晶體管是模擬電路中基礎(chǔ)的器件，對(duì)于電子工程師來(lái)說(shuō)，了解晶體管工作的條件和判斷晶體管的工作狀態(tài)都是非?；A(chǔ)的，本文將帶大家一起學(xué)習(xí)或回顧一下。
2016-11-21 10:44:08
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TIP122是一個(gè) 達(dá)林頓對(duì) NPN 晶體管 ，由一對(duì)達(dá)林頓晶體管組成，它的工作原理類似于普通的 NPN 晶體管。
2023-05-23 09:23:451724 
傳輸門是由外部施加的邏輯電平控制的NMOS和PMOS晶體管組成的雙向開關(guān)。
2023-08-10 09:02:201943 
的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，可以在內(nèi)部工作原理中引導(dǎo)和直流電，以調(diào)節(jié)它們并將它們帶到需要的地方。晶體管就是其中之一。8050型晶體管是一種非常特殊的器件，被歸類為負(fù)-正-負(fù)（NPN）外延放大器晶體管，最常見于無(wú)線電
2023-02-16 18:22:30
驅(qū)動(dòng)篇 – PMOS管應(yīng)用感謝閱讀本文，在接下來(lái)很長(zhǎng)的一段時(shí)間里，我將陸續(xù)分享項(xiàng)目實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)。從電源、單片機(jī)、晶體管、驅(qū)動(dòng)電路、顯示電路、有線通訊、無(wú)線通信、傳感器、原理圖設(shè)計(jì)、PCB設(shè)計(jì)、軟件設(shè)計(jì)
2021-07-19 07:10:33
？5. 連續(xù)脈沖？單脈沖？6. 平均功耗是否在周圍溫度的額定功率以下？功率計(jì)算的積分公式使晶體管工作會(huì)產(chǎn)生電氣負(fù)載和熱負(fù)載。對(duì)晶體管來(lái)講，負(fù)載太大壽命會(huì)縮短，最壞的情況下會(huì)導(dǎo)致晶體管被破壞。為防止這種
2019-04-15 06:20:06
及制造工藝分類 晶體管按其結(jié)構(gòu)及制造工藝可分為擴(kuò)散型晶體管、合金型晶體管和平面型晶體管?！ “措娏魅萘糠诸悺 ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管按電流容量可分為小功率晶體管、中功率晶體管和大功率晶體管按工作頻率分類 晶體管按
2010-08-12 13:59:33
狀態(tài)），由于電荷的存儲(chǔ)效應(yīng)，晶體管工作狀態(tài)的轉(zhuǎn)換將有幾個(gè)微妙（μs）的動(dòng)作延遲，將該時(shí)間稱為“恢復(fù)時(shí)間”。在發(fā)射極連接繼電器線圈時(shí)需要注意線圈的反電動(dòng)勢(shì)在晶體管開關(guān)電路中，如果連接的被控對(duì)象為電動(dòng)機(jī)或
2017-03-28 15:54:24
，PMOS指的是P型MOSFET。注意，MOS中的柵極Gate可以類比為晶體管中的b極，由它的電壓來(lái)控制整個(gè)MOS管的導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)?！ MOS電路符號(hào)如下圖： PMOS電路符號(hào)如下
2021-01-13 16:23:43
一、晶體管開關(guān)電路：是一種計(jì)數(shù)地接通-斷開晶體管的集電極-發(fā)射極間的電流作為開關(guān)使用的電路，此時(shí)的晶體管工作在截止區(qū)和飽和區(qū)。當(dāng)需要輸出大的負(fù)載電流時(shí)，由于集電極電流(負(fù)載電流)是放大基極電流而來(lái)
2021-10-29 09:25:31
本帖最后由 elecfans電子發(fā)燒友 于 2017-10-24 22:44 編輯
在四種常用晶體管開關(guān)電路（2種NMOS，2種PMOS）一文中，介紹了晶體管構(gòu)成的開關(guān)電路。這里我們使用所述
2016-08-30 04:32:10
；頻率特性和通頻帶。難點(diǎn)：靜態(tài)工作點(diǎn)調(diào)整。[理論內(nèi)容]一、電路工作原理及基本關(guān)系式1、工作原理晶體管放大器中廣泛應(yīng)用如圖1所示的電路，稱之為阻容耦合共射極放大器。它采用的是分壓式電流負(fù)反饋偏置電路
2009-03-20 10:02:58
晶體管測(cè)量模塊的基本特性有哪些？晶體管測(cè)量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
`非常不錯(cuò)的晶體管電路設(shè)計(jì)書籍！`
2016-11-08 14:12:33
晶體管電路設(shè)計(jì)叢書上冊(cè)晶體管電路設(shè)計(jì)(pdf電子書下載):是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書”之一，共分上下二冊(cè)。本書作為上冊(cè)主要內(nèi)容有晶體管工作原理，放大電路的性能、設(shè)計(jì)與應(yīng)用，射極跟隨器的性能與應(yīng)用電
2009-11-20 09:41:18
等同hFE，甚至相差很大，所以不要將其混淆。β和hFE大小除了與晶體管結(jié)構(gòu)和工藝等有關(guān)外，還與管子的工作電流（直流偏置）有關(guān)，工作電流IC在正常情況下改變時(shí)，β和hFE也會(huì)有所變化；若工作電流變得過(guò)小或
2018-06-13 09:12:21
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-04-10 06:20:24
是基于代表性的特性進(jìn)行的，因此存在個(gè)別不吻合的內(nèi)容。請(qǐng)理解為整體的傾向、特征。另外，這些晶體管的結(jié)構(gòu)、工作原理與代表性的參數(shù)如下。雙極晶體管（圖中以NPN為例）由PN結(jié)組成，通過(guò)在基極流過(guò)電流，而在集電極
2018-11-28 14:29:28
相對(duì)于晶體管的主要評(píng)估項(xiàng)目的特征。 對(duì)于各項(xiàng)目的評(píng)估是基于代表性的特性進(jìn)行的，因此存在個(gè)別不吻合的內(nèi)容。請(qǐng)理解為整體的傾向、特征。另外，這些晶體管的結(jié)構(gòu)、工作原理與代表性的參數(shù)如下。 雙極晶體管
2020-06-09 07:34:33
控制大功率現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率，使用功率晶體管作為開關(guān)有很多優(yōu)點(diǎn)，主要是；(1)容易關(guān)斷，所需要的輔助元器件少，(2)開關(guān)迅速，能在很高的頻率下工作，(3)可得到的器件耐壓范圍從
2018-10-25 16:01:51
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當(dāng)時(shí)的電子工業(yè)界來(lái)帶來(lái)了前所未有的沖擊。而且，正是這個(gè)時(shí)候成為了今日電子時(shí)代的開端。之后以計(jì)算機(jī)為首，電子技術(shù)取得急速
2019-05-05 00:52:40
晶體管的發(fā)射極箭頭朝內(nèi)，NPN型晶體管的發(fā)射極箭頭朝外。2．三極管各個(gè)電極的作用及電流分配晶體管三個(gè)電極的電極的作用如下：發(fā)射極（E極）用來(lái)發(fā)射電子；基極（B極）用來(lái)控制E極發(fā)射電子的數(shù)量；集電極（C極
2013-08-17 14:24:32
）。對(duì)這兩個(gè)PN結(jié)所施加不同的電位，就會(huì)使晶體管工作于不同的狀態(tài)：兩個(gè)PN結(jié)都反偏——晶體管截止；兩個(gè)PN結(jié)都導(dǎo)通——晶體管飽和：一個(gè)PN結(jié)正偏，一個(gè)PN結(jié)反偏——晶體管放大電路（注意：如果晶體管的發(fā)射結(jié)反
2012-02-13 01:14:04
，晶體管的輸入特性類似于二極管的正向伏安特性。 (2)共射極輸出特性 （以 NPN 管為例） 共射極輸出特性表達(dá)式為：。晶體管輸出特性曲線的三個(gè)區(qū)域對(duì)應(yīng)于 晶體管的三個(gè)工作狀態(tài)（飽和、放大和截止）。 a
2021-05-13 06:43:22
關(guān)于晶體管ON時(shí)的逆向電流在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負(fù)，由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔(dān)心劣化和損壞，在使用上是沒有問題的2. NPN-Tr
2019-05-09 23:12:18
硬之城,晶體管這個(gè)詞僅是對(duì)所有以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的元件的統(tǒng)稱，那么問題來(lái)了，晶體管有哪些類型，其工作原理又是什么呢?一、晶體管工作原理晶體管，英文名稱為transistor，泛指一切以半導(dǎo)體材料為
2016-06-29 18:04:43
利用半導(dǎo)體的特性，每個(gè)管子工作原理個(gè)不同，你可以找機(jī)電方面的書看 下圖中的S是指源極(Source)，D是指漏極(Drain)，G是柵極(Gate)。晶體管的工作原理其實(shí)很簡(jiǎn)單，就是用兩個(gè)狀態(tài)表
2017-08-03 10:33:03
。因此，MOS管有時(shí)被稱為場(chǎng)效應(yīng)管。在一般電子電路中，MOS管通常被用于放大電路或開關(guān)電路。MOS管工作原理MOS管為壓控元件,你只要加到它的壓控元件所需電壓就能使它導(dǎo)通,它的導(dǎo)通就像三極管在飽和狀態(tài)一樣...
2021-11-11 09:13:30
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:53 編輯
MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)_工作原理
2012-08-20 08:22:32
。晶體管NPN型和PNP型結(jié)晶體管工作狀態(tài)晶體管的工作原理類似于電子開關(guān)。它可以打開和關(guān)閉電流。晶體管背后的基本思想是，它允許您通過(guò)改變流經(jīng)第二個(gè)通道的較小電流的強(qiáng)度來(lái)控制通過(guò)一個(gè)通道的電流。1）截止
2023-02-15 18:13:01
稱為發(fā)射極-基極二極管或發(fā)射極二極管。集電極基極二極管，也稱為集電極二極管，是集電極和基極之間的結(jié)點(diǎn)。五、PNP晶體管的工作原理電壓源（VEBpositive）的端子連接到發(fā)射極（P型），而負(fù)極
2023-02-03 09:44:48
能夠在高輸出功率電平下承受嚴(yán)苛的負(fù)載失配狀況而不降低性能或造成器件故障。當(dāng)晶體管工作在負(fù)載失配狀態(tài)下時(shí)，它的輸出功率有很大一部分會(huì)被反射進(jìn)器件，此時(shí)功率必須在晶體管中耗散掉。但在比較不同耐用性的晶體管時(shí)，重要的是檢查不同器件制造商達(dá)到其耐用性結(jié)果的條件，因?yàn)椴煌圃焐痰臏y(cè)試條件可能有很大變化。
2019-06-26 07:11:37
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個(gè)晶體管來(lái)代替，MFR151管子能用哪個(gè)來(lái)代替？或是誰(shuí)有這兩個(gè)高頻管子的原件庫(kù)？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
`內(nèi)容簡(jiǎn)介：《晶體管電路設(shè)計(jì)》(上)是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書”之一，共分上下二冊(cè)。《晶體管電路設(shè)計(jì)》(上)作為上冊(cè)主要內(nèi)容有晶體管工作原理，放大電路的性能、設(shè)計(jì)與應(yīng)用，射極跟隨器的性能與應(yīng)用電
2017-07-25 15:29:55
利用半導(dǎo)體的特性，每個(gè)管子工作原理個(gè)不同，可以找機(jī)電方面的書看下圖中的S是指源極(Source)，D是指漏極(Drain)，G是柵極(Gate)。晶體管的工作原理其實(shí)很簡(jiǎn)單，就是用兩個(gè)狀態(tài)表示二進(jìn)制
2017-09-12 11:10:57
)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)都有信號(hào)放大的作用，也都有3個(gè)管腳，且封裝大小兩者都類似，然而這么如此相似的兩種管，無(wú)論是材質(zhì)組成、工作原理、使用方式，它們都不一樣，但是究竟兩者之間有何區(qū)別，到底誰(shuí)才可以被稱為電子
2019-04-08 13:46:25
晶體管的工作原理是一樣的?！?光電晶體管光電晶體管是由雙極晶體管或場(chǎng)效應(yīng)晶體管組成的光電器件。光被吸收在這種器件的有源區(qū)域，產(chǎn)生光生載流子，這些載流子通過(guò)內(nèi)部電放大機(jī)制并產(chǎn)生光電流增益。光電晶體管在三
2023-02-03 09:36:05
達(dá)林頓晶體管是一對(duì)雙極晶體管，連接在一起，從低基極電流提供非常高的電流增益。輸入晶體管的發(fā)射極始終連接到輸出晶體管的基極;他們的收藏家被綁在一起。結(jié)果，輸入晶體管放大的電流被輸出晶體管進(jìn)一步放大
2023-02-16 18:19:11
，出于實(shí)際原因，保持
區(qū)域大致相同至關(guān)重要?！ ∪缜八觯瑢?shí)現(xiàn)更多計(jì)算能力的一種方法是縮小
晶體管的尺寸。但隨著
晶體管尺寸的減小，漏極和源極之間的距離降低了柵極控制溝道
區(qū)域電流的能力。正因?yàn)槿绱?，平?/div>
2023-02-24 15:25:29
`簡(jiǎn)介：《晶體管電路設(shè)計(jì)》(上)是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書”之一，共分上下二冊(cè)?！?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設(shè)計(jì)》(上)作為上冊(cè)主要內(nèi)容有晶體管工作原理，放大電路的性能、設(shè)計(jì)與應(yīng)用，射極跟隨器的性能與應(yīng)用電路，小型
2017-06-22 18:05:03
的規(guī)則，則可以互換使用NPN和PNP晶體管。雙極晶體管實(shí)際上是兩個(gè)背靠背連接的二極管，基極用作公共連接。PNP 結(jié)點(diǎn)如何工作？PNP晶體管是由夾在兩個(gè)P型半導(dǎo)體之間的N型半導(dǎo)體組成的雙極結(jié)型晶體管
2023-02-03 09:45:56
導(dǎo)電，故稱為單極型晶體管。 單極型晶體管的工作原理 以N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管為例說(shuō)明其工作原理。N溝道增強(qiáng)型MOS管的結(jié)構(gòu)模型如圖1所示，它由兩個(gè)背靠背的PN結(jié)組成?！ D2是實(shí)際結(jié)構(gòu)
2020-06-24 16:00:16
請(qǐng)教：?jiǎn)谓Y(jié)晶體管在什么位置，有人說(shuō)是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請(qǐng)問誰(shuí)有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
常用的半導(dǎo)體元件還有利用一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成的具有負(fù)阻特性的器件一單結(jié)晶體管，請(qǐng)問這個(gè)單結(jié)晶體管是什么？能夠?qū)崿F(xiàn)負(fù)阻特性？
2024-01-21 13:25:27
雙極型晶體管工作原理
2012-08-20 08:53:35
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽(yáng)極的兩個(gè)二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態(tài)下，基極-發(fā)射極結(jié)（稱這個(gè)PN結(jié)為“發(fā)射結(jié)”）處于正向偏置狀態(tài)，而基極-集電極（稱這個(gè)PN結(jié)為“集電結(jié)”）則處于反向偏置狀態(tài)。
2019-09-26 09:00:23
的第一個(gè)電路。 本文將展示四種晶體管開關(guān)電路，其中2種使用NMOS，2種使有PMOS。 在電路設(shè)計(jì)過(guò)程中，有時(shí)需要“獨(dú)立”控制幾個(gè)開關(guān)的通與斷。例如構(gòu)造某種波形。晶體管開關(guān)能夠?qū)崿F(xiàn)一些開關(guān)的通與斷不會(huì)
2016-08-30 01:01:44
僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,它與雙極型相反,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域寬等優(yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。
2021-05-24 06:27:18
區(qū)域，而粉紅色陰影區(qū)域表示截止區(qū)域?！ D1. 晶體管工作區(qū) 這些區(qū)域定義為： ? 飽和區(qū)域。 在這個(gè)區(qū)域，晶體管將偏置最大基極電流，用于在集電極上實(shí)現(xiàn)最大電流，在集電極-發(fā)射極處實(shí)現(xiàn)最小壓降
2023-02-20 16:35:09
如何去判別晶體管材料與極性？如何去檢測(cè)晶體管的性能？怎樣去檢測(cè)特殊晶體管？
2021-05-13 07:23:57
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
來(lái)至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
使晶體管工作會(huì)產(chǎn)生電氣負(fù)載和熱負(fù)載。對(duì)晶體管來(lái)講，負(fù)載太大壽命會(huì)縮短，最壞的情況下會(huì)導(dǎo)致晶體管被破壞。為防止這種情況，需要檢查實(shí)際使用狀態(tài)，并確認(rèn)在使用上是否有問題。這里說(shuō)明一下具體的判定方法。為
2019-05-05 09:27:01
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們?cè)谛吞?hào)上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設(shè)計(jì)》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）?，F(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中最常用的型號(hào)是哪些？
2017-10-11 23:53:40
to -2.4mV/oC的范圍有偏差)R1的溫度變化率，如下圖表。關(guān)于輸出電壓 - 輸出電流特性的低電流領(lǐng)域(數(shù)字晶體管的情況)數(shù)字晶體管的輸出電壓-輸出電流特性，按以下測(cè)定方法測(cè)定。IO（低電流區(qū)域
2019-04-22 05:39:52
測(cè)定。IO（低電流區(qū)域）條件下，個(gè)別晶體管基極沒有電流流過(guò)。因此低電流區(qū)域輸出電壓 (VO)[VCE(sat)]上升。測(cè)定方法 DTC114EKA 的場(chǎng)合 用IO/Ii=20/1測(cè)定。Ii=IB+IR2
2019-04-09 21:49:36
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-05-05 01:31:57
100GHz以上?！ ‰娮?b class="flag-6" style="color: red">管是利用靜電場(chǎng)對(duì)電子流的控制來(lái)工作的，是電壓控制元件，與MOS場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理有些相似。所以輸入阻抗極高，輸入信號(hào)只要電壓，不需要電流。晶體管是利用半導(dǎo)體器件內(nèi)雜質(zhì)濃度的差異
2016-01-26 16:52:08
絕緣柵雙極晶體管IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管。一．絕緣柵雙極晶體管IGBT的工作原理： 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)分析略。本講義附加了相關(guān)資料，供感興趣
2009-05-12 20:44:23
本文重點(diǎn)關(guān)注芯片中晶體管工作狀態(tài)和電信號(hào)種類，把芯片家族粗略劃分為數(shù)字電路芯片、模擬電路芯片和數(shù)?；旌想娐沸酒⑻胤N電路芯片四大類。
2021-06-17 10:51:15
這個(gè)達(dá)林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
單結(jié)晶體管又叫雙基極二極管，它的符號(hào)和外形見附圖。來(lái)源：上上電子網(wǎng)——W W W .dianzi333.com 判斷單結(jié)晶體管發(fā)射極E的方法是：把萬(wàn)用表置于R*100擋或R*1K擋，黑表筆接假設(shè)
2013-05-27 15:23:44
光敏晶體管工作原理,這里介紹的是晶體管二極管三極管的工作原理。
光敏二極管和光敏三極管是光電轉(zhuǎn)換半導(dǎo)體器件，與光敏電阻器相比
2007-12-22 10:18:4411353 電力晶體管工作原理和結(jié)構(gòu)
電力晶體管的結(jié)構(gòu)
電力晶體管(Giant Transistor)簡(jiǎn)稱GTR，結(jié)構(gòu)和工作原理都和小功率晶體管非常
2009-11-05 12:02:421960 電力晶體管的詳細(xì)資料
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電力晶體管簡(jiǎn)介電力晶體管的結(jié)構(gòu)電力晶體管工作原理電力晶體
2009-11-05 13:38:291527
單結(jié)晶體管工作
2009-11-07 09:17:39718 晶體管工作原理是什么?
利用半導(dǎo)體的特性，每個(gè)管子工作原理個(gè)不同，你可以找機(jī)電方面的書看
下
2010-03-01 10:59:4334491
晶體管工作原理--Html版本
2010-03-01 11:01:354778 晶體管雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)電路工作原理
晶體管雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)電路的功能，完整電路圖，工作原理，制作調(diào)試過(guò)程
要詳細(xì)
2010-03-01 11:04:298410 什么是光敏晶體管,光敏晶體管工作原理是什么?
光敏二極管和光敏三極管是光電轉(zhuǎn)換半導(dǎo)體器件，與光敏電阻器相比具有靈敏度高、高頻性能好，可
2010-03-01 11:10:532695 超高頻晶體管,超高頻晶體管工作原理
晶體管內(nèi)部由兩PN結(jié)構(gòu)成，其三個(gè)電極分別為集電極（用字母C或c表示），基極（用字母B或b表示
2010-03-01 11:16:07708 本文開始介紹了晶體管的分類與場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其次分析了晶體管的重要性及作用，最后介紹了晶體管工作原理與晶體管的檢測(cè)方法。
2018-02-01 09:18:3226531 晶體三極管有三個(gè)工作區(qū)，即放大區(qū)、截止區(qū)、飽和區(qū)。電路設(shè)計(jì)時(shí)，可根據(jù)電路的要求，讓晶體管工作在不同的區(qū)域以組成放大電路、振蕩電路、開關(guān)電路等， 如果三極管因某種原因改變了原來(lái)的正常工作狀態(tài)，就會(huì)
2018-05-07 08:35:0144696 
《晶體管電路設(shè)計(jì)》（上）是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書”之一，共分上下二冊(cè)?！?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設(shè)計(jì)》（上）作為上冊(cè)主要內(nèi)容有晶體管工作原理，放大電路的性能、設(shè)計(jì)與應(yīng)用，射極跟隨器的性能與應(yīng)用電路，小型功率放大
2018-09-11 08:00:00
0 場(chǎng)效應(yīng)晶體管，英語(yǔ)名稱為Field Effect Transistor，簡(jiǎn)稱為場(chǎng)效應(yīng)管，是一種通過(guò)對(duì)輸入回路電場(chǎng)效應(yīng)的控制來(lái)控制輸出回路電流的器件。可分為結(jié)型和絕緣柵型、增強(qiáng)型和耗盡型、N溝道和P溝道，接下來(lái)我們就以N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管為例來(lái)對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理進(jìn)行說(shuō)明。
2018-11-26 17:30:4176588 PMOS管封裝類型：SOT-23、SOP-8封裝等什么是PMOS管PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的MOS管。P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低，因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作
2018-11-27 16:46:263162 工藝的不同可分為擴(kuò)散型晶體管、合金型晶體管和平面型晶體管;其還可根據(jù)電流容量的不同、工作頻率的不同、封裝結(jié)構(gòu)的不同等分類方式分為不同的種類。但晶體管多指晶體三極管，主要分為雙極性晶體管（BJT）和場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET），接下來(lái)我們就以BJT和FET為例來(lái)講述晶體管的工作原理。
2019-04-09 14:18:3133279 電力晶體管有與一般雙極型晶體管相似的結(jié)構(gòu)、工作原理和特性。它們都是3層半導(dǎo)體，2個(gè)PN結(jié)的三端器件，有PNP和NPN這2種類型，但GTR多采用NPN型。GTR的結(jié)構(gòu)、電氣符號(hào)和基本工作原理，如圖1所示。
2019-09-02 08:57:4512962 
本文主要闡述了磁敏晶體管的工作原理及磁敏晶體管的特性。
2019-12-20 11:16:256592 
。 本文將展示四種晶體管開關(guān)電路，其中2種使用NMOS，2種使用PMOS。 在電路設(shè)計(jì)過(guò)程中，有時(shí)需要獨(dú)立控制幾個(gè)開關(guān)的通與斷。例如構(gòu)造某種波形。晶體管開關(guān)能夠?qū)崿F(xiàn)一些開關(guān)的通與斷不會(huì)影響其他開關(guān)的通與斷，即開關(guān)之間相互獨(dú)立，相互無(wú)關(guān)。常在人機(jī)交互場(chǎng)景之中有著特定
2020-09-03 15:28:3023364 
單結(jié)晶體管是半導(dǎo)體器件，又稱基極二極管，雖然有三個(gè)管腳，但它只有一個(gè)發(fā)射極和兩個(gè)基極，所以把它叫做雙基極二極管。 ? 單結(jié)晶體管工作原理： 在電路中讓基極b2和基極b1電位較正，單結(jié)晶體管處于截止
2021-08-12 14:39:149922 稱為“雙極”晶體管，是因?yàn)槠?b class="flag-6" style="color: red">工作涉及電子和空穴的流動(dòng)。 因此，它也被稱為“雙極載流子晶體管”。 與場(chǎng)效應(yīng)管的單極晶體管不同，場(chǎng)效應(yīng)管的工作模式只涉及單一類型載流子的漂移效應(yīng)，并且兩個(gè)不同的摻雜劑累積區(qū)域
2022-06-12 14:45:153221 稱為“雙極”晶體管，是因?yàn)槠?b class="flag-6" style="color: red">工作涉及電子和空穴的流動(dòng)。 因此，它也被稱為“雙極載流子晶體管”。 與場(chǎng)效應(yīng)管的單極晶體管不同，場(chǎng)效應(yīng)管的工作模式只涉及單一類型載流子的漂移效應(yīng)，并且兩個(gè)不同的摻雜劑累積區(qū)域
2022-06-17 09:04:104136 時(shí)才工作，這時(shí)發(fā)揮的是開關(guān)作用。 我們常聽到的“IC”也好“LSI”也好，都是晶體管的集合體，是晶體管構(gòu)成了其功能的基礎(chǔ)。 晶體管的工作原理 晶體管由PN結(jié)組成，通過(guò)在基極流過(guò)電流，而在集電極-發(fā)射極間流過(guò)電流。 在這里，以
2023-02-03 11:35:471218 芯片晶體管工作原理 晶體管是一個(gè)簡(jiǎn)單的組件，可以使用它來(lái)構(gòu)建許多有趣的電路。在本文中，將帶你了解晶體管是如何工作的，以便你可以在后面的電路設(shè)計(jì)中使用它們。一旦你了解了晶體管的基本知識(shí)，這其實(shí)是相當(dāng)
2023-02-08 13:58:212561 級(jí)晶體管的基極，各個(gè)晶體管集電極連接在一起，所示這種組合可視作是一個(gè)等效晶體管，其增益等于各個(gè)晶體管增益的乘積。
2023-02-19 16:30:014444 
光電晶體管是一種電子開關(guān)和電流放大部件依賴于暴露于光下操作。光電晶體管工作原理：當(dāng)光落在結(jié)上時(shí)，反向電流流動(dòng)，其與亮度成比例。光電晶體管廣泛用于檢測(cè)光脈沖并將其轉(zhuǎn)換為數(shù)字電信號(hào)。這些是通過(guò)光而不是電流操作的。
2023-05-16 15:54:12656 數(shù)字晶體管（Digital Transistor）是一種集成了基極電阻的雙極性晶體管，其工作原理類似于常規(guī)的晶體管，但其具有更高的集成性和更方便的使用方式。
2023-05-29 15:58:39519 
晶體管是一種半導(dǎo)體器件，它的工作狀態(tài)通常是通過(guò)觀察電路中電壓和電流的變化來(lái)判斷的。下面介紹幾種常用的判斷晶體管工作狀態(tài)的方法：
2023-06-03 09:42:493857 、P型半導(dǎo)體和PN結(jié)。在這篇文章中，我們將探討晶體管的工作原理、NPN晶體管和弱信號(hào)晶體管的一些特定類型。 晶體管的工作原理 晶體管的工作原理涉及到三個(gè)主要元素：基區(qū)、集電區(qū)和發(fā)射區(qū)。這三個(gè)區(qū)域都是由P型、N型半導(dǎo)體材料
2023-08-25 15:35:141806 晶體管就像電子開關(guān)一樣工作。它可以打開和關(guān)閉電流。一種簡(jiǎn)單的思考方法是將晶體管視為沒有任何活動(dòng)部件的繼電器。晶體管在某種意義上類似于繼電器，您可以使用它來(lái)打開和關(guān)閉某物。
2023-10-15 16:30:001199 
晶體管，作為現(xiàn)代電子設(shè)備的基石，其功能和工作原理一直是電子學(xué)和半導(dǎo)體物理領(lǐng)域研究的核心。芯片中的每個(gè)晶體管都是一個(gè)微型開關(guān)，負(fù)責(zé)控制電流的流動(dòng)。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，現(xiàn)代芯片上可能集成了數(shù)十億甚至數(shù)百億的晶體管。本文將探討晶體管的基本工作原理，從其構(gòu)造開始，深入解析其操作機(jī)制。
2023-10-16 10:09:131240 
PMOS和NMOS為什么不能同時(shí)打開？PMOS可以背靠背使用，那NMOS呢？ PMOS和NMOS是兩種不同的MOSFET（MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。這兩種晶體管有著不同的電性質(zhì)和工作方式，因此不能同時(shí)
2023-10-23 10:05:221022 NMOS和PMOS是常見的MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的兩種類型，它們?cè)陔娮悠骷衅鸬讲煌淖饔?。NMOS和PMOS的符號(hào)和電路結(jié)構(gòu)差異體現(xiàn)了它們的不同工作原理和特性。接下來(lái)，我們
2023-12-18 13:56:221530 
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