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磨片時(shí)，需要在正面（Active Area）貼膠帶保護(hù)電路區(qū)域? ? ?同時(shí)研磨背面。研磨之后，去除膠帶，測(cè)量厚度；
BGA? Package Structure
?
SIDE VIEW
Typical? Assembly Process Flow
FOL– Front of Line前段工藝
FOL– Front of Line? ?Wafer
【W(wǎng)afer】晶圓
FOL– Back Grinding背面減薄
將從晶圓廠出來的Wafer進(jìn)行背面研磨，來減薄晶圓達(dá)到 ? ?封裝需要的厚度（5mils~10mils）；
磨片時(shí)，需要在正面（Active Area）貼膠帶保護(hù)電路區(qū)域? ? ?同時(shí)研磨背面。研磨之后，去除膠帶，測(cè)量厚度；
FOL– Wafer Saw晶圓切割
目的：
將晶圓粘貼在藍(lán)膜（Tape）上，使得即使被切割開后，不會(huì)散落；
通過Saw Blade將整片Wafer切割成一個(gè)個(gè)獨(dú)立的Dice，方便后面的? Die Attach等工序；
Wafer Wash主要清洗Saw時(shí)候產(chǎn)生的各種粉塵，清潔Wafer；
FOL– Back Grinding背面減薄
FOL– Wafer Saw晶圓切割
FOL– Optical Inspection
主要是針對(duì)Wafer Saw之后在顯微鏡下進(jìn)行Wafer的外觀檢查，是否有出現(xiàn)不良產(chǎn)品。
Chipping Die 崩 邊
FOL– Die Attach 芯片粘接
FOL– Die Attach 芯片粘接
芯片拾取過程：
1、Ejector Pin從wafer下方的Mylar頂起芯片，使之便于脫離藍(lán)膜；
2、Collect/Pick up head從上方吸起芯片，完成從Wafer到L/F的運(yùn)輸過程；
3、Collect以一定的力將芯片Bond在點(diǎn)有銀漿的L/F的Pad上，具體位置可控；
4、Bond Head Resolution：X-0.2um；Y-0.5um；Z-1.25um；
5、Bond Head Speed：1.3m/s；
FOL– Die Attach 芯片粘接
FOL– Epoxy Cure 銀漿固化，檢驗(yàn)
FOL– Wire Bonding 引線焊接
利用高純度的金線（Au） 、銅線（Cu）或鋁線（Al）把 Pad ?? 和 Lead通過焊接的方法連接起來。Pad是芯片上電路的外接? ? 點(diǎn)，Lead是 Lead Frame上的 連接點(diǎn)。
W/B是封裝工藝中最為關(guān)鍵的一部工藝。
FOL– Wire Bonding 引線焊接
【Gold Wire】焊接金線
實(shí)現(xiàn)芯片和外部引線框架的電性和物理連接；
金線采用的是99.99%的高純度金；
同時(shí)，出于成本考慮，目前有采用銅線和鋁線工藝的。銅鋁線優(yōu)點(diǎn)是成本降低，同時(shí)工藝難度加大，良率降低；
線徑?jīng)Q定可傳導(dǎo)的電流；0.8mil，1.0mil，1.3mils，1.5mils和2.0mils；
FOL– Wire Bonding 引線焊接
Key Words：
Capillary：陶瓷劈刀。W/B工藝中最核心的一個(gè)Bonding Tool，內(nèi)部為空心，中間穿上金線，并分別在芯片的Pad和Lead Frame的Lead上形成第一和第二焊點(diǎn)；
EFO：打火桿。用于在形成第一焊點(diǎn)時(shí)的燒球。打火桿打火形成高溫，將外露于Capillary前端的金線高溫熔化成球形，以便在Pad上形成第一焊點(diǎn)（Bond Ball）；
Bond Ball：第一焊點(diǎn)。指金線在Cap的作用下，在Pad上形成的焊接點(diǎn)，一般為一個(gè)球形；
Wedge：第二焊點(diǎn)。指金線在Cap的作用下，在Lead Frame上形成的焊接點(diǎn)，一般為月牙形（或者魚尾形）；
W/B四要素：壓力（Force）、超聲（USG Power）、時(shí)間（Time）、溫度（Temperature）；
FOL– Wire Bonding 引線焊接
FOL– Wire Bonding 引線焊接
FOL– Wire Bonding 引線焊接
FOL–Optical Inspection 檢查
檢查Die Attach和Wire Bond之后有無(wú)各種廢品
正常品
Material Problem
1st Bond Fail ( I )
Peeling
1st Bond Fail (II)
Ball Lift
1st Bond Fail ( III )
Neck Crack
1st Bond Fail (IV)
Off Center Ball
1st Bond Fail (V)
Smash Ball
Bonding Weld Inspection
Weld Detection
2nd Bond Fail ( II )
Looping Fail(Wire Short I)
Looping Fail(Wire Short II)
Loop Base Bend
Looping Fail(Wire Short III)
Excessive Loop
EOL– End of Line后段工藝
EOL– Molding（注塑）
【Mold Compound】塑封料/環(huán)氧樹脂
主要成分為：環(huán)氧樹脂及各種添加劑（固化劑，改性劑，脫? ?模劑，染色劑，阻燃劑等）；
主要功能為：在熔融狀態(tài)下將Die和金絲等包裹起來，提供物理和電氣保護(hù)，防止外界干擾；
存放條件：零下5°保存，常溫下需回溫24小時(shí)；
EOL– Molding（注塑）
為了防止外部環(huán)境的沖擊，利用EMC把Wire Bonding完成后的產(chǎn)品封裝起來的過程，并需要加熱硬化。
EOL– Molding（注塑）
EMC（塑封料）為黑色/白色塊狀，低溫存儲(chǔ)，使用前需先回溫。其特性為：在高溫下先處于熔融狀態(tài)，然后會(huì)逐漸硬化，最終成型。
Molding參數(shù)：
Molding Temp：175~185°C；
Clamp Pressure：3000~4000N；??
Transfer Pressure：1000~1500Psi；
Transfer Time：5~15s；Cure Time：60~120s；
EOL– Molding（注塑）
下壓式注塑
EOL– Molding（注塑）
常見之Molding 缺陷
充填不良 ( Incomplete Fill )
黏膜 ( Sticking )
氣孔 ( Void/Blister )
金線歪斜 ( Wire Sweep )
晶片座偏移 ( Pad Shift )
表面針孔 ( Rough Surface in Pin Hole)
流痕 ( Flow Mark )
溢膠 ( Resin Bleed )
EOL– Post Mold Cure（模后固化）
用于Molding后塑封料的固化，保護(hù)產(chǎn)品內(nèi)部結(jié)構(gòu)，消除內(nèi)部應(yīng)力。
Cure Temp：175+/-5°C；Cure Time：4—8Hrs
EOL– Laser Mark（激光打字）
EOL– Ball Attach? 植球
EOL– Ball Attach? 植球
EOL– Singulation
將整條CLAER 完畢之SUBSTRATE產(chǎn)品，切割成單顆的正式 BGA 產(chǎn)品
EOL– Test? 測(cè)試
根據(jù)測(cè)試程式檢測(cè)產(chǎn)品的功能、元器件的連接情況等
EOL– Final Visual Inspection（終檢）
Final Visual Inspection-FVI
在低倍放大鏡下，對(duì)產(chǎn)品外觀進(jìn)行檢查。主要針對(duì)EOL工藝可能產(chǎn)生的廢品：例如Molding缺陷，切單缺陷和植球缺陷等；
EOL– Packing 包裝
按照一定的批次數(shù)量等 裝箱出貨
編輯：黃飛
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論