日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都)開發(fā)出耐壓40V的功率MOSFET ，最適合用于以工業(yè)設(shè)備和車載領(lǐng)域?yàn)橹行牡?、輸入電?4V的DC/DC轉(zhuǎn)換器。
2012-08-08 09:18:23
1141 日本近期傳出日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成立功率元件促進(jìn)協(xié)會(huì)（Power Device Enabling Association，PDEA），主要的原因在于，日本在功率元件的技術(shù)發(fā)展，約略落后全球的平均水平
2013-08-06 10:08:38696 功率半導(dǎo)體器件是日本的優(yōu)勢(shì)領(lǐng)域。如今在這個(gè)領(lǐng)域，中國(guó)的實(shí)力正在快速壯大。日本要想在這個(gè)領(lǐng)域繼續(xù)保持強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)力，重要的是大力研發(fā)SiC、GaN、組裝等關(guān)鍵技術(shù)，以確保日本的優(yōu)勢(shì)地位，并且向開發(fā)高端IGBT產(chǎn)品轉(zhuǎn)型，以避開MOSFET領(lǐng)域的價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)。
2016-05-12 10:17:464462 點(diǎn)擊: 功率半導(dǎo)體器件 &
2008-08-03 17:05:29
功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用手冊(cè)功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用手冊(cè)——彎腳及焊接應(yīng)注意的問題本文將向您介紹大家最關(guān)心的有關(guān)TSE功率半導(dǎo)體器件封裝的兩個(gè)問題：一、 怎樣彎腳才能不影響器件的可靠性？二、 怎樣確保焊接
2008-08-12 08:46:34
電力電子器件（Power Electronic Device），又稱為
功率半導(dǎo)體器件，用于電能變換和電能控制電路中的大
功率(通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安，電壓為數(shù)百伏以上)電子器件?？梢苑譃榘肟匦推骷?/div>
2021-09-09 06:29:58
功率半導(dǎo)體基本開關(guān)原理
2011-05-03 22:07:52
功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(功率MOSFET，常簡(jiǎn)寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡(jiǎn)寫為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
功率半導(dǎo)體的工作原理.資料來自網(wǎng)絡(luò)資源分享
2021-08-06 22:54:59
，東興證券研究所國(guó)內(nèi)廠家有望在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)逐步替代。MDD是國(guó)內(nèi)少數(shù)采用了“Fabless+封裝測(cè)試”模式的半導(dǎo)體品牌，15年的行業(yè)深耕，一直專注于半導(dǎo)體領(lǐng)域。在科技研發(fā)與創(chuàng)新的基礎(chǔ)上，積累
2022-11-11 11:15:56
近年來，全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國(guó)轉(zhuǎn)移。目前,我國(guó)已經(jīng)成為全球最重要的半導(dǎo)體功率器件封測(cè)基地。如IDM類（吉林華微電子、華潤(rùn)微電子、杭州士蘭微電子、比亞迪股份、株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體
2021-07-12 07:49:57
各位大神，小弟目前有一個(gè)項(xiàng)目，需要單片機(jī)控制半導(dǎo)體制冷塊控制降溫，受成本所限不能使用開關(guān)電源，想請(qǐng)問各位大神如何設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路，目的是講交流220V電源變?yōu)?2V直流輸出，用以控制半導(dǎo)體制冷塊工作，半導(dǎo)體型號(hào)TEC12710,需要什么樣的變壓器能夠實(shí)現(xiàn)功能，請(qǐng)各位大神不吝賜教，小弟新手，請(qǐng)見諒
2018-09-03 15:38:06
摘要 : 導(dǎo)讀：ASEMI半導(dǎo)體這個(gè)品牌自打建立以來，就一直不間斷在研發(fā)半導(dǎo)體各類元器件，在半導(dǎo)體的制程和原理上可謂已經(jīng)是精益求精，今天ASEMI半導(dǎo)體要和大家一起分享的，就是這個(gè)半導(dǎo)體的制程導(dǎo)讀
2018-11-08 11:10:34
。 電機(jī)控制IC：爭(zhēng)奇斗艷 家用電器是中國(guó)最先推廣節(jié)能標(biāo)準(zhǔn)及標(biāo)識(shí)的產(chǎn)品，家電電力消耗的主力是電機(jī)，電機(jī)的高效、節(jié)能成為大勢(shì)所趨，家電電機(jī)控制IC于是成為半導(dǎo)體企業(yè)的新熱點(diǎn)。目前用于電機(jī)控制的IC產(chǎn)品主要
2019-06-21 07:45:46
半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體的功能分類集成電路的四大類
2021-02-24 07:52:52
請(qǐng)教下以前的[半導(dǎo)體技術(shù)天地]哪里去了
2020-08-04 17:03:41
半導(dǎo)體材料從發(fā)現(xiàn)到發(fā)展，從使用到創(chuàng)新，擁有這一段長(zhǎng)久的歷史。宰二十世紀(jì)初，就曾出現(xiàn)過點(diǎn)接觸礦石檢波器。1930年，氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應(yīng)用，是半導(dǎo)體材料開始受到重視。1947年鍺點(diǎn)接觸三極管制成，成為半導(dǎo)體的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
半導(dǎo)體激光焊錫電源 連續(xù)直接輸出激光器 高功率高精度電源直接半導(dǎo)體激光器輸出功率涵蓋10W至500W，具有更高的電光轉(zhuǎn)換效率，輸出功率穩(wěn)定。200W以下的直接半導(dǎo)體激光器采用緊湊的內(nèi)部溫控方式實(shí)現(xiàn)
2021-12-29 08:00:42
功率半導(dǎo)體的熱管理對(duì)于元件運(yùn)行的可靠性和使用壽命至關(guān)重要。本設(shè)計(jì)實(shí)例介紹的愛普科斯(EPCOS)負(fù)溫度系數(shù)(NTC)和正溫度系數(shù)(PTC)熱敏電阻系列，可以幫助客戶可靠地監(jiān)測(cè)半導(dǎo)體元件的溫度。
2020-08-19 06:50:50
半導(dǎo)體直接輸出激光器介紹研制的直接半導(dǎo)體激光器輸出功率涵蓋10W至500W，具有更高的電光轉(zhuǎn)換效率，輸出功率穩(wěn)定。200W以下的直接半導(dǎo)體激光器采用緊湊的內(nèi)部溫控方式實(shí)現(xiàn)小型化、便攜化，適用于錫焊
2021-12-29 06:21:30
國(guó)際半導(dǎo)體芯片巨頭壟斷加劇半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)三大趨勢(shì)
2021-02-04 07:26:49
，時(shí)間證明‘可編程’的趨勢(shì)已經(jīng)發(fā)生，并且還將繼續(xù)在更多領(lǐng)域發(fā)酵，并最終替代ASSP和ASIC。” 除了可編程性之外，Daane還總結(jié)了半導(dǎo)體行業(yè)的4大趨勢(shì)：持續(xù)增加的研發(fā)成本、更大的差異化、無(wú)限的帶寬
2019-06-25 06:31:51
日本生產(chǎn)的半導(dǎo)體分立器件，由五至七部分組成。通常只用到前五個(gè)部分，其各部分的符號(hào)意義如下： 第一部分：用數(shù)字表示器件有效電極數(shù)目或類型。0-光電（即光敏）二極管三極管及上述器件的組合管、1-二極管
2021-05-28 07:23:05
電力半導(dǎo)體器件的分類
2019-09-19 09:01:01
模塊化，按最初的定義是把兩個(gè)或兩個(gè)以上的電力半導(dǎo)體芯片按一定的電路結(jié)構(gòu)相聯(lián)結(jié)，用RTV、彈性硅凝膠、環(huán)氧樹脂等保護(hù)材料，密封在一個(gè)絕緣的外殼內(nèi)，并且與導(dǎo)熱底板相絕緣而成的。
2019-11-11 09:02:31
GaNFast功率半導(dǎo)體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
智能電表芯片單片集成開發(fā)智能電表所需的全部重要功能，能夠滿足多個(gè)智能電網(wǎng)市場(chǎng)的需求。這些電表連接消費(fèi)者和供電公司，提供實(shí)時(shí)電能計(jì)量和用電數(shù)據(jù)分析功能。意法半導(dǎo)體亞太區(qū)功率分立器件和Sub Analog
2018-03-08 10:17:35
在研究雷達(dá)探測(cè)整流器時(shí)，發(fā)現(xiàn)硅存在PN結(jié)效應(yīng)，1958年美國(guó)通用電氣（GE）公司研發(fā)出世界上第一個(gè)工業(yè)用普通晶閘管，標(biāo)志著電力電子技術(shù)的誕生。從此功率半導(dǎo)體器件的研制及應(yīng)用得到了飛速發(fā)展，并快速成長(zhǎng)為
2019-02-26 17:04:37
韓國(guó)《每日經(jīng)濟(jì)新聞》3月15日消息，三星電子已在日本建立一個(gè)新的半導(dǎo)體研發(fā)中心，將現(xiàn)有的兩個(gè)研發(fā)機(jī)構(gòu)合二為一，旨在推進(jìn)其芯片技術(shù)并雇傭更多優(yōu)秀研發(fā)人員。據(jù)報(bào)道，三星電子于去年年底重組在日本橫濱和大阪
2023-03-15 14:04:55
在接下來的幾周內(nèi)，安森美半導(dǎo)體的專家將在路上，幫助設(shè)計(jì)工程師在美國(guó)和加拿大的五個(gè)地點(diǎn)解決他們的電源應(yīng)用挑戰(zhàn)。安森美半導(dǎo)體的電力研討會(huì)側(cè)重于技術(shù)和技術(shù)，而非產(chǎn)品。我們邀請(qǐng)您與我們的電源專家會(huì)面，探討
2018-10-29 08:57:06
蹦出來一個(gè)叫“三星”的企業(yè)，專門生產(chǎn)電腦用半導(dǎo)體。這時(shí)的日本企業(yè)仍然以穩(wěn)坐泰山的架勢(shì)，持續(xù)地為計(jì)算機(jī)等企業(yè)提供低價(jià)及25年保質(zhì)期的產(chǎn)品。對(duì)于三星甚至美國(guó)的研發(fā)及生產(chǎn)能力，是輕視的。加上日本企業(yè)體制的僵化
2018-11-16 13:59:37
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
直接影響轉(zhuǎn)換器的體積、功率密度和成本?！ ∪欢褂玫?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體開關(guān)遠(yuǎn)非理想，并且由于開關(guān)轉(zhuǎn)換期間電壓和電流之間的重疊而存在開關(guān)損耗。這些損耗對(duì)轉(zhuǎn)換器工作頻率造成了實(shí)際限制。諧振拓?fù)淇梢酝ㄟ^插入額外的電抗
2023-02-21 16:01:16
什么是堆疊式共源共柵？低阻抗功率半導(dǎo)體開關(guān)有哪些關(guān)鍵特性？低阻抗功率半導(dǎo)體開關(guān)有哪些應(yīng)用優(yōu)勢(shì)？
2021-06-26 06:14:32
，東興證券研究所國(guó)內(nèi)廠家有望在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)逐步替代。MDD是國(guó)內(nèi)少數(shù)采用了“Fabless+封裝測(cè)試”模式的半導(dǎo)體品牌，15年的行業(yè)深耕，一直專注于半導(dǎo)體領(lǐng)域。在科技研發(fā)與創(chuàng)新的基礎(chǔ)上，積累
2022-11-11 11:50:23
，東興證券研究所國(guó)內(nèi)廠家有望在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)逐步替代。MDD是國(guó)內(nèi)少數(shù)采用了“Fabless+封裝測(cè)試”模式的半導(dǎo)體品牌，15年的行業(yè)深耕，一直專注于半導(dǎo)體領(lǐng)域。在科技研發(fā)與創(chuàng)新的基礎(chǔ)上，積累
2022-11-11 11:46:29
變速驅(qū)動(dòng)的需求是什么兼顧性能、成本的高壓功率半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)IC應(yīng)用
2021-04-21 07:06:40
升級(jí)到半橋GaN功率半導(dǎo)體
2023-06-21 11:47:21
德國(guó)PHOTONTEC公司生產(chǎn)的大功率半導(dǎo)體激光器PHOTONTEC能為您解決在泵浦、激光醫(yī)療、激光加工等應(yīng)用領(lǐng)域的需求。PHOTONTEC公司能為您提供量身定制的解決方案
2009-12-08 09:34:25
半導(dǎo)體激光器不僅能夠滿足客戶的多樣化需求，而且能夠提供個(gè)性化的專業(yè)定制。目前激光器的輸出接頭在低功率應(yīng)用方面提供S
2021-12-29 07:24:31
想用半導(dǎo)體制冷片制作小冰箱，需要用到大功率電源，半導(dǎo)體制冷片，還有散熱系統(tǒng)，單片機(jī)控制系統(tǒng)，能調(diào)溫度，還能顯示溫度，具體的思路已經(jīng)有了，想問問你們有沒好點(diǎn)的意見，能盡量提高點(diǎn)效率還有溫度調(diào)節(jié)的精度
2020-08-27 08:07:58
4月2日下午，小米集團(tuán)發(fā)布組織架構(gòu)調(diào)整郵件，稱為了配合公司AIoT戰(zhàn)略加速落地，推動(dòng)芯片研發(fā)業(yè)務(wù)更快發(fā)展，小米旗下的全資子公司松果電子團(tuán)隊(duì)進(jìn)行重組。其中部分團(tuán)隊(duì)分拆組建新公司南京大魚半導(dǎo)體，并開始
2021-07-29 08:10:33
4月2日下午，小米集團(tuán)發(fā)布組織架構(gòu)調(diào)整郵件，稱為了配合公司AIoT戰(zhàn)略加速落地，推動(dòng)芯片研發(fā)業(yè)務(wù)更快發(fā)展，小米旗下的全資子公司松果電子團(tuán)隊(duì)進(jìn)行重組。其中部分團(tuán)隊(duì)分拆組建新公司南京大魚半導(dǎo)體，并開始
2021-07-29 07:00:14
；第五部分表示規(guī)格。具體規(guī)定見表 3.1 所示。2.日本常用半導(dǎo)體器件的型號(hào)命名標(biāo)準(zhǔn) 3.美國(guó)常用半導(dǎo)體器件的型號(hào)命名標(biāo)準(zhǔn) 4.常用的整流二極管型號(hào)及性能 5.硅高頻小功率三極管參數(shù) 6.部分國(guó)外硅高頻
2017-11-06 14:03:02
的是門控功率半導(dǎo)體器件。目前，GTO的最高研究水平為6in、6kV / 6kA以及9kV/10kA。為了滿足電力系統(tǒng)對(duì)1GVA以上的三相逆變功率電壓源的需要，近期很有可能開發(fā)出10kA/12kV的GTO
2019-03-03 07:00:00
常用的功率半導(dǎo)體器件有哪些？
2021-11-02 07:13:30
`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用交流會(huì)”將于7月16日在浙江大學(xué)玉泉校區(qū)舉辦。寬禁帶半導(dǎo)體電力電子技術(shù)的應(yīng)用、寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術(shù)
2017-07-11 14:06:55
新冠病毒對(duì)世界
半導(dǎo)體影響全球疫情還在蔓延，根據(jù)2020年2月27日的疫情統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，韓國(guó)累計(jì)確診感染者達(dá)到1595人，
日本感染者達(dá)894人。一衣帶水的日韓疫情兇猛，也牽動(dòng)著全球
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的脈搏，因?yàn)?/div>
2020-02-27 10:45:14
`根據(jù)Yole Developpement指出，氮化鎵(GaN)組件即將在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)快速發(fā)展，從而使專業(yè)的半導(dǎo)體企業(yè)受惠；另一方面，他們也將會(huì)發(fā)現(xiàn)逐漸面臨來自英飛凌(Infineon)/國(guó)際
2015-09-15 17:11:46
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
求購(gòu)ML7345C日本藍(lán)碧石半導(dǎo)體，量大價(jià)格是多少，這么聯(lián)系
2016-06-28 08:11:30
、日本等國(guó)家和組織啟動(dòng)了至少12項(xiàng)研發(fā)計(jì)劃，總計(jì)投入研究經(jīng)費(fèi)達(dá)到6億美元。借助各國(guó)***的大力支持，自從1965年第一支GaAs晶體管誕生以來，化合物半導(dǎo)體器件的制造技術(shù)取得了快速的進(jìn)步，為化合物半導(dǎo)體
2019-06-13 04:20:24
電源管理半導(dǎo)體的新進(jìn)展1979年電力電子學(xué)會(huì)在我國(guó)成立，此后，人們開始把用于大功率方向的器件稱為電力半導(dǎo)體。由于微電子學(xué)把相關(guān)的器件稱為微電子器件，從而也有了電力電子器件之稱。電力半導(dǎo)體和電力
2009-12-11 15:47:08
超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2019年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)7562億元
2021-01-12 11:48:45
，同時(shí)提高了變換效率。為了滿足更高工作頻率及更高功率等級(jí)的要求，IR(International Rectifier)公司研發(fā)出首款功率MOSFET，接下來的二十年，功率半導(dǎo)體器件進(jìn)入一個(gè)蓬勃發(fā)展
2021-03-25 14:09:37
`泰科天潤(rùn)招聘貼~研發(fā)工程師崗位職責(zé)：1.半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)；2.半導(dǎo)體工藝開發(fā)；3.研究SiC功率器件方面的最新進(jìn)展，包括研究文獻(xiàn)、新設(shè)計(jì)、新技術(shù)、新產(chǎn)品等；4.協(xié)助小組項(xiàng)目開發(fā)。任職要求：1.本科
2018-03-12 16:24:28
集成嵌入式功率半導(dǎo)體在電動(dòng)車窗中有何應(yīng)用？
2021-05-14 06:11:55
韓國(guó)安山市-2013年3月11日，-首爾半導(dǎo)體株式會(huì)社是一家韓國(guó)專業(yè)LED封裝公司，首爾半導(dǎo)體公司發(fā)布新開發(fā)出的0.6T側(cè)發(fā)光LED，光通量達(dá)到8.8lm，具備目前全世界同類產(chǎn)品當(dāng)中最高的亮度，從而
2013-03-12 17:50:50
第1章 電力半導(dǎo)體器件 1.1 電力半導(dǎo)體器件種類與特點(diǎn) 1.2 功率二極管 1.3 功率晶體管 1.4 功率場(chǎng)效應(yīng)管 1.5 絕緣柵極雙極型晶體管 1.6 晶閘
2010-12-05 21:53:02
34 功率半導(dǎo)體的工作原理除了少數(shù)特殊的應(yīng)用之外，功率半導(dǎo)體主要工作在開關(guān)狀態(tài)下。這一事實(shí)應(yīng)用于所有電力電子線路中，它們的基本原理和工作方式是相同的。對(duì)于任何功
2011-01-03 16:29:55100
FE的分檔標(biāo)志。
表12 日本半導(dǎo)體器件型號(hào)命名法
2008-12-19 01:20:061246 
飛兆半導(dǎo)體開發(fā)出一款集成漏電流感測(cè)功能的功率開關(guān)FSGM0565R
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)響應(yīng)客戶對(duì)能夠降低離線電源的待機(jī)功耗并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)的解決方案的需求
2010-02-05 08:34:25857 飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)出FSL1x6系列綠色模式飛兆功率開關(guān) (FPS)器件，這些集成式PWM控制器帶有專有的綠色模式功能，提供了先進(jìn)的間歇模式控制
2011-04-27 08:58:221422 日本愛發(fā)科面向硅基板上制作的功率半導(dǎo)體等，開發(fā)出了通過濺射法實(shí)現(xiàn)原來使用蒸鍍法及印刷法的“焊錫成膜工序”。該方法可將各種器件的電極膜使用的Au膜換成通過濺射成膜的焊錫
2012-03-16 10:14:52765 汽車動(dòng)力操控（Power Steering）系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師需要可提供更高效率和更好功率控制的解決方案?？旖?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體公司（Fairchild Semiconductor） 的40V N 通道 PowerTrench MOSFET 產(chǎn)品可協(xié)助設(shè)計(jì)者應(yīng)對(duì)這
2012-12-05 09:12:22929 7日，韓國(guó)科學(xué)技術(shù)研究研發(fā)出一種可彎曲的高韌性半導(dǎo)體，該半導(dǎo)體可應(yīng)用于手機(jī)處理器（AP），大容量存儲(chǔ)器和無(wú)線通信器件中。
2013-05-09 09:50:09732 日本《鉆石》周刊6月8日刊登了日本早稻田大學(xué)商務(wù)金融研究中心顧問野口悠紀(jì)雄的一篇文章，題為《日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)衰退的根本原因是什么？》。普遍認(rèn)為，日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)衰退的原因在于技術(shù)流出和投資決策失誤，但作者則認(rèn)為關(guān)鍵不在于此?，F(xiàn)將文章摘編如下：
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