并聯(lián)推挽源極跟隨器電路圖
2009-08-13 15:47:09
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一 推挽逆變器的原理分析
主電路如圖1所示：
Q1，Q2理想的柵極（UG1,UG2）漏極(UD1,UD2)波形
2010-07-27 10:25:157808 
柵極驅(qū)動(dòng)電壓由觸發(fā)脈沖通過(guò)推挽輸出電路提供。當(dāng)觸發(fā)脈沖為高電平，V5 截止，推挽輸出電路基極為低電平，V3 截止，V4 導(dǎo)通，從負(fù)載抽取電流，柵極得到負(fù)壓封鎖電平。當(dāng)觸發(fā)脈沖
2012-05-03 10:26:551833 
推挽電路，有人也叫圖騰柱電路。圖騰柱我沒(méi)理解這個(gè)名字是怎么來(lái)的，但是“推挽”就比較形象了。
2023-04-25 12:32:412095 
推挽電路（push-pull）就是兩個(gè)不同極性晶體管間連接的輸出電路。推挽電路采用兩個(gè)參數(shù)相同的功率BJT管或MOSFET管，以推挽方式存在于電路中，各負(fù)責(zé)正負(fù)半周的波形放大任務(wù)，電路工作時(shí)，兩只
2023-05-25 14:09:52957 
在做信號(hào)控制以及驅(qū)動(dòng)時(shí)，為了加快控制速度，經(jīng)常要使用推挽電路。推挽電路可以由兩種結(jié)構(gòu)組成：上P下N，上N下P。其原理圖分別如下所示。
2023-06-06 14:10:01790 
N型半導(dǎo)體也稱為電子型半導(dǎo)體。N型半導(dǎo)體即自由電子濃度遠(yuǎn)大于空穴濃度的雜質(zhì)半導(dǎo)體?！?在純凈的電子發(fā)燒友體中摻入五價(jià)元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半導(dǎo)體。在N型半導(dǎo)體中
2016-10-14 15:11:56
N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體通過(guò)工藝做成PN結(jié)就是二級(jí)管。二極管只有一個(gè)PN結(jié)，為什么二極管型號(hào)要分N型二極管和P型二極管？二者有什么區(qū)別?謝謝！[此貼子已經(jīng)被作者于2009-3-10 17:19:59編輯過(guò)]
2009-03-08 17:01:37
的兩種結(jié)構(gòu)：N溝道型和P溝道型由于制造工藝的原因，P溝的MOS管通常比N溝的MOS管具有更大的導(dǎo)通電阻，這意味著導(dǎo)通功耗會(huì)更大。這是選擇時(shí)需要注意的地方。一般而言，如果是低邊開(kāi)關(guān)應(yīng)用，使用N溝MOS管
2023-02-17 14:12:55
為正時(shí)，它充當(dāng)增強(qiáng)型MOSFET。N溝道場(chǎng)效應(yīng)管與P溝道場(chǎng)效應(yīng)管介紹N溝道MOSFET的源極接地，漏極連接到負(fù)載，當(dāng)柵極施加正電壓時(shí)，F(xiàn)ET導(dǎo)通。N 溝道 MOSFET是最常用且最容易使用的。它們
2023-02-02 16:26:45
N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)示意圖和電路符號(hào)如下圖所示，用一塊摻雜濃度較低的P型硅片作為襯底，在其表面上覆蓋一層二氧化硅（SiO2）的絕緣層，再在二氧化硅層上刻出兩個(gè)窗口，通過(guò)擴(kuò)散形成兩個(gè)高
2015-06-12 09:24:41
耗盡型的MOS場(chǎng)效應(yīng)管制造過(guò)程中預(yù)先在二氧化硅的絕緣層中摻入了大量的正離子，因此，即使柵極不加電壓（UGS=0），由于靜電感應(yīng)，這些正離子產(chǎn)生的電場(chǎng)也能在P型襯底中“感應(yīng)”出足夠多的負(fù)電荷，形成
2015-06-15 18:03:40
中的自由電子是大多數(shù)載流子。在p材料中產(chǎn)生的少數(shù)自由電子和通過(guò)熱攪拌，光子和其他原因在N材料中產(chǎn)生的少數(shù)空穴（在圖1中用正方形內(nèi)的符號(hào)表示）是少數(shù)載流子?！ ?b class="flag-6" style="color: red">P-N結(jié) 手頭有N型和P型晶體，只需機(jī)械按壓即可
2023-02-23 16:46:46
P型MOS管開(kāi)關(guān)電路圖PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的MOS管。P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低，因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對(duì)值相等的情況下，PMOS晶體管的跨導(dǎo)
2021-10-28 10:07:00
本帖最后由 夜孤影 于 2019-2-2 16:25 編輯
如題所示，我設(shè)計(jì)了一個(gè)用P型，N型mosfet管來(lái)控制電機(jī)的的電路，但是在我實(shí)際所搭的電路中，N型MOSFET管控制正常，G端高電平
2019-02-02 16:24:33
相反。由于其中存在可用的P型雜質(zhì)，因此該MOSFET中的通道是預(yù)先構(gòu)建的。一旦在柵極端施加負(fù) (-) 電壓，N型中的少數(shù)電荷載流子(如電子)就會(huì)被吸引到P型溝道。在這種情況下，一旦漏極反向偏置，則器件
2022-09-27 08:00:00
是主開(kāi)關(guān)晶體管且兼具提高效率的作用。為選擇最適合電源應(yīng)用的開(kāi)關(guān)，本設(shè)計(jì)實(shí)例對(duì)P溝道和N溝道增強(qiáng)型MOSFET進(jìn)行了比較。對(duì)市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)人員，MOSFET可能代表能源傳遞最佳方案（Most Optimal
2018-03-03 13:58:23
在做推挽電路實(shí)驗(yàn)的時(shí)候，在輸出端測(cè)得的信號(hào)頂部出現(xiàn)黑塊，有沒(méi)有知道原因的，求解答
2024-03-17 09:43:05
推挽電路是兩個(gè)參數(shù)相同的三極管或MOSFET，以推挽方式存在于電路中，各負(fù)責(zé)正負(fù)半周的波形放大任務(wù)，電路工作時(shí)，兩只對(duì)稱的功率開(kāi)關(guān)管每次只有一個(gè)導(dǎo)通，所以導(dǎo)通損耗小、效率高。輸出既可以向負(fù)載灌電流，也可以從負(fù)載抽取電流。推拉式輸出級(jí)既提高電路的負(fù)載能力，又提高開(kāi)關(guān)速度。
2019-05-31 07:20:28
如圖下【1】推挽電路是不是必須要雙電源（+Vcc和-Vcc）供電才能工作？下圖的推挽電路，這樣下管接地對(duì)嗎？【2】按照下圖來(lái)分析，當(dāng)輸入U(xiǎn)i為正半周時(shí)（即工作在“推”階段時(shí)），電路容易分析，上管導(dǎo)
2019-10-12 21:32:45
描述此參考設(shè)計(jì)在單個(gè) 24 伏直流輸入電源中提供絕緣閘極雙極型晶體管 (IGBT) 閘極驅(qū)動(dòng)器所需的隔離式正負(fù)電壓軌。IGBT 在變頻驅(qū)動(dòng)器的三相逆變器中用于控制交流電機(jī)的轉(zhuǎn)速。此參考設(shè)計(jì)使用推挽式
2018-09-20 08:49:06
Q2來(lái)實(shí)現(xiàn)的，對(duì)控制電路的約束隨之增加：Q1和Q2絕不能同時(shí)使能?！窈芏嗲闆r下，串聯(lián)FET是N溝道器件。這要求控制電路產(chǎn)生一個(gè)高于HPA漏極電壓的電壓才能開(kāi)啟。控制電路的設(shè)計(jì)方法已是眾所周知且行之有效
2019-02-27 08:04:56
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
問(wèn):為什么現(xiàn)在的CMOS工藝一般都是用P襯底而不是N襯底？?jī)烧哂惺裁磪^(qū)別??？答:為什么CMOS工藝采用P襯底，而不用N襯底？這主要從兩個(gè)方面來(lái)考慮：一個(gè)是材料和工藝問(wèn)題；另一個(gè)是電氣性能問(wèn)題。P型
2012-05-22 09:38:48
的接地方式相同，結(jié)型FET放大電路也有多種接地方式。最一般的源極接地電路和自偏置電路n溝道FET的例子如下圖所示，p溝道FET電源電壓VPS(V)和電流ID(A)的方向，與此圖完全相反。FET源極接地電路
2017-04-19 15:53:29
以STM32參考手冊(cè)中的GPIO輸出配置圖為例：看到輸出驅(qū)動(dòng)器虛線框中的內(nèi)容，輸出驅(qū)動(dòng)器中的P-MOS和N-MOS兩個(gè)MOS管就是實(shí)現(xiàn)推挽輸出和開(kāi)漏輸出的關(guān)鍵。推挽輸出模式下，P-MOS和N
2022-02-28 06:48:51
LVS文件有沒(méi)有語(yǔ)句讓P型AA于N型AA之間產(chǎn)生聯(lián)系呢？
2023-03-15 10:16:42
MOSFET柵極電路常見(jiàn)的作用MOSFET常用的直接驅(qū)動(dòng)方式
2021-03-29 07:29:27
電路中采用N溝道和P溝道m(xù)os管的原因。 深度分析下該典型電路：當(dāng)漏極電壓升高，場(chǎng)效應(yīng)管的夾斷電壓也會(huì)隨之升高;當(dāng)源級(jí)的電壓變化特別是變小時(shí)，MOS管的源級(jí)電壓會(huì)伴隨著場(chǎng)效應(yīng)管的打開(kāi)與關(guān)閉實(shí)現(xiàn)電壓
2019-01-02 13:50:05
流。同理，當(dāng)二極管加上反向電壓（P端接負(fù)極，N端接正極）時(shí)，這時(shí)在P型半導(dǎo)體端為負(fù)電壓，正電子被聚集在P型半導(dǎo)體端，負(fù)電子則聚集在N型半導(dǎo)體端，電子不移動(dòng)，其PN結(jié)沒(méi)有電流通過(guò)，二極管截止。在柵極沒(méi)有
2018-10-27 11:36:33
)：10uA反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：158NS工作溫度：-55~+150℃ 1、20N20三個(gè)極怎么判定G極(gate)—柵極，不用說(shuō)，比較容易識(shí)別S極(source)—源極，無(wú)論是P溝道還是N溝道，兩條線
2021-12-28 17:08:46
燒毀。但是盡管如此，還是不能直接外接大功率器件，須加大功率及隔離電路驅(qū)動(dòng)，防止燒壞芯片或者外接器件無(wú)法正常工作。 P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管組成的單元電路使得GPIO具有
2022-12-22 18:10:27
的結(jié)果 他的電壓是從4.6V隨著時(shí)間慢慢掉到一點(diǎn)幾V，想請(qǐng)教一下 ：1.出現(xiàn)這種波形的原因 2.如果下面兩個(gè)N管都關(guān)斷，那么兩個(gè)P管的柵極電壓應(yīng)為多少
2021-06-24 06:54:43
控制柵極使mos導(dǎo)通與否，C10接了個(gè)100n的chip,原因是什么？如果跟控制開(kāi)關(guān)時(shí)間有關(guān)，為何要控制？圖中藍(lán)色是仿真的柵極的信號(hào)，下面的圖是加了小電容的結(jié)果，謝謝幫忙。
2017-06-03 08:59:36
有一個(gè)圖表代表一個(gè)電路，其目的是根據(jù)微控制器中編程的邏輯啟用/禁用兩個(gè)LED。在下面的電路中，據(jù)我所知，有兩個(gè)n型晶體管，它們分別有一個(gè)電阻連接它們的柵極和它們的源極。我的問(wèn)題是：為什么需要標(biāo)記電阻？（紅圈）
2018-08-21 10:35:11
為啥第八部視頻的mos管驅(qū)動(dòng)上管采用N管和P管，而下管采用推挽輸出，并且下管的驅(qū)動(dòng)信號(hào)為什么不直接推挽輸出的基極，而通過(guò)兩個(gè)三極管把相位取兩次反
2018-10-25 14:36:08
`推挽電路：推挽電路就是兩不同極性晶體管連接的輸出電路。推挽電路采用兩個(gè)參數(shù)相同的功率 BJT 管或MOSFET 管，以推挽方式存在于電路中，各負(fù)責(zé)正負(fù)半周的波形放大任務(wù)，電路工作時(shí)，兩只對(duì)稱的功率
2011-11-02 10:27:38
二極管的管壓降0.5v左右，同樣也應(yīng)該可以測(cè)得到電阻一般為幾千歐以內(nèi)。1.2 如何判斷MOS管是N型還是P型?2. MOS管驅(qū)動(dòng)電路分析下面是常見(jiàn)的MOS管驅(qū)動(dòng)電路（1）二極管D1的作用是什么？二極管D1在驅(qū)動(dòng)信號(hào)是低電平時(shí)起到快速關(guān)斷的作用。一般在H橋驅(qū)動(dòng)電路中需要加此二極管起到“慢開(kāi)快關(guān)
2021-12-31 06:20:08
管理3v電源的開(kāi)關(guān)，這個(gè)原理也用于電平轉(zhuǎn)換?！ ?、n型mos管應(yīng)用?！ ∫话阌糜诠芾砟?b class="flag-6" style="color: red">電路是否接地，屬于無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)，柵極高電平就導(dǎo)通導(dǎo)致接地，低電平截止。當(dāng)然柵極也可以用負(fù)電壓截止。其高電平可以高過(guò)
2019-03-08 11:04:10
對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的?！ 。ㄒ唬㎝OS管的使用優(yōu)勢(shì) MOS管是電壓控制元件
2018-11-19 15:20:28
卻高達(dá)1012~1015Ω量級(jí)。通常蓋在S和d之間的二氧化硅薄層上，形成柵極g?！ ?b class="flag-6" style="color: red">N溝道增強(qiáng)型MOS管的電路符號(hào)如圖3所示。箭頭方向表示P襯底指向N溝道，三根短線分別代表源s、漏d和襯底b。同時(shí)
2020-06-24 16:00:16
增大MOSFET柵極電阻可消除高平震蕩，是否柵極電阻越大越好，為什么？請(qǐng)你分析一下增大柵極電阻能消除高平震蕩的原因
2023-05-16 14:32:26
這是我設(shè)計(jì)的一個(gè)單片機(jī)驅(qū)動(dòng)光耦控制電機(jī)轉(zhuǎn)停的電路，大家看下電路設(shè)計(jì)對(duì)嗎？單片機(jī)在光耦驅(qū)動(dòng)位拉高引腳，輸出24V，fds9958是P型MOSFET，fds9945是n型MOSFET，fds9958 S
2018-04-24 13:09:52
是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">N溝道的RDS(on)小于P溝道的，并且通過(guò)在柵極上施加正電壓導(dǎo)通。MOSFET多數(shù)是載流子器件， N溝道MOSFET在導(dǎo)電過(guò)程中有電子流動(dòng)。 P溝道在導(dǎo)電期間使用被稱為空穴的正電荷。電子
2021-04-09 09:20:10
甚至繼電器，但電阻的驅(qū)動(dòng)是有限的，最大高電平輸出電流=(vcc-Vh)/r; 另一種是互補(bǔ)推挽輸出，采用2只晶體管，一只在上一只在下，上面的一只是n型，下面為p型(以三極管為例)，兩只管子的連接為
2019-05-24 09:07:33
松下電磁灶電路圖-KY-p2N型
2008-07-13 15:44:04
下面的P區(qū)表面。當(dāng)UGS大于UT（開(kāi)啟電壓或閾值電壓）時(shí)，柵極下P區(qū)表面的電子濃度將超過(guò)空穴濃度，使P型半導(dǎo)體反型成N型而成為反型層，該反型層形成N溝道而使PN結(jié)J1消失，漏極和源極導(dǎo)電。理解
2020-03-04 10:11:00
驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)的原因是因?yàn)轵?qū)動(dòng)電壓上限可以到VCC，而關(guān)閉電壓下限可以到GND？4.基準(zhǔn)電路用高精度電阻分壓還是用TL431，在什么場(chǎng)合TL431這種標(biāo)準(zhǔn)的基準(zhǔn)源時(shí)必須的？5.運(yùn)放跟隨、π型濾波后ADC
2022-08-19 15:05:19
請(qǐng)問(wèn)有沒(méi)有相應(yīng)的模塊能夠在不用上位機(jī)的情況下對(duì)PLC進(jìn)行數(shù)據(jù)采集
2015-04-07 18:02:45
器件。一旦在MOSFET的柵極端施加電壓，源極溝道的漏極電阻將變得更大。當(dāng)柵源電壓增加更多時(shí)，從漏極到源極的電流將減少，直到電流從漏極到源極的流動(dòng)停止。耗盡型MOSFET有兩種類(lèi)型，分別是P溝道和N溝道
2022-09-13 08:00:00
達(dá)成這樣目的的元件。我們?cè)诎雽?dǎo)體硅里進(jìn)行兩種參雜，如上圖上兩個(gè)小u型槽里進(jìn)行N型參雜，其他的地方進(jìn)行P型參雜，這樣N型參雜與P型參雜的界面會(huì)形成耗盡層。上下電路微電路一，左右連接N極的為電路二。由于
2023-02-14 15:15:13
繼續(xù)增大時(shí)，N區(qū)與P型襯底中的電子被進(jìn)一步吸附到柵極下的襯底表面，直到電子的濃度大于空穴濃度，原來(lái)兩個(gè)N區(qū)中間的P型襯底變換為N型，并將兩側(cè)的N區(qū)連通。我們把剛剛能使源-漏兩極之間能夠?qū)ǖ碾妷悍Q為
2023-02-10 15:58:00
上兩個(gè)小u型里進(jìn)行N型參雜，其他的地方進(jìn)行P型參雜，這樣N型參雜與P型參雜的界面會(huì)形成耗盡層。我們用電路連接左N級(jí)與右N極（電路一），打開(kāi)電源，根據(jù)我們上節(jié)所講的PN結(jié)，電流不能從N極到P級(jí)，所以是
2023-02-14 15:19:49
請(qǐng)問(wèn)一下大神有VN05N柵極驅(qū)動(dòng)器的替代品嗎？
2022-12-21 07:08:20
如圖所示，這個(gè)功率放大電路算推挽輸出嗎？圖中L6是變壓器。如果是推挽輸出的話為什么用的放大管是一樣的，不應(yīng)該是一個(gè)N一個(gè)P嗎？幫忙分析下
2016-12-14 16:58:35
逆變電路幾種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，半橋不是推挽的一種嗎？半橋和推挽的原理，誰(shuí)來(lái)普及下！
2022-12-15 18:59:30
的P型半導(dǎo)體中（見(jiàn)圖b），形成電流以使源極和漏極之間導(dǎo)通。我們也可以想象成兩個(gè)N型半導(dǎo)體之間有一條溝，柵極電壓的建立就相當(dāng)于在它們之間架起了一座橋梁，電橋的大小由柵極電壓的大小決定。
2021-12-02 16:30:54
`描述此參考設(shè)計(jì)在單個(gè) 24 伏直流輸入電源中提供絕緣閘極雙極型晶體管 (IGBT) 閘極驅(qū)動(dòng)器所需的隔離式正負(fù)電壓軌。IGBT 在變頻驅(qū)動(dòng)器的三相逆變器中用于控制交流電機(jī)的轉(zhuǎn)速。此參考設(shè)計(jì)使用推挽
2015-03-23 14:35:34
`描述此參考設(shè)計(jì)在單個(gè) 24 伏直流輸入電源中提供絕緣閘極雙極型晶體管 (IGBT) 閘極驅(qū)動(dòng)器所需的隔離式正負(fù)電壓軌。IGBT 在變頻驅(qū)動(dòng)器的三相逆變器中用于控制交流電機(jī)的轉(zhuǎn)速。此參考設(shè)計(jì)使用推挽
2015-04-27 17:31:57
DESAT 檢測(cè)和米勒鉗位保護(hù)的增強(qiáng)型隔離式 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器，支持將單極電源電壓用于柵極驅(qū)動(dòng)器。此參考設(shè)計(jì)將基于開(kāi)環(huán)推挽式拓?fù)涞碾娫从糜诿總€(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器，從而使 PCB 布線具有靈活性。在
2018-10-19 15:30:07
電子管音頻放大器技術(shù)基礎(chǔ)(十五)-推挽功放中的倒相電路:存推挽功率放大器中，要完成兩只功放電了．管的推挽工作，必須在兩只功放管的柵極輸入幅度相等、相位相反的推動(dòng)信
2009-12-12 08:30:55
228 本文分析了以電阻為負(fù)載的傳統(tǒng)三也TTL反相器的缺點(diǎn)，借鑒二值TTL推挽輸出極結(jié)構(gòu)，設(shè)計(jì)了三值TTL電路的推挽輸出級(jí)．用SPICE I對(duì)設(shè)計(jì)電路的計(jì)算機(jī)模擬明，具有推挽輸出結(jié)椅的三值T
2010-04-30 10:16:4225 哈曼卡頓A250推挽電路圖
2007-11-18 22:20:252430 
哈曼卡頓citation II推挽電路圖
2007-11-18 22:23:102548 
推挽放大電路圖三例
2007-11-25 12:09:352401 
6p3p推挽電路圖
2008-03-31 12:48:1121258 
6n5p推挽電路圖
6p9p+6n5p推挽電路圖
6n5p推挽電路圖
2008-03-31 12:54:0511973 
6p9p推挽電路圖
2008-03-31 12:55:208268 
推挽開(kāi)漏
推挽電路（互補(bǔ)型電路），用兩個(gè)參數(shù)相同的三極管或MOSFET,以推挽方式存在於電路中,各負(fù)責(zé)正負(fù)半周的波形放
2008-06-30 16:30:132304
FD422推挽電路
2009-01-24 01:02:2110634 
自激推挽逆變電路圖
2009-05-06 14:25:234557 
推挽型變換器的電路
圖：推挽型變換電路S1和S2輪流導(dǎo)通，將在二次側(cè)產(chǎn)生交
2009-05-12 20:56:061514 
推挽型與半橋型變換電路
（a）推挽型 &
2009-07-25 08:55:585627 
推挽源極跟隨器電路圖
2009-08-08 16:47:211043 
4并聯(lián)推挽源極跟隨器電路圖
2009-08-13 15:42:47689 
推挽式單相逆變電路
很簡(jiǎn)單的單相
2010-03-03 16:05:224036 
IGBT的柵極出現(xiàn)過(guò)壓的原因: 1.靜電聚積在柵極電容上引起過(guò)壓.
2011-01-29 19:18:352679 
推挽式電路是一種放大電路，它按功放輸出級(jí)放大元件的數(shù)量，可以分為單端放大器和推挽放大器。
2017-05-18 14:56:1611736 
分享幾款6n5推挽電路圖，包括6n5推挽電路圖、6n5P推挽電路圖、6N16B推挽電路圖、6N11+6N5推挽電路圖、6T1+6N15推挽電路圖等推挽電路圖。
2017-11-02 16:02:4624799 
推挽放大電路、推挽放大電路工作原理、A類(lèi)放大電路、B類(lèi)放大電路、AB類(lèi)放大電路、如何降低推挽放大電路的交叉失真。
2023-01-31 13:20:168800 在做信號(hào)控制以及驅(qū)動(dòng)時(shí)，為了加快控制速度，經(jīng)常要使用推挽電路。推挽電路可以由兩種結(jié)構(gòu)組成：分別是上P下N，以及上N下P。其原理圖如下所示，
2023-02-02 09:12:13507 在做信號(hào)控制以及驅(qū)動(dòng)時(shí)，為了加快控制速度，經(jīng)常要使用推挽電路。 推挽電路可以由兩種結(jié)構(gòu)組成：分別是上P下N，以及上N下P。 其原理圖如下所示。
2023-03-13 14:04:2312451 
推挽電路是由兩個(gè)三極管或MOSFET，以推挽方式存在于電路中，電路工作時(shí)，兩只對(duì)稱的開(kāi)關(guān)管每次只有一個(gè)導(dǎo)通，所以導(dǎo)通損耗小、效率高、既提高電路的負(fù)載能力，又提高開(kāi)關(guān)速度。
2023-03-14 15:58:179767 
上節(jié)介紹了差分電路的中間級(jí)，這節(jié)給差分電路加上推挽電路（功率輸出），如圖。
2023-04-25 15:46:441355 
上節(jié)我們給差分電路加入一個(gè)簡(jiǎn)單的推挽電路，如圖。
2023-04-25 15:47:37761 
推挽電路，有人也叫圖騰柱電路。圖騰柱我沒(méi)理解這個(gè)名字是怎么來(lái)的，但是“推挽”就比較形象了。
2023-05-16 09:33:015345 
在做信號(hào)控制以及驅(qū)動(dòng)時(shí)，為了加快控制速度，經(jīng)常要使用推挽電路。推挽電路可以由兩種結(jié)構(gòu)組成：上P下N，上N下P。其原理圖分別如下所示。
2023-05-17 09:33:59929 
在做信號(hào)控制以及驅(qū)動(dòng)時(shí)，為了加快控制速度，經(jīng)常要使用推挽電路。推挽電路可以由兩種結(jié)構(gòu)組成：分別是上P下N，以及上N下P。
2023-05-23 18:20:191183 
IGBT器件柵極電壓波形振蕩的原因？
2023-09-16 08:32:131715 
MOSFET柵極電路電壓對(duì)電流的影響？MOSFET柵極電路電阻的作用？ MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。在MOSFET中，柵極電路的電壓和電阻
2023-10-22 15:18:121369 推挽電路的坑，你踩過(guò)沒(méi)？
2023-11-24 16:25:06498 
柵極型推挽電路為什么不用上P下N
2023-12-07 16:11:072450 
在音頻放大器中，推挽電路常用于放大音頻信號(hào)，并驅(qū)動(dòng)揚(yáng)聲器以產(chǎn)生清晰的聲音。推挽電路能夠輸出較大的電流，適合驅(qū)動(dòng)揚(yáng)聲器等需要較大驅(qū)動(dòng)能力的負(fù)載。
2024-02-05 17:31:14682
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