化硅材料襯底、外延產(chǎn)業(yè)化的國家，但是在碳化硅器件設(shè)計和制造工藝方面整體實力較弱?；景雽?dǎo)體引進國外領(lǐng)先技術(shù)，對碳化硅器件的材料制備、芯片設(shè)計、制造工藝、封裝測試、驅(qū)動應(yīng)用等各方面進行研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，全方位覆蓋產(chǎn)業(yè)鏈各個環(huán)節(jié)，依靠技術(shù)創(chuàng)新推動碳化硅器件的國產(chǎn)化進程。

　　有國家政策扶持和市場強勁需求雙重利好加身，中國碳化硅行業(yè)蓄勢待發(fā)，迎來產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的春天。