流及更高的工作溫度，抗輻照能力得到提升;碳化硅材料擊穿電場(chǎng)是硅的 10 倍，因此，其器件可設(shè)計(jì)更高的摻雜濃度及更薄的外延厚度，與相同電壓等級(jí)的硅功率器件相比，導(dǎo)通電阻更低;碳化硅具有高電子飽和速度的特性
2022-11-12 10:01:26
1315 在很寬的范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)對(duì)器件制造所需的p型和n型的控制。因此，SiC被認(rèn)為是有望超越硅極限的功率器件材料。SiC具有多種多型（晶體多晶型），并且每種多型顯示不同的物理特性。對(duì)于功率器件，4H-SiC被認(rèn)為是理想的，其單晶4英寸到6英寸之間的晶圓目前已量產(chǎn)。
2022-11-22 09:59:261373 。功率MOSFET的漏極之間有一個(gè)寄生二極管，當(dāng)漏極與反向電壓連接時(shí)，器件連接。功率MOSFET的導(dǎo)通電阻具有正溫度系數(shù)，有利于并聯(lián)器件時(shí)的均流。
2023-07-04 16:46:37978 
功率半導(dǎo)體器件，以前也被稱(chēng)為電力電子器件，簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，就是進(jìn)行功率處理的，具有處理高電壓，大電流能力的半導(dǎo)體器件。典型的功率處理，包括變頻、變壓、變流、功率管理等等。早期的功率半導(dǎo)體器件：大功率二極管
2023-12-03 16:33:191141 
,JFET 等-- 少子器件：如IGBT，GTR，GTO，快恢復(fù)，等不同開(kāi)關(guān)器件的比較（1）：幾種可關(guān)斷器件的功率處理能力比較（2）：幾種可關(guān)斷器件的工作特性比較
2018-10-25 16:11:27
半導(dǎo)體相比，損耗更低，高溫環(huán)境條件下工作特性優(yōu)異，有望成為新一代低損耗元件的“碳化硅（SiC）功率元器件”。SiC半導(dǎo)體已經(jīng)開(kāi)始實(shí)際應(yīng)用，并且還應(yīng)用在對(duì)品質(zhì)可靠性要求很?chē)?yán)苛的車(chē)載設(shè)備上。提起SiC，可能在
2018-11-29 14:39:47
、應(yīng)用基礎(chǔ)(8學(xué)時(shí)) ?開(kāi)關(guān)控制和變換原理(2) ?物理基礎(chǔ)與晶閘管的基本特性(6) v第3章功率電子器件 (20學(xué)時(shí)) ?器件（14） ：不控型器件 &
2008-08-03 17:05:29
ADC具有哪些特性功能參數(shù)？
2021-11-23 07:36:26
ADF7023-J是什么？ADF7023-J具有什么特性應(yīng)用？
2021-04-20 06:27:18
AWR1843器件具有哪些特性？
2021-09-30 06:19:26
BK3266具有什么特性？
2021-09-28 07:47:14
CAN總線具有哪些特性參數(shù)應(yīng)用？
2021-10-11 06:31:17
CCD具有哪些功能特性？工作原理是什么？CCD為什么能看到紅外線？面陣數(shù)碼相機(jī)如何解決彩色圖像的曝光？
2021-11-03 07:06:12
CH374芯片具有哪些特性參數(shù)應(yīng)用？
2022-02-15 07:37:41
GP8502具有哪些特性應(yīng)用？
2021-06-22 06:07:18
材料在制作耐高溫的微波大功率器件方面也極具優(yōu)勢(shì)。筆者從材料的角度分析了GaN 適用于微波器件制造的原因，介紹了幾種GaN 基微波器件最新研究動(dòng)態(tài)，對(duì)GaN 調(diào)制摻雜場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MODFETs）的工作原理以及特性進(jìn)行了具體分析，并同其他微波器件進(jìn)行了比較，展示了其在微波高功率應(yīng)用方面的巨大潛力。
2019-06-25 07:41:00
IMC300具有哪些特性？
2021-06-16 06:32:32
LED照明光源具有哪些特性？低成本LED驅(qū)動(dòng)IC是否會(huì)促進(jìn)照明領(lǐng)域的革新？
2021-04-09 06:56:27
LMV831電壓跟隨器電路圖LMV831具有哪些特性？
2021-03-11 08:12:07
MM32F超值型具有哪些特性應(yīng)用？MM32F主流型具有哪些特性應(yīng)用？
2021-11-04 06:07:01
MS1656具有什么特性？
2021-11-09 06:21:09
Matlab2018b具有哪些新特性？
2021-11-22 07:05:56
NI Multisim具有什么特性？
2021-04-28 07:01:02
OceanBase具有哪些特性參數(shù)？
2021-09-26 07:00:51
Pico板具有哪些特性？引腳是如何分布的？
2022-01-20 07:11:38
應(yīng)用提供高性能射頻以及微波晶體管并不是一個(gè)大挑戰(zhàn)，該公司的產(chǎn)品在特性、封裝以及應(yīng)用工程方面具有明顯優(yōu)勢(shì)。飛思卡爾半導(dǎo)體在生產(chǎn)及銷(xiāo)售分立和集成射頻半導(dǎo)體器件方面具有雄厚實(shí)力。該公司采用HV7工藝的第七代
2019-07-05 06:56:41
應(yīng)用提供高性能射頻以及微波晶體管并不是一個(gè)大挑戰(zhàn)，該公司的產(chǎn)品在特性、封裝以及應(yīng)用工程方面具有明顯優(yōu)勢(shì)。飛思卡爾半導(dǎo)體在生產(chǎn)及銷(xiāo)售分立和集成射頻半導(dǎo)體器件方面具有雄厚實(shí)力。該公司采用HV7工藝的第七代
2019-07-09 08:17:05
RK3399芯片具有哪些特性？
2022-03-08 10:10:52
實(shí)現(xiàn)了具有硅半導(dǎo)體無(wú)法得到的突破性特性的碳化硅半導(dǎo)體（SiC半導(dǎo)體）的量產(chǎn)。另外，在傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體功率元器件領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)了從分立式半導(dǎo)體到IC全覆蓋的融合了ROHM綜合實(shí)力的復(fù)合型產(chǎn)品群。下面介紹這些產(chǎn)品中的一部分。
2019-07-08 08:06:01
RTC具有哪些特性功能應(yīng)用？
2022-02-07 07:10:27
RTC時(shí)鐘具有哪些特性應(yīng)用？
2021-10-13 06:09:16
RTC時(shí)鐘具有哪些特性？ RTC正常工作的一般配置步驟是怎樣的？
2021-11-23 06:52:26
Raspberry Pi Pico具有哪些功能特性？
2021-10-11 08:13:09
什么是SPI協(xié)議？SPI總線傳輸有哪幾種模式？SPI基本的通訊過(guò)程是怎樣的？SPI協(xié)議的特性是什么？具有哪些優(yōu)劣勢(shì)？
2022-02-17 08:08:12
SPI是什么？SPI有哪些優(yōu)缺點(diǎn)呢？STM32 SPI具有哪些特性呢？
2021-10-29 07:49:22
SZ1110和SZ1130器件具有哪些特性？
2021-06-16 08:42:58
半導(dǎo)體相比，損耗更低，高溫環(huán)境條件下工作特性優(yōu)異，有望成為新一代低損耗元件的“碳化硅（SiC）功率元器件”。提及功率元器件，人們當(dāng)然關(guān)注SiC之類(lèi)的新材料，但是，目前占有極大市場(chǎng)份額和應(yīng)用領(lǐng)域的Si功率
2018-11-28 14:34:33
相比，能夠以具有更高的雜質(zhì)濃度和更薄的厚度的漂移層作出600V～數(shù)千V的高耐壓功率器件。高耐壓功率器件的阻抗主要由該漂移層的阻抗組成，因此采用SiC可以得到單位面積導(dǎo)通電阻非常低的高耐壓器件。理論上
2019-07-23 04:20:21
前面對(duì)SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進(jìn)行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來(lái)將針對(duì)SiC的開(kāi)發(fā)背景和具體優(yōu)點(diǎn)
2018-11-29 14:35:23
Stratix系列器件的主要特性是什么？Stratix器件的典型應(yīng)用有哪些？
2021-04-30 07:00:39
TPS5430具有哪些特性？怎樣去設(shè)計(jì)一種基于TPS5430的輸入電壓應(yīng)用電路？
2021-10-14 07:13:33
TVS具有的特性參數(shù)？TVS有什么分類(lèi)，怎么選用？TVS管在使用中應(yīng)注意的事項(xiàng)
2021-04-15 06:57:07
UART具有哪些特性？
2022-02-14 06:10:35
ULC333310PA具有哪些特性參數(shù)？
2022-01-14 07:20:23
室內(nèi)定位常用的定位方法有哪些？WiFi定位具有哪些特性應(yīng)用？
2021-09-26 07:16:22
tmr模塊具有哪些特性參數(shù)？
2022-02-15 07:15:30
電子制造業(yè)的核心器件之一，還獨(dú)立成為電子電力學(xué)科。作為制造業(yè)大國(guó)，功率半導(dǎo)體器件在中國(guó)大陸的工業(yè)、消費(fèi)、軍事等領(lǐng)域都有著廣泛應(yīng)用，具有很高的戰(zhàn)略地位。功率半導(dǎo)體器件分類(lèi)從發(fā)展歷程看，功率半導(dǎo)體器件先后
2019-02-26 17:04:37
三極管具有什么特性？什么是寬禁帶半導(dǎo)體？
2021-06-08 07:09:36
什么是音圈電機(jī)？具有哪些特性參數(shù)？
2021-10-29 06:09:15
雙向可控硅具有哪些特性？
2021-10-12 07:43:49
測(cè)量和校核開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及一些電力電子變換器的功率器件結(jié)溫，如 MOSFET 或 IGBT 的結(jié)溫，是一個(gè)不可或缺的過(guò)程，功率器件的結(jié)溫與其安全性、可靠性直接相關(guān)。測(cè)量功率器件的結(jié)溫常用二種方法：
2021-03-11 07:53:26
功率行波管的發(fā)展走過(guò)了70年的歷程，具有寬頻帶、高功率、高效率等特點(diǎn)，是現(xiàn)代雷達(dá)通信電子戰(zhàn)等系統(tǒng)的核心元器件，并不斷地推動(dòng)系統(tǒng)向高頻率、高功率、集成化、一體化發(fā)展。
2019-07-05 08:17:35
總線具有哪些特性？有哪些類(lèi)型？
2021-12-23 06:42:42
，損耗更低，高溫環(huán)境條件下工作特性優(yōu)異，有望成為新一代低損耗元件。②SiC功率元器件SiC是在熱、化學(xué)、機(jī)械方面都非常穩(wěn)定的化合物半導(dǎo)體，對(duì)于功率元器件來(lái)說(shuō)的重要參數(shù)都非常優(yōu)異。作為元件，具有優(yōu)于Si
2017-07-22 14:12:43
什么是物聯(lián)網(wǎng)？物聯(lián)網(wǎng)具有哪些特性技術(shù)應(yīng)用？
2021-09-27 07:42:35
保護(hù)器件TVS是普遍使用的一種新型高效電路保護(hù)器件，它具有極快的響應(yīng)時(shí)間（亞納秒級(jí)）和相當(dāng)高的浪涌吸收能力。那么電路保護(hù)器件TVS有什么特性？工作原理是怎么樣的？
2021-04-02 07:03:34
在對(duì)輸入信號(hào)處理的過(guò)程中，許多器件/系統(tǒng)具有線性和非線性特性，不同特性的傳輸特性當(dāng)然對(duì)輸出信號(hào)有不同的影響。具有線性傳輸特性的器件/系統(tǒng)對(duì)于輸入信號(hào)只產(chǎn)生幅度和相位的變化，而不會(huì)產(chǎn)生新的頻率成分。非線性器件/系統(tǒng)能對(duì)輸入信號(hào)的頻率進(jìn)行搬移，或產(chǎn)生新的頻率成份，如諧波和交調(diào)。
2019-07-09 07:56:11
舵機(jī)的原理是什么？ 舵機(jī)具有哪些特性？
2021-10-11 09:14:56
超級(jí)電容與電池對(duì)比具有哪些明顯的特性？超級(jí)電容在智能電表上的應(yīng)用是什么？
2021-10-13 08:05:23
遠(yuǎn)程檢測(cè)具有哪些特性？遠(yuǎn)程檢測(cè)的應(yīng)用有哪幾種？
2021-06-17 11:20:32
陶瓷電容器的由來(lái)陶瓷電容器的分類(lèi)陶瓷電容器的溫度特性陶瓷電容器的阻抗頻率特性貼片陶瓷電容器的尺寸與耗散功率鋁電解電容的失效分析
2021-03-07 06:16:00
功率二極管的基本特性
1. 靜態(tài)伏安特性具有單向?qū)щ娦哉珪r(shí)：二極管導(dǎo)通，通態(tài)壓降1V左右。通態(tài)損耗：
2009-04-14 21:16:144341 
提出了具有n 埋層PSOI(部分SOI) 結(jié)構(gòu)的射頻功率LDMOS 器件. 射頻功率LDMOS 的寄生電容直接影響器件的輸出特性. 具有n 埋層結(jié)構(gòu)的PSOI 射頻LDMOS ,其Ⅰ層下的耗盡層寬度增大,輸出電容減小,漏
2011-12-01 14:13:43
36 由于本設(shè)計(jì)中的變換器的應(yīng)用場(chǎng)合的電壓和電流都比較大，則除考慮效率因素外，選擇高性能功率器件是保證功放性能的重要環(huán)節(jié)。功率器件的特性主要有安全特性、開(kāi)關(guān)特性和驅(qū)動(dòng)特
2012-10-10 13:46:532024 所謂功率半導(dǎo)體器件，以前也被稱(chēng)為電力電子器件，簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，就是進(jìn)行功率處理的，具有處理高電壓，大電流能力的半導(dǎo)體器件。其電壓處理范圍從幾十V~幾千V，電流能力最高可達(dá)幾
2012-11-22 10:55:5112042 ）等，還是新型功率半導(dǎo)體器件，如：門(mén)極關(guān)斷晶閘管（GTO）、門(mén)極換流晶閘管（GCT）、集成門(mén)極換流晶閘管（IGCT）等，甚至是絕緣柵雙極晶體管（IGBT），都屬于雙極注入器件，所以它們的通態(tài)特性最后都可以歸結(jié)到PiN功率二極管的通態(tài)特性上。 在實(shí)際應(yīng)用中，往往有多個(gè)器件的并
2017-10-31 10:19:4112 為滿足晶體管用戶的需求，有源器件的功率密度持續(xù)增長(zhǎng)。商用無(wú)線通訊、航空電子、廣播、工業(yè)以及醫(yī)療系統(tǒng)應(yīng)用推動(dòng)固態(tài)功率封裝隨著更小輸出級(jí)器件輸出更高輸出功率的要求而發(fā)展。對(duì)飛思卡爾半導(dǎo)體公司而言，為這些應(yīng)用提供高性能射頻以及微波晶體管并不是一個(gè)大挑戰(zhàn)，該公司的產(chǎn)品在特性、封裝以及應(yīng)用工程方面具有明顯優(yōu)勢(shì)。
2017-11-25 14:07:011538 
MCT是一種新型MOS與雙極復(fù)合型器件。如圖所示。MCT是將MOSFET的高阻抗、低驅(qū)動(dòng)圖MCT的功率、快開(kāi)關(guān)速度的特性與晶閘管的高壓、大電流特型結(jié)合在一起，形成大功率、高壓、快速全控型器件。
2019-10-23 17:52:242346 
功率VDMOSFET器件由于其用柵極電壓來(lái)控制漏極電流，驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，需要的驅(qū)動(dòng)功率小，開(kāi)關(guān)速度快，工作頻率高等特性，被廣泛應(yīng)用于DC/DC轉(zhuǎn)換器，UPS及各種開(kāi)關(guān)電路等。在電路設(shè)計(jì)中，工程師會(huì)根據(jù)
2020-03-07 08:00:0021 SiC功率器件作為一種新型功率器件，在新能源汽車(chē)的應(yīng)用中具有極大優(yōu)勢(shì)。據(jù)悉，SiC材料具有耐高壓、耐高溫、高效率、高頻率、抗輻射等優(yōu)異的物理和化學(xué)特性，能夠極大地提升現(xiàn)有能源的轉(zhuǎn)換效率。新能源汽車(chē)
2020-08-26 09:56:32653 碳化硅 (SiC) 是一種寬帶隙半導(dǎo)體，近年來(lái)已成功應(yīng)用于多種電源應(yīng)用，與基于硅技術(shù)的傳統(tǒng)組件相比，表現(xiàn)出卓越的品質(zhì)?；?SiC 的功率分立器件具有相關(guān)特性，包括高開(kāi)關(guān)頻率和工作溫度、低傳導(dǎo)損耗
2022-08-04 10:39:391027 
隨著以硅材料為基礎(chǔ)的功率器件逐漸接近其理論極限值，利用寬禁帶半導(dǎo)體材料制造的電力電子器件顯示出比Si和GaAs更優(yōu)異的特性，給功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展帶來(lái)了新的生機(jī)。
2022-12-20 10:39:56788 功率器件簡(jiǎn)介 基本電源設(shè)備特性與應(yīng)用
2022-12-22 09:49:55296 動(dòng)態(tài)特性是功率器件的重要特性，在器件研發(fā)、系統(tǒng)應(yīng)用和學(xué)術(shù)研究等各個(gè)環(huán)節(jié)都扮演著非常重要的角色。故對(duì)功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)進(jìn)行測(cè)試是相關(guān)工作的必備一環(huán)，主要采用雙脈沖測(cè)試進(jìn)行。
2023-02-10 14:25:11271 ？ 一、什么是半導(dǎo)體： 半導(dǎo)體是指同時(shí)具有容易導(dǎo)電的“導(dǎo)體”和不導(dǎo)電的“絕緣體”兩方面特性的物質(zhì)。能夠?qū)崿F(xiàn)交流電轉(zhuǎn)為直流電—“整流”、增大電信號(hào)—“增幅”、導(dǎo)通或者阻斷電—“開(kāi)關(guān)”等。 二、什么是功率半導(dǎo)體： 功
2023-02-15 16:29:2011 電力電子器件又稱(chēng)為功率半導(dǎo)體器件,主要用于電力設(shè)備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件。 功率半導(dǎo)體器件通常
指電流為數(shù)十至數(shù)千安,電壓為數(shù)百伏以上。 功率器件幾乎用于所有的電子制造業(yè),包括
2023-02-16 15:36:330 關(guān)注、 星標(biāo)公眾 號(hào) ，不錯(cuò)過(guò)精彩內(nèi)容 整理：黃工 來(lái)源：艾睿電子元器件 功率器件，也被稱(chēng)為電力電子器件。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，就是具有處理高電壓/大電流能力的功率型半導(dǎo)體器件。 由于早期主要用于電力設(shè)備的電能
2023-02-16 15:39:252 等，它們的承受功率一般在幾十瓦到數(shù)百瓦之間。如果需要承受更大功率的電路，可以使用模塊化功率器件，如IGBT模塊、功率MOS管模塊等。 功率二極管的穩(wěn)定性主要取決于它的溫度特性和反向擊穿電壓特性。溫度對(duì)功率二極管的電阻、電容和漏電流等參數(shù)有很大影
2023-02-18 11:16:29711 功率 IC （Power IC）是一種專(zhuān)門(mén)用于處理功率信號(hào)的集成電路。與傳統(tǒng)的模擬電路和數(shù)字電路相比，功率 IC 具有更高的集成度、更小的體積、更高的性能和更低的功耗。功率 IC 可以通過(guò)內(nèi)部
2023-02-18 15:42:405823 前面對(duì)SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進(jìn)行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來(lái)將針對(duì)SiC的開(kāi)發(fā)背景和具體優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行介紹。
2023-02-22 09:15:30346 
碳化硅（SiC）器件是一種新興的技術(shù)，具有傳統(tǒng)硅所缺乏的多種特性。SiC具有比Si更寬的帶隙，允許更高的電壓阻斷，并使其適用于高功率和高電壓應(yīng)用。此外，SiC還具有比Si更低的熱阻，這意味著它可以更有效地散熱，具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:161469 碳化硅功率器件作為新一代功率半導(dǎo)體器件，以其優(yōu)異的特性獲得了廣泛的應(yīng)用，同時(shí)也對(duì)其動(dòng)態(tài)特性測(cè)試帶來(lái)了挑戰(zhàn)，現(xiàn)階段存在的主要問(wèn)題有以下三點(diǎn)
2023-07-08 15:14:02325 
對(duì)功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)進(jìn)行測(cè)試是器件研發(fā)工程師、電源工程師工作中的重要一環(huán)，測(cè)試結(jié)果用于驗(yàn)證、評(píng)價(jià)、對(duì)比功率器件的動(dòng)態(tài)特性。
2023-07-10 16:28:08343 點(diǎn)擊上方 “泰克科技” 關(guān)注我們！ （本文轉(zhuǎn)載自公眾號(hào)： 功率器件顯微鏡 ，分享給大家交流學(xué)習(xí)） GaN HEMT功率器件實(shí)測(cè)及其測(cè)試注意事項(xiàng)。氮化鎵器件是第三代半導(dǎo)體中的典型代表，具有極快的開(kāi)關(guān)
2023-07-17 18:45:02711 
氮化鎵功率器件具有較低的導(dǎo)通阻抗和較高的開(kāi)關(guān)速度，使其適用于高功率和高頻率應(yīng)用，如電源轉(zhuǎn)換、無(wú)線通信、雷達(dá)和太陽(yáng)能逆變器等領(lǐng)域。由于其優(yōu)異的性能，氮化鎵功率器件在提高功率密度、提高系統(tǒng)效率和減小尺寸方面具有很大的潛力。
2023-08-24 16:09:151946 氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質(zhì)是外延結(jié)構(gòu)的不同，本文通過(guò)深入對(duì)比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結(jié)構(gòu)
2023-09-19 14:50:342704 
列文章將分為四部分，此為第一部分，將介紹應(yīng)用詳情以及功率FET和保護(hù)，詳細(xì)介紹功率元件（垂直功率FET）的物理結(jié)構(gòu)以及利用功率FET所采用的不同技術(shù)。其中還會(huì)介紹該器件中集成的保護(hù)特性，這些特性可在系統(tǒng)故障情況下保護(hù)器件本身。 本文在解釋某些概念時(shí)還提供
2023-11-24 19:15:02374 
碳化硅（SiC）是一種具有優(yōu)異物理特性的半導(dǎo)體材料，其高電子飽和遷移率、高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)和高電子飽和遷移率等特點(diǎn)使其在功率器件領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。
2023-12-19 09:27:19300 碳化硅功率器件的實(shí)用性不及硅基功率器件嗎? 碳化硅功率器件相較于傳統(tǒng)的硅基功率器件具有許多優(yōu)勢(shì)，主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：材料特性、功率密度、溫度特性和開(kāi)關(guān)速度等。盡管碳化硅功率器件還存在一些挑戰(zhàn)
2023-12-21 11:27:09286 功率器件 (Power Devices) 通常也稱(chēng)為電力電子器件，是專(zhuān)門(mén)用來(lái)進(jìn)行功率處理的半導(dǎo)體器件。功率器件具有承受高電壓、通過(guò)大電流的能力，處理電壓的范圍可以從幾十伏到幾千伏，通過(guò)電流的能力最高
2024-01-09 09:38:52400 氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件，具有廣闊的應(yīng)用前景。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵功率器件的結(jié)構(gòu)和原理。 一、氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu) 氮化鎵功率器件的主要結(jié)構(gòu)是GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率
2024-01-09 18:06:41667
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