在半導(dǎo)體器件制造中，蝕刻指的是從襯底上的薄膜選擇性去除材料并通過這種去除在襯底上產(chǎn)生該材料的圖案的任何技術(shù)，該圖案由抗蝕刻工藝的掩模限定，其產(chǎn)生在光刻中有詳細(xì)描述，一旦掩模就位，可以通過濕法化學(xué)或“干法”物理方法對(duì)不受掩模保護(hù)的材料進(jìn)行蝕刻，圖1顯示了這一過程的示意圖。
2022-07-06 17:23:52
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目前為止，在日常生活中使用的每一個(gè)電氣和電子設(shè)備中，都是由利用半導(dǎo)體器件制造工藝制造的集成電路組成。電子電路是在由純半導(dǎo)體材料(例如硅和其他半導(dǎo)體化合物)組成的晶片上創(chuàng)建的，其中包括光刻和化學(xué)工藝的多個(gè)步驟。
2022-09-22 16:04:441861 
傳統(tǒng)的光刻工藝是相對(duì)目前已經(jīng)或尚未應(yīng)用于集成電路產(chǎn)業(yè)的先進(jìn)光刻工藝而言的，普遍認(rèn)為 193nm 波長的 ArF 深紫外光刻工藝是分水嶺（見下表）。這是因?yàn)?193nm 的光刻依靠浸沒式和多重曝光技術(shù)的支撐，可以滿足從 0.13um至7nm 共9個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的光刻需要。
2022-10-18 11:20:2913995 在上一篇文章，我們介紹了光刻工藝，即利用光罩(掩膜)把設(shè)計(jì)好的電路圖形繪制在涂覆了光刻膠的晶圓表面上。下一步，將在晶圓上進(jìn)行刻蝕工藝，以去除不必要的材料，只保留所需的圖形。
2023-06-28 10:04:58844 
光刻工藝就是把芯片制作所需要的線路與功能做出來。利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對(duì)涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會(huì)發(fā)生性質(zhì)變化，從而使光罩上得圖形復(fù)印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用
2023-12-04 09:17:241338 
我們已經(jīng)從前兩篇的文章中了解了半導(dǎo)體制造的前幾大步驟，包括晶圓加工、氧化、光刻、刻蝕和薄膜沉積。 ? 在今天的推文中，我們將繼續(xù)介紹最后三個(gè)步驟：互連、測(cè)試和封裝，以完成半導(dǎo)體芯片的制造
2021-08-02 13:49:0416085 表現(xiàn)依舊存在較大的改進(jìn)空間。從2019年底到2020年初，業(yè)內(nèi)也召開了多次與半導(dǎo)體制造業(yè)相關(guān)的行業(yè)會(huì)議，對(duì)2020年和以后的半導(dǎo)體工藝進(jìn)展速度和方向進(jìn)行了一些預(yù)判。今天本文就綜合各大會(huì)議的消息和廠商披露
2020-07-07 11:38:14
一、光刻膠的選擇光刻膠包括兩種基本的類型：正性光刻和負(fù)性光刻，區(qū)別如下
2021-01-12 10:17:47
，之后經(jīng)過物鏡投射到曝光臺(tái)，這里放的就是8寸或者12英寸晶圓，上面涂抹了光刻膠，具有光敏感性，紫外光就會(huì)在晶圓上蝕刻出電路?！ 《す馄髫?fù)責(zé)光源產(chǎn)生，而光源對(duì)制程工藝是決定性影響的，隨著半導(dǎo)體工業(yè)節(jié)點(diǎn)
2020-07-07 14:22:55
，小米9pro，oppo Reno3以及vivo X30）分別采用了什么芯片？ 3協(xié)同通信的方式有哪些？ 4大數(shù)據(jù)及認(rèn)知無線電（名詞解釋） 4半導(dǎo)體工藝的4個(gè)主要步驟： 4簡(jiǎn)敘半導(dǎo)體光刻技術(shù)基本原理 4給出4個(gè)全球著名的半導(dǎo)體設(shè)備制造商并指出其生產(chǎn)的設(shè)備核心技術(shù)： 5衛(wèi)
2021-07-26 08:31:09
半導(dǎo)體光刻蝕工藝
2021-02-05 09:41:23
大家有沒有用過半導(dǎo)體制冷的，我現(xiàn)在選了一種制冷片，72W的，我要對(duì)一個(gè)2.5W的熱負(fù)載空間（100x100x100mm）降溫，用了兩片，在環(huán)溫60度時(shí)熱負(fù)載所處的空間只降到30度，我采用的時(shí)泡沫膠
2012-08-15 20:07:10
半導(dǎo)體制冷的機(jī)理主要是電荷載體在不同的材料中處于不同的能量級(jí)，在外電場(chǎng)的作用下，電荷載體從高能級(jí)的材料向低能級(jí)的材料運(yùn)動(dòng)時(shí)，便會(huì)釋放出多余的能量。
2020-04-03 09:02:14
半導(dǎo)體制冷片是利用半導(dǎo)體材料的Peltier效應(yīng)而制作的電子元件，當(dāng)直流電通過兩種不同半導(dǎo)體材料串聯(lián)成的電偶時(shí)，在電偶的兩端即可分別吸收熱量和放出熱量，可以實(shí)現(xiàn)制冷的目的。它是一種產(chǎn)生負(fù)熱阻的制冷技術(shù)，其特點(diǎn)是無運(yùn)動(dòng)部件，可靠性也比較高。半導(dǎo)體制冷片的工作原理是什么？半導(dǎo)體制冷片有哪些優(yōu)缺點(diǎn)？
2021-02-24 09:24:02
的制造方法，其實(shí)歸根究底，就是在矽半導(dǎo)體上制造電子元器件，電子元器件包括很多品種：整流橋，二極管，電容等各種IC類，更復(fù)雜的還有整流模塊等等。ASEMI半導(dǎo)體的每一個(gè)電子元器件的完成都是由精密復(fù)雜
2018-11-08 11:10:34
在制造半導(dǎo)體器件時(shí)，為什么先將導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的硅或鍺制成本征半導(dǎo)體，使之導(dǎo)電性極差，然后再用擴(kuò)散工藝在本征半導(dǎo)體中摻入雜質(zhì)形成N型半導(dǎo)體或P型半導(dǎo)體改善其導(dǎo)電性？
2012-07-11 20:23:15
們的投入中，80%的開支會(huì)用于先進(jìn)產(chǎn)能擴(kuò)增，包括7nm、5nm及3nm，另外20%主要用于先進(jìn)封裝及特殊制程。而先進(jìn)工藝中所用到的EUV極紫外光刻機(jī)，一臺(tái)設(shè)備的單價(jià)就可以達(dá)到1.2億美元，可見半導(dǎo)體
2020-02-27 10:42:16
半導(dǎo)體制造技術(shù)經(jīng)典教程（英文版）
2014-03-06 16:19:35
。例如實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體制造設(shè)備、晶圓加工流程的自動(dòng)化，目的是大幅度減少工藝中的操作者，因?yàn)槿耸莾艋g中的主要沾污源。由于芯片快速向超大規(guī)模集成電路發(fā)展，芯片設(shè)計(jì)方法變化、特征尺寸減小。這些變化向工藝制造提出挑戰(zhàn)
2020-09-02 18:02:47
傷害員工、污染環(huán)境，半導(dǎo)體工廠需要有極為嚴(yán)格的污染防治措施，包括實(shí)時(shí)處理工作場(chǎng)所的空氣、妥善處理生產(chǎn)廢料等等。在半導(dǎo)體制造業(yè)中，由于其昂貴設(shè)備的敏感性和制造過程的復(fù)雜性，工廠的布局變得不可以輕易更改
2020-09-24 15:17:16
ofweek電子工程網(wǎng)訊 國際半導(dǎo)體制造龍頭三星、臺(tái)積電先后宣布將于2018年量產(chǎn)7納米晶圓制造工藝。這一消息使得業(yè)界對(duì)半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵設(shè)備之一極紫外光刻機(jī)（EUV）的關(guān)注度大幅提升。此后又有媒體
2017-11-14 16:24:44
控制；控制圖 中圖分類號(hào)：TN301 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼： A 文章編號(hào)：1003-353X(2004)03-0058-03 1 前言 近年來，半導(dǎo)體制造技術(shù)經(jīng)歷了快速的改變,技術(shù)的提升也相對(duì)地增加了工藝過程
2018-08-29 10:28:14
`《半導(dǎo)體制造工藝》學(xué)習(xí)筆記`
2012-08-20 19:40:32
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：光刻前 GaAs 表面處理以改善濕化學(xué)蝕刻過程中的光刻膠附著力和改善濕蝕刻輪廓[/td][td]編號(hào)：JFSJ-21-0作者：炬豐科技網(wǎng)址：http
2021-07-06 09:39:22
的試劑，無論是單獨(dú)工作還是與其他化學(xué)品混合，對(duì)于半導(dǎo)體制造中的濕法清洗工藝。通過適當(dāng)?shù)膽?yīng)用，它可以避免使用一些需要在高溫下操作的高腐蝕性化學(xué)品，從而減少 CoO，包括化學(xué)品費(fèi)用、沖洗水量、安全問題
2021-07-06 09:36:27
`書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN 納米線制造和單光子發(fā)射器器件應(yīng)用的蝕刻工藝編號(hào)：JFSJ-21-045作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com
2021-07-08 13:11:24
`書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：IC制造工藝編號(hào)：JFSJ-21-046作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要：集成電路的制造主要包括以下工藝
2021-07-08 13:13:06
下方的蝕刻速率遠(yuǎn)高于沒有金屬時(shí)的蝕刻速率，因此當(dāng)半導(dǎo)體正被蝕刻在下方時(shí)，金屬層會(huì)下降到半導(dǎo)體中。4 本報(bào)告描述了使用 MacEtch 工藝制造 100 到 1000 nm 的納米柱。電子束光刻：硅晶片用
2021-07-06 09:33:58
`書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：超大規(guī)模集成電路制造技術(shù)簡(jiǎn)介編號(hào)：JFSJ-21-076作者：炬豐科技概括VLSI制造中使用的材料材料根據(jù)其導(dǎo)電特性可分為三大類：絕緣體導(dǎo)體半導(dǎo)體
2021-07-09 10:26:01
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
從7nm到5nm，半導(dǎo)體制程芯片的制造工藝常常用XXnm來表示，比如Intel最新的六代酷睿系列CPU就采用Intel自家的14nm++制造工藝。所謂的XXnm指的是集成電路的MOSFET晶體管柵極
2021-07-29 07:19:33
我想用單片機(jī)開發(fā)板做個(gè)熱療儀，開發(fā)板是某寶上買的那種，有兩個(gè)猜想：一個(gè)用半導(dǎo)體制冷片發(fā)熱，一個(gè)用電熱片。但我不會(huì)中間要不要接個(gè)DA轉(zhuǎn)換器還是繼電器什么的，查過一些資料，如果用半導(dǎo)體制冷片用PWM控制
2017-11-22 14:15:40
今日分享晶圓制造過程中的工藝及運(yùn)用到的半導(dǎo)體設(shè)備。晶圓制造過程中有幾大重要的步驟：氧化、沉積、光刻、刻蝕、離子注入/擴(kuò)散等。這幾個(gè)主要步驟都需要若干種半導(dǎo)體設(shè)備，滿足不同的需要。設(shè)備中應(yīng)用較為廣泛
2018-10-15 15:11:22
想用半導(dǎo)體制冷片制作小冰箱，需要用到大功率電源，半導(dǎo)體制冷片，還有散熱系統(tǒng)，單片機(jī)控制系統(tǒng)，能調(diào)溫度，還能顯示溫度，具體的思路已經(jīng)有了，想問問你們有沒好點(diǎn)的意見，能盡量提高點(diǎn)效率還有溫度調(diào)節(jié)的精度
2020-08-27 08:07:58
{:1:}想了解半導(dǎo)體制造相關(guān)知識(shí)
2012-02-12 11:15:05
形成電路，而“濕法”刻蝕（使用化學(xué)浴）主要用于清潔晶圓。 干法刻蝕是半導(dǎo)體制造中最常用的工藝之一。 開始刻蝕前，晶圓上會(huì)涂上一層光刻膠或硬掩膜（通常是氧化物或氮化物），然后在光刻時(shí)將電路圖形曝光在晶圓
2017-10-09 19:41:52
的同義詞？那CMOS工藝是屬于什么工藝??？我怎么記得以前好像說半導(dǎo)體工藝，一般都是說什么CMOS，NMOS，TTL等等譬如摻雜、注入、光刻、腐蝕這些又是屬于什么工藝呢？那die bond,wire
2009-09-16 11:51:34
芯片制造-半導(dǎo)體工藝制程實(shí)用教程學(xué)習(xí)筆記[/hide]
2009-11-18 11:44:51
、物理學(xué)等相關(guān)專業(yè)是否應(yīng)屆要求不限性別要求男女不限年齡要求-薪金面議詳細(xì)描述受新加坡公司委托***半導(dǎo)體工程師數(shù)名。主要包括：半導(dǎo)體制成整合，光刻，蝕刻，薄膜，擴(kuò)散等工藝和設(shè)備工程師要求：本科及以上
2009-10-12 11:10:18
、物理學(xué)等相關(guān)專業(yè)是否應(yīng)屆要求不限性別要求男女不限年齡要求-薪金面議詳細(xì)描述受新加坡公司委托***半導(dǎo)體工程師數(shù)名。主要包括：半導(dǎo)體制成整合，光刻，蝕刻，薄膜，擴(kuò)散等工藝和設(shè)備工程師要求：本科及以上
2009-10-12 11:15:49
光刻膠與光刻工藝技術(shù) 微電路的制造需要把在數(shù)量上精確控制的雜質(zhì)引入到硅襯底上的微小 區(qū)域內(nèi),然后把這些區(qū)域連起來以形成器件和VLSI電路.確定這些區(qū)域圖形 的工藝是由光刻來完成的,也就是說,首先在硅片上旋轉(zhuǎn)涂覆光刻膠,再將 其曝露于某種光源下,如紫外光,
2011-03-09 16:43:21
0 中國半導(dǎo)體制造行業(yè)的兩大企業(yè)，華虹半導(dǎo)體有限公司(簡(jiǎn)稱“華虹”)和宏力半導(dǎo)體制造公司(簡(jiǎn)稱“宏力”)于29日聯(lián)合宣布雙方已完成了合并交易。
2011-12-30 08:58:501867 半導(dǎo)體制作工藝CH
2017-10-18 10:19:4747 本文首先介紹了半導(dǎo)體制造工藝流程及其需要的設(shè)備和材料，其次闡述了IC晶圓生產(chǎn)線的7個(gè)主要生產(chǎn)區(qū)域及所需設(shè)備和材料，最后詳細(xì)的介紹了半導(dǎo)體制造工藝，具體的跟隨小編一起來了解一下。
2018-05-23 17:32:3169224 
急需突破的領(lǐng)域，但它也是技術(shù)門檻最高的，國內(nèi)最大的半導(dǎo)體制造公司中芯國際的營收只有第一大晶圓代工公司臺(tái)積電的1/20，與英特爾相比更是只有1/20，但是這些芯片制造公司都離不開一個(gè)設(shè)備——光刻機(jī)，它是整個(gè)半導(dǎo)體制造行業(yè)的明珠。
2018-07-22 10:32:3710947 達(dá)到理想狀態(tài)，EUV工藝還有很長的路要走。在現(xiàn)有的EUV之外，ASML與IMEC比利時(shí)微電子中心還達(dá)成了新的合作協(xié)議，雙方將共同研發(fā)新一代EUV光刻機(jī)，NA數(shù)值孔徑從現(xiàn)有的0.33提高到0.5，可以進(jìn)一步提升光刻工藝的微縮水平，制造出更小的晶體管。
2018-10-30 16:28:403376 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是半導(dǎo)體制造工藝教程的詳細(xì)資料免費(fèi)下載主要內(nèi)容包括了：1.1 引言 1.2基本半導(dǎo)體元器件結(jié)構(gòu) 1.3半導(dǎo)體器件工藝的發(fā)展歷史 1.4集成電路制造階段 1.5半導(dǎo)體制造企業(yè) 1.6基本的半導(dǎo)體材料 1.7 半導(dǎo)體制造中使用的化學(xué)品 1.8芯片制造的生產(chǎn)環(huán)境
2018-11-19 08:00:00200 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是半導(dǎo)體制造教程之工藝晶體的生長資料概述
一、襯底材料的類型1.元素半導(dǎo)體 Si、Ge…。2. 化合物半導(dǎo)體 GaAs、SiC 、GaN…
2018-11-19 08:00:0040 。第四章和第五章分別討論了光刻和刻蝕技術(shù)。第六章和第七章介紹半導(dǎo)體摻雜的主要技術(shù)；擴(kuò)散法和離子注入法。第八章涉及一些相對(duì)獨(dú)立的工藝步驟，包括各種薄層淀積的方法?！?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)》最后三章集中討論制版和綜合。
2020-03-09 08:00:00229 MEMS工藝——半導(dǎo)體制造技術(shù)說明。
2021-04-08 09:30:41237 平版印刷術(shù)被定義為“一種從已經(jīng)準(zhǔn)備好的平坦表面(如光滑的石頭或金屬板)印刷的方法，以便油墨僅粘附在將要印刷的設(shè)計(jì)上”。在半導(dǎo)體器件制造中，石頭是硅片，而墨水是沉積、光刻和蝕刻工藝的綜合效果，從而產(chǎn)生
2022-03-14 15:20:531940 
標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體制造工藝可以大致分為兩種工藝。一種是在襯底（晶圓）表面形成電路的工藝，稱為“前端工藝”。另一種是將形成電路的基板切割成小管芯并將它們放入封裝的過程，稱為“后端工藝”或封裝工藝。在半導(dǎo)體制造
2022-03-14 16:11:136771 
本發(fā)明涉及一種去除光刻膠的方法，更詳細(xì)地說，是一種半導(dǎo)體制造用光刻膠去除方法，該方法適合于在半導(dǎo)體裝置的制造過程中進(jìn)行吹掃以去除光刻膠。在半導(dǎo)體裝置的制造工藝中，將殘留在晶片上的光刻膠，在H2O
2022-04-13 13:56:42872 
EUV 光刻技術(shù)被視為先進(jìn)半導(dǎo)體制造的最大瓶頸，但這些價(jià)值超過 1.5 億美元的工具是沒有光掩模的paperweights。一個(gè)恰當(dāng)?shù)谋扔魇?，光掩?？梢员徽J(rèn)為是光刻工具對(duì)芯片層進(jìn)行圖案化所需的物理模板。
2022-08-26 10:49:47942 來源：云天半導(dǎo)體 廈門云天半導(dǎo)體繼九月初812吋 “晶圓級(jí)封裝與無源器件生產(chǎn)線”正式通線后，經(jīng)過團(tuán)隊(duì)的不懈努力， 8英寸晶圓Fine Pitch光刻工藝開發(fā)終破2/2um L/S大關(guān)； 以下為部分工藝
2022-11-30 17:07:07854 針對(duì)半導(dǎo)體制造工藝的UV-LED光源需求，虹科提供高功率的紫外光源解決方案，可適配步進(jìn)器和掩膜版設(shè)備，更換傳統(tǒng)工具中的傳統(tǒng)燈箱，實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的半導(dǎo)體質(zhì)量控制。
2023-03-29 10:35:41712 
經(jīng)過氧化、光刻、刻蝕、沉積等工藝，晶圓表面會(huì)形成各種半導(dǎo)體元件。半導(dǎo)體制造商會(huì)讓晶圓表面布滿晶體管和電容（Capacitor）；
2023-04-28 10:04:52532 
半導(dǎo)體器件的制造流程包含數(shù)個(gè)截然不同的精密步驟。無論是前道工藝還是后道工藝，半導(dǎo)體制造設(shè)備的電源都非常重要。
2023-05-19 15:39:04479 
金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的革命，讓我們可以在相同面積的晶圓上同時(shí)制造出更多晶體管。MOSFET體積越小，單個(gè) MOSFET的耗電量就越少，還可以制造出更多的晶體管，讓其發(fā)揮作用，可謂是一舉多得。
2023-06-13 12:29:09597 
在半導(dǎo)體制造過程中，每個(gè)半導(dǎo)體元件的產(chǎn)品都需要經(jīng)過數(shù)百道工序。這些工序包括前道工藝和后道工藝，前道工藝是整個(gè)制造過程中最為重要的部分，它關(guān)系到半導(dǎo)體芯片的基本結(jié)構(gòu)和特性的形成，涉及晶圓制造、沉積、光刻、刻蝕等步驟，技術(shù)難點(diǎn)多，操作復(fù)雜。
2023-07-11 11:25:552902 
光刻是半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)流程中最復(fù)雜、最關(guān)鍵的工藝步驟，耗時(shí)長、成本高。半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)的難點(diǎn)和關(guān)鍵點(diǎn)在于將電路圖從掩模上轉(zhuǎn)移至硅片上，這一過程通過光刻來實(shí)現(xiàn)， 光刻的工藝水平直接決定芯片的制程水平和性能水平。
2023-08-23 10:47:531589 
半導(dǎo)體制造工藝之光刻工藝詳解
2023-08-24 10:38:541223 
光刻膠作為影響光刻效果核心要素之一，是電子產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵材料。光刻膠由溶劑、光引發(fā)劑和成膜樹脂三種主要成分組成，是一種具有光化學(xué)敏感性的混合液體。其利用光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影等光刻工藝，將所需要的微細(xì)圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到待加工基片上，是用于微細(xì)加工技術(shù)的關(guān)鍵性電子化學(xué)品。
2023-10-09 14:34:491674 
光刻是半導(dǎo)體加工中最重要的工藝之一，決定著芯片的性能。光刻占芯片制造時(shí)間的40%-50%，占其總成本的30%。光刻膠是光刻環(huán)節(jié)關(guān)鍵耗材，其質(zhì)量和性能與電子器件良品率、器件性能可靠性直接相關(guān)。
2023-10-26 15:10:24360 
三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工藝
2023-11-23 18:13:02579 
[半導(dǎo)體前端工藝：第二篇] 半導(dǎo)體制程工藝概覽與氧化
2023-11-29 15:14:34541 
如今，半導(dǎo)體制造工藝快速發(fā)展，每一代新技術(shù)都在減小集成電路(IC)上各層特征的間距和尺寸。晶圓上高密度的電路需要更高的精度以及高度脆弱的先進(jìn)制造工藝。
2023-12-25 14:50:47174
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