賽普拉斯非易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (NVRAM) 可確保工業(yè)系統(tǒng)處于“零數(shù)據(jù)風(fēng)險(xiǎn)”狀態(tài)，無(wú)論是在正常運(yùn)行還是故障發(fā)生期間均可以完成安全可靠的數(shù)據(jù)備份。
2017-10-25 10:19:26
10429 
在同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SDRAM)的工作模式中，以數(shù)據(jù)讀取速率來(lái)分類(lèi)，有單倍數(shù)據(jù)速率 (Single Data Rate, SDR) SDRAM、雙倍數(shù)據(jù)速率(Double Data Rate
2023-11-20 10:58:25364 
ram在計(jì)算機(jī)和數(shù)字系統(tǒng)中用來(lái)暫時(shí)存儲(chǔ)程序、數(shù)據(jù)和中間結(jié)果。隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（ram）既可向指定單元存入信息又可從指定單元讀出信息。
2024-02-19 11:23:31570 
RAM——隨機(jī)存取存儲(chǔ)器“隨機(jī)”表示存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)被讀取或?qū)懭霑r(shí)，所需的時(shí)間與數(shù)據(jù)所在的位置無(wú)關(guān)RAM掉電數(shù)據(jù)丟失，分為SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)存取器）和DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)存取器）。SRAM存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的時(shí)間相對(duì)較長(zhǎng)
2021-12-10 06:39:26
RMA是內(nèi)存得簡(jiǎn)稱(chēng)，叫做Random-Access Memory(隨機(jī)存取存儲(chǔ)器) 是計(jì)算機(jī)得重要組成部分 1、Random-Access Memory(隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)：在計(jì)算機(jī)的組成結(jié)構(gòu)中，有一
2009-10-13 17:04:10
說(shuō)起存儲(chǔ)器IC的分類(lèi)，大家馬上想起可以分為RAM和ROM兩大類(lèi)。RAM是Random Access Memory的縮寫(xiě)，翻譯過(guò)來(lái)就是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，隨機(jī)存取可以理解為能夠高速讀寫(xiě)。常見(jiàn)的RAM又可
2012-01-06 22:58:43
，用于存放正在執(zhí)行的程序和數(shù)據(jù)。CPU可以直接進(jìn)行隨機(jī)讀寫(xiě)，訪問(wèn)速度較高。RAM：（Random Access Memory），隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，是一種可讀/寫(xiě)存儲(chǔ)器，一般用于計(jì)算...
2021-07-26 08:08:39
設(shè)計(jì)（重點(diǎn)）位擴(kuò)展（位并聯(lián)法）字節(jié)擴(kuò)展（地址串聯(lián)法）【1】存儲(chǔ)器的層次結(jié)構(gòu)【2】存儲(chǔ)器的分類(lèi)這里我們揀SRAM和DRAM來(lái)講【3】SRAM基本原理：靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)：所謂...
2021-07-29 06:21:48
隨著集成電路制造工藝水平的提高，半導(dǎo)體芯片上可以集成更多的功能，為了讓產(chǎn)品有別于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的產(chǎn)品特性，在ASIC上集成存儲(chǔ)器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系統(tǒng)級(jí)芯片的可靠性。隨著對(duì)嵌入式存儲(chǔ)器需求的持續(xù)增長(zhǎng)，其復(fù)雜性、密度和速度也日益增加，從而需要提出一種專(zhuān)用存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)方法。
2019-11-01 07:01:17
隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（FRAM）是一種非易失性的獨(dú)立型存儲(chǔ)技術(shù)，本文將論述FRAM的主要技術(shù)屬性，同時(shí)探討可充分展現(xiàn)FRAM優(yōu)勢(shì)的具體用例。
2019-08-22 06:16:14
存儲(chǔ)器的主機(jī)和多個(gè)通信外圍設(shè)備ECC內(nèi)存設(shè)計(jì)MTBF超過(guò)400年 當(dāng)今處理器的功能和性能過(guò)多依賴(lài)于內(nèi)部和外部存儲(chǔ)器，因此專(zhuān)注于管理影響多種存儲(chǔ)器類(lèi)型的瞬態(tài)錯(cuò)誤至關(guān)重要。糾錯(cuò)碼（ECC）、奇偶校驗(yàn)位和循環(huán)
2018-08-30 14:43:15
領(lǐng)域，被成為數(shù)據(jù)閃存信盈達(dá)嵌入式企鵝要妖氣嗚嗚吧久零就要。2、RAM存儲(chǔ)器（1）SRAM的特點(diǎn)：SRAM表示靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，只要供電它就會(huì)保持一個(gè)值，它沒(méi)有刷新周期，由觸發(fā)器構(gòu)成基本單元，集成度低
2017-09-19 14:22:55
(Dynamic RAM,DRAM)。SRAM(Static RAM)不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。SSRAM(Synchronous SRAM)即同步靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。同步是指Memory
2020-06-10 10:02:12
Keil編譯后生成bin文件占用內(nèi)部Flash的大小，RAM，ROM，Code，RO-data，RW-data，ZI-data名詞解釋RAMRAM又稱(chēng)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，存儲(chǔ)的內(nèi)容可通過(guò)指令隨機(jī)讀寫(xiě)訪問(wèn)
2022-01-26 06:05:59
實(shí)驗(yàn)二靜態(tài)隨機(jī)存取存貯器實(shí)驗(yàn)
2021-12-03 08:22:16
ARM體系結(jié)構(gòu)中主要半導(dǎo)體存儲(chǔ)器嵌入式系統(tǒng)使用的存儲(chǔ)器有多種類(lèi)型，按其存取特性可分為隨機(jī)存取存儲(chǔ)器和只讀存儲(chǔ)器；按照所處的物理位置可分為片內(nèi)存儲(chǔ)器和片外存儲(chǔ)器以及外部存儲(chǔ)設(shè)備；按照存取
2021-12-17 07:26:46
ram介紹ram（隨機(jī)存取存儲(chǔ)器），在計(jì)算機(jī)的組成結(jié)構(gòu)中有一個(gè)很重要的部分就是存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器是用來(lái)存儲(chǔ)程序和數(shù)據(jù)的部件，對(duì)于計(jì)算機(jī)來(lái)說(shuō)有了存儲(chǔ)器才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲(chǔ)器的種類(lèi)很多，按其
2022-10-25 15:08:10
地擦除，而EEPROM可以單個(gè)字節(jié)擦除。SRAM是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。注意：SRAM和SDRAM是不相同的，SDRAM是同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)
2022-03-02 07:20:19
：基于靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）的FPGA，其配置可以在每次上電時(shí)重新加載。這類(lèi)FPGA具有較高的靈活性，但功耗較高。
Flash-based FPGA ：基于閃存的FPGA，其配置可以在斷電后保持。這類(lèi)
2024-01-26 10:09:17
它們寫(xiě)入靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器一個(gè)長(zhǎng)期的存儲(chǔ)設(shè)備中（例如硬盤(pán)）。RAM和ROM相比，兩者的區(qū)別是RAM在斷電以后保存在上面的數(shù)據(jù)會(huì)自動(dòng)消失，而ROM不會(huì)自動(dòng)消失，可以長(zhǎng)時(shí)間斷電保存。對(duì)靜電敏感。正如
2021-12-03 15:47:25
時(shí)，開(kāi)發(fā)者通?？紤]使用 SDRAM。別問(wèn)我為什么你的 MCU 不支持 SDRAM。SDRAM 是同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的縮寫(xiě)。在微控制器應(yīng)用中，微控制器通過(guò)使用外部存儲(chǔ)控制器（EMC）操作訪問(wèn) SDR...
2021-11-04 08:03:56
的普及應(yīng)用將大致分為兩個(gè)階段。第一階段,它將取代車(chē)載MCU中應(yīng)用的嵌入式存儲(chǔ)器，其后在第二階段,它將取代手機(jī)中的MCP以及獨(dú)立DRAM和獨(dú)立NOR閃存等。圖1 65nm產(chǎn)品會(huì)取代嵌入式存儲(chǔ)器，45nm
2023-04-07 16:41:05
MT47H64M16NF-25E:M動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器：規(guī)格：存儲(chǔ)器類(lèi)型易失存儲(chǔ)器格式DRAM技術(shù)SDRAM - DDR2存儲(chǔ)容量1Gb （64M x 16）存儲(chǔ)器接口并聯(lián)時(shí)鐘頻率400MHz寫(xiě)
2020-06-30 16:26:14
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM是什么？有何優(yōu)缺點(diǎn)？動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM是什么？有何優(yōu)缺點(diǎn)？
2021-12-24 07:04:20
驅(qū)動(dòng)器和磁泡存儲(chǔ)器。從1970年代開(kāi)始，主流的集成半導(dǎo)體存儲(chǔ)器則主要分為三類(lèi)：動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM)、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (SRAM) 和閃存。計(jì)算機(jī)內(nèi)存主要是DRAM和SRAM。SRAM則
2021-12-08 07:23:46
（StaticRandom-AccessMemory）即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，所謂“靜態(tài)”是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)就可以一直保持，但是掉電之后就會(huì)丟失。與DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存...
2021-08-12 06:14:59
本文檔介紹了 STM32H7 系列微控制器上糾錯(cuò)碼（ECC）的管理和實(shí)現(xiàn)。本應(yīng)用筆記針對(duì)保護(hù)內(nèi)部存儲(chǔ)器內(nèi)容的 ECC 機(jī)制，描述了與之相關(guān)的硬件、軟件信息。除此之外，也可使用外部存儲(chǔ)器進(jìn)行 ECC
2023-09-08 07:31:20
sram存儲(chǔ)原理是依靠，概念靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（Static Random-Access Memory，SRAM）是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的一種。所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)
2021-07-27 06:06:26
Erasable PROM）?！ 。?） 混合型。 二、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分類(lèi) 1、按功能分為 ?。?）隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）特點(diǎn)：包括DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器），當(dāng)關(guān)機(jī)或斷電
2020-12-25 14:50:34
基于傳統(tǒng)六晶體管(6T)存儲(chǔ)單元的靜態(tài)RAM存儲(chǔ)器塊一直是許多嵌入式設(shè)計(jì)中使用ASIC/SoC實(shí)現(xiàn)的開(kāi)發(fā)人員所采用的利器，因?yàn)檫@種存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)非常適合主流的CMOS工藝流程，不需要增添任何額外的工藝步驟。那么究竟怎么樣，才能實(shí)現(xiàn)嵌入式ASIC和SoC的存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)呢？
2019-08-02 06:49:22
怎么隨機(jī)存取存儲(chǔ)器ram中的存儲(chǔ)單元
2023-09-28 06:17:04
描述此參考設(shè)計(jì)介紹高可靠性應(yīng)用（基于 66AK2Gx 多內(nèi)核 DSP + ARM 處理器片上系統(tǒng) (SoC)）中具有糾錯(cuò)碼 (ECC) 支持的雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 存儲(chǔ)器接口的系統(tǒng)注意事項(xiàng)。其中
2018-10-22 10:20:57
什么是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器？SRAM是由哪些部分組成的？
2021-10-09 08:37:59
方式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）靜態(tài) RAM（SRAM）動(dòng)態(tài) RAM（DRAM）動(dòng)態(tài) RAM 和靜態(tài) RAM 的比較只讀存儲(chǔ)器（ROM）存儲(chǔ)容量的擴(kuò)展存儲(chǔ)器與 CPU 的連接提高訪存速度的措施存儲(chǔ)器概述
2021-07-26 06:22:47
針對(duì)數(shù)字簽名，探討了糾錯(cuò)碼理論和技術(shù)在數(shù)字簽名中的重要作用，介紹了一類(lèi)糾錯(cuò)碼數(shù)字簽名方案；提出了一種將簽名與加密、糾錯(cuò)相結(jié)合的公鑰密碼新體制，新體制比較充分
2009-08-13 10:49:14
6 MT53E512M32D1ZW-046 WT:B ，MICRON/美光，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 16Gb低VDDQ移動(dòng)低功耗DDR4 SDRAM（LPDDR4X）是一種高速CMOS
2023-10-16 15:48:28
第三十一講 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
9.3 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器9.3.1 RAM的基本結(jié)構(gòu)和工作原理
9.3.2 RAM的存儲(chǔ)單元一、
2009-03-30 16:36:571139 
概述隨著DS32X35系列產(chǎn)品的發(fā)布，Maxim能夠提供無(wú)需電池的非易失存儲(chǔ)器。這些器件采用了鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FRAM)技術(shù)，F(xiàn)RAM是非易失存儲(chǔ)器，其讀/寫(xiě)操作與RAM類(lèi)似。該系列器
2009-04-17 09:42:43700 
摘要：該應(yīng)用筆記介紹了DS32X35系列產(chǎn)品。這些器件為帶有鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RTC + FRAM)的高精度實(shí)時(shí)時(shí)鐘，無(wú)需外接電池即可保持存儲(chǔ)器內(nèi)容。
概述隨著DS32X35
2009-04-21 11:22:49677 
名稱(chēng) RAM（隨機(jī)存取存儲(chǔ)器） RAM -random access memory 隨機(jī)存儲(chǔ)器 定義 存儲(chǔ)單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲(chǔ)單元的位置無(wú)
2010-06-29 18:16:592215 賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布推出新的串行非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(nvSRAM)，該存儲(chǔ)器具有I2C和SPI接口，可用于儀表、工業(yè)和汽車(chē)應(yīng)用
2011-04-06 19:06:011420 QDR聯(lián)盟日前宣布推出業(yè)界最快的四倍數(shù)據(jù)率(QDR) SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。這些新型存儲(chǔ)器將被命名為QDRII+ Xtreme并將以高達(dá)633兆赫茲(MHz)的時(shí)鐘頻率允許
2011-04-27 10:20:321917 Reed-Solomon 以下稱(chēng) RS 碼 是性能優(yōu)良的糾錯(cuò)碼在線性分組碼中它的糾錯(cuò)能力和編碼效率是最高的例如日本的BEST 糾錯(cuò)碼是(272 190)大數(shù)邏輯碼可以糾8 個(gè)錯(cuò)誤比特編碼效率是69% 利用82b 的冗余
2011-07-21 15:20:3335 Ramtron International Corporation (簡(jiǎn)稱(chēng)Ramtron)宣布，現(xiàn)已在IBM的新生產(chǎn)線上廣泛制造其最新鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (F-RAM) 產(chǎn)品的樣片F(xiàn)M24C64C具有低功率運(yùn)作特性，有效電流為100 μA (在100 kHz下)，典型
2011-07-22 09:38:011523 據(jù)美國(guó)物理學(xué)家組織網(wǎng)近日?qǐng)?bào)道，美國(guó)科學(xué)家們正在研制一種新的計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)設(shè)備鐵電晶體管隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FeTRAM)，其將比現(xiàn)在的商用存儲(chǔ)設(shè)備更快捷，且比占主流的閃存能耗更低。
2011-10-19 09:47:40725 非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（F-RAM）和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation （簡(jiǎn)稱(chēng)Ramtron） 在剛舉行的硅谷Design West/嵌入式系統(tǒng)會(huì)議 （Silicon Valley Design West/Embedde
2012-04-06 08:55:12632 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布，其具有錯(cuò)誤校正代碼（ECC）的16Mb低功耗異步SRAM 已開(kāi)始出樣。
2014-09-11 15:14:541500 糾錯(cuò)碼與通信系統(tǒng)的保密，有需要的下來(lái)看看。
2016-07-29 19:05:180 適用于SRAM_PUF的糾錯(cuò)碼研究_馮志華
2017-01-08 15:15:599 sram（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）是一種只要在供電條件下便能夠存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器件，而且是大多數(shù)高性能系統(tǒng)的一個(gè)關(guān)鍵部分。sram具有眾多的架構(gòu)，各針對(duì)一種特定的應(yīng)用。本文旨在對(duì)目前市面上現(xiàn)有的sram做全面評(píng)述。
2017-11-03 18:03:052730 針對(duì)空域圖像信息隱藏（IH）算法健壯性較差的缺陷，研究了基于糾錯(cuò)碼的圖像信息隱藏算法。利用糾錯(cuò)碼能夠糾正隨機(jī)錯(cuò)誤的特性提高空域信息隱藏算法抵抗攻擊者修改載體的能力。給出了兩類(lèi)不同的算法：基于糾錯(cuò)碼
2018-01-07 10:12:470 提供卓越性能和高可靠性。Excelon鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（F-RAM）系列具有高速非易失性數(shù)據(jù)記錄功能，即使在惡劣的汽車(chē)和工業(yè)環(huán)境中，以及處于極端溫度的情況下均可防止數(shù)據(jù)的丟失。
2018-03-17 09:40:004456 本文比較了TMS320C55x DSP外部存儲(chǔ)器接口（EMIF）和TMS320C6000 DSP EMIF的特點(diǎn)。這兩個(gè)接口都支持異步存儲(chǔ)器、同步突發(fā)靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SBSRAM）和同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SDRAM）。
2018-05-07 11:01:063 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（random access memory，RAM）又稱(chēng)作“隨機(jī)存儲(chǔ)器”，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器，也叫主存（內(nèi)存）。它可以隨時(shí)讀寫(xiě)，而且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)媒介。
2018-05-17 17:04:5819724 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是STM32同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SDRAM）的源代碼程序資料免費(fèi)下載
2018-08-31 15:53:3921 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（randomaccessmemory，RAM）又稱(chēng)作“隨機(jī)存儲(chǔ)器”，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器，也叫主存（內(nèi)存）。它可以隨時(shí)讀寫(xiě)，而且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)媒介。本視頻主要介紹了隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的最大特點(diǎn)。
2018-11-24 10:59:1143325 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以簡(jiǎn)單分成易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器，易失存儲(chǔ)器在過(guò)去的幾十年里沒(méi)有特別大的變化，依然是以靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）為主，非易失存儲(chǔ)器反而不斷
2019-01-01 08:55:0011607 
隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）特點(diǎn)：包括DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器），當(dāng)關(guān)機(jī)或斷電時(shí)，其中的 信息都會(huì)隨之丟失。 DRAM主要用于主存（內(nèi)存的主體部分），SRAM主要用于高速緩存存儲(chǔ)器。
2019-01-07 16:46:4915156 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（Static Random-Access Memory，SRAM）是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的一種。所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。
2019-03-06 15:35:243653 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是使用DSP進(jìn)行靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM的讀寫(xiě)實(shí)驗(yàn)報(bào)告書(shū)免費(fèi)下載。
2019-08-02 17:39:284 SRAM表示靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，只要供電它就會(huì)保持一個(gè)值，它沒(méi)有刷新周期，由觸發(fā)器構(gòu)成基本單元，集成度低，每個(gè)SRAM存儲(chǔ)單元由6個(gè)晶體管組成，因此其成本較高。
2019-09-11 16:26:212554 我們?cè)S多人都知道，隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（Random Access Memory，縮寫(xiě)：RAM；也叫主存）是與電腦的中央處理器直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器。
2020-01-13 11:50:271949 Everspin并行輸入/輸出MRAM產(chǎn)品的簡(jiǎn)單異步靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)JEDEC接口和QSPI/SPI接口使設(shè)計(jì)易于實(shí)現(xiàn)，無(wú)需額外的組件或生態(tài)系統(tǒng)支持。Everspin MRAM技術(shù)的強(qiáng)大
2020-05-29 14:31:28828 因此“內(nèi)部快取記憶體”應(yīng)運(yùn)而生，也就是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它通常以六個(gè)聯(lián)結(jié)晶狀體所構(gòu)成，不需要去更新。靜態(tài)隨機(jī)存取儲(chǔ)存器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中最快的存儲(chǔ)器，但也是最貴的，也占用了比動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取儲(chǔ)存器多三倍的空間。
2020-06-24 15:45:582764 SRAM（Static Random Access Memory），即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)
2020-07-16 10:44:034771 
UG-1755：評(píng)估ADG5401F故障保護(hù)，6Ω隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，帶0.6kΩ反饋通道的單刀單擲開(kāi)關(guān)
2021-03-23 00:21:254 ADG7421F：低壓故障保護(hù)和檢測(cè)，20?隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，雙單擲開(kāi)關(guān)數(shù)據(jù)表
2021-05-14 18:27:144 國(guó)產(chǎn)SRAM芯片廠商偉凌創(chuàng)芯EMI7256器件是256Kb串行靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，內(nèi)部組織為32K字，每個(gè)字8位。最大時(shí)鐘20MHz，采用最先進(jìn)的CMOS技術(shù)設(shè)計(jì)和制造，以提供高速性能和低功耗
2022-04-24 15:59:18573 
富士通半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案有限公司推出12Mbit ReRAM(電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)MB85AS12MT，這是富士通ReRAM產(chǎn)品系列中密度最大的產(chǎn)品。
2022-04-24 16:06:021133 VDSR4M08XS44XX1V12是一種高速存取時(shí)間、高密度靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器使用4Mbit。該模塊采用VDIC高密度SIP技術(shù)制造，由一個(gè)SRAM芯片堆疊而成采用CMOS工藝。它被組織為512K×8bit寬的數(shù)據(jù)接口?？梢赃x擇塊單獨(dú)配備專(zhuān)用的#CE。
2022-06-08 14:33:241 VDSR32M322XS68XX8V12-II是一種高速存取時(shí)間、高密度靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器包含33554332位。該SiP模塊采用VDIC非常密集的SiP技術(shù)制造，可堆疊八個(gè)采用CMOS工藝
2022-06-08 14:27:150 VDSR32M322xS68XX8V12是一種高速存取時(shí)間、高密度靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器包含33554332位。該SiP模塊采用VDIC非常密集的SiP技術(shù)制造，可堆疊八個(gè)采用CMOS工藝（6晶體管
2022-06-08 14:24:161 VDSR20M40XS84XX6V12是一種高速存取時(shí)間、高密度靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器20Mbit。該芯片采用VDIC高密度SIP技術(shù)制造，堆疊六個(gè)SRAM芯片，采用CMOS工藝（6晶體管存儲(chǔ)單元）。它被組織為兩個(gè)256Kx40bit寬的獨(dú)立塊數(shù)據(jù)接口?？梢允褂脤?zhuān)用的#CSn單獨(dú)選擇每個(gè)塊。
2022-06-08 14:22:580 VDSR16M32XS64XX4V12是一種高速存取時(shí)間、高密度靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器包含16777216位。該SiP模塊采用VDIC非常密集的SiP技術(shù)制造，可堆疊四個(gè)采用CMOS工藝（6晶體管存儲(chǔ)單元）的4-Mbit SRAM芯片。它分為兩部分512K x 32位寬數(shù)據(jù)接口的獨(dú)立塊。
2022-06-08 14:20:001 VDSR16M32XS64XX4C12是一種高速存取時(shí)間、高密度靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器包含6.777.216位。該SiP模塊采用VDIC非常密集的SiP技術(shù)制造，可堆疊四層采用CMOS工藝（6晶體管存儲(chǔ)單元）的4-Mbit SRAM組。它分為兩部分512Kx32bit寬數(shù)據(jù)接口的獨(dú)立塊。
2022-06-08 14:18:520 VDSR8M32XS64XX2V12是一種高速、高度集成的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，包含8.388.608位。它由兩個(gè)4Mbit的銀行組成。每個(gè)銀行都有16位接口，并通過(guò)特定的#CS。它特別適用于高可靠性、高性能和高密度系統(tǒng)應(yīng)用程序，如固態(tài)質(zhì)量記錄器、服務(wù)器或工作站。
2022-06-08 11:55:591 VDSR8M16XS54XX2V12是一種高速存取時(shí)間、高密度靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。該SIP模塊采用VDIC非常密集的SIP技術(shù)制造，可堆疊四個(gè)4-Mbit SRAM芯片采用CMOS工藝（6晶體管存儲(chǔ)單元）。它被組織為兩個(gè)256K×的獨(dú)立區(qū)塊16位寬數(shù)據(jù)接口。
2022-06-08 11:53:180 VDSR8M16XS54XX2C12是一款高速、高度集成的產(chǎn)品。靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器8.388.608位。它由兩個(gè)4Mbit的銀行組成。
2022-06-08 11:48:581 VDSR4M08XS44XX1C12是一種高速存取時(shí)間、高密度靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器使用4Mbit。該模塊采用VDIC高密度SIP技術(shù)制造，由一個(gè)SRAM芯片堆疊而成采用CMOS工藝。它被組織為512K×8bit寬的數(shù)據(jù)接口。可以選擇塊單獨(dú)配備專(zhuān)用的#CE
2022-06-08 11:47:382 VDMR8M32XS68XX8V35是一款8×1048576位高速訪問(wèn)時(shí)間、高密度磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù)，該模具堆疊八個(gè)1-Mbit MRAM模具。它由八個(gè)128K的獨(dú)立模具組成8比特寬的數(shù)據(jù)接口。
2022-06-08 10:25:441 VDMR2M16XS54XX2V35是一款2.097.152位高速訪問(wèn)時(shí)間、高密度磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù)它被組織為一個(gè)128K x 16位寬數(shù)據(jù)接口的獨(dú)立模塊。
2022-06-08 10:18:481 SRAM即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路便能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。
2022-11-17 14:53:32893 在過(guò)去幾十年內(nèi)，易失性存儲(chǔ)器沒(méi)有特別大的變化，主要分為DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。它在任何時(shí)候都可以讀寫(xiě)，RAM通常是作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行程序的臨時(shí)存儲(chǔ)介質(zhì)(可稱(chēng)作系統(tǒng)內(nèi)存)。
2022-11-29 15:56:463115 
相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器具有低電壓操作、編程速度快、功耗小和成本低等特點(diǎn)。
2023-02-01 10:16:15699 在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）和嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動(dòng)態(tài)快速讀/寫(xiě)存儲(chǔ)器。
2023-02-08 10:14:39547 
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的一種。這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。SRAM又可分為串口SRAM和并口SRAM。
2023-03-13 16:38:391598 RAM ：隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（random access memory，RAM）又稱(chēng)作“隨機(jī)存儲(chǔ)器”。
2023-04-25 15:58:205064 
無(wú)論是在網(wǎng)飛上看電影、玩電子游戲，還是單純地瀏覽數(shù)碼照片，你的電腦都會(huì)定期進(jìn)入內(nèi)存獲取指令。沒(méi)有隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM），今天的計(jì)算機(jī)甚至無(wú)法啟動(dòng)。
2023-05-30 15:19:55317 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）用于實(shí)時(shí)存儲(chǔ)CPU正在使用的程序和數(shù)據(jù)。隨機(jī)存取存儲(chǔ)器上的數(shù)據(jù)可以被多次讀取、寫(xiě)入和擦除。RAM是存儲(chǔ)當(dāng)前使用的數(shù)據(jù)的硬件元素。它是一種易失性存儲(chǔ)器。
2023-07-06 14:22:271950 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《STM32H7系列內(nèi)部存儲(chǔ)器保護(hù)的糾錯(cuò)碼(ECC)管理.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-01 16:39:420 本文將介紹芯片設(shè)計(jì)中動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）的相關(guān)知識(shí)，包括其工作原理、分類(lèi)以及在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用。
2023-10-23 10:07:34818 ，VM）兩大類(lèi)。例如，人們熟知的閃速存儲(chǔ)器 ( Flash Memory，簡(jiǎn)稱(chēng) Flash）就屬于 NVM，靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (Static Random Access Memory， SRAM）和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (Dynamic Random Access Memory,DRAM)則屬于 VM。
2023-11-16 09:14:06413 20世紀(jì)70 年代到 90年代中期，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (Dynamic Random Access Memory ，DRAM) 采用的是異步接口，這樣它可以隨時(shí)響應(yīng)控制輸入信號(hào)的變化從而直接影響
2023-11-17 09:26:27382 低功耗雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (Low Power Double Data Rate SDRAM, LPDDR SDRAM)簡(jiǎn)稱(chēng)為 LPDDR，是DDR SDRAM 的一種，由于廣泛用于移動(dòng)
2023-11-21 09:37:36257 
非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (NVSRAM) 是一種即使斷電也能保留數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器，提供非易失性存儲(chǔ)。
2023-12-05 10:09:56303 引起的故障等。當(dāng)這些情況發(fā)生時(shí)，RAM中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)可能會(huì)發(fā)生位翻轉(zhuǎn)或完全丟失。 在了解糾錯(cuò)碼(ECC)如何修復(fù)位翻轉(zhuǎn)之前，我們首先需要了解ECC的工作原理以及它在RAM中的應(yīng)用。 ECC是“Error Correcting Code”的縮寫(xiě)，它是一種能夠檢測(cè)和糾正數(shù)據(jù)錯(cuò)誤的技術(shù)。
2023-12-15 09:58:08767 英飛凌科技旗下的Infineon Technologies LLC Memory Solution近日宣布，擴(kuò)展其集成嵌入式糾錯(cuò)碼（ECC）的抗輻射異步靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）產(chǎn)品線。這款新產(chǎn)品的設(shè)計(jì)初衷是為了滿(mǎn)足航空和其他極端環(huán)境中的高性能計(jì)算需求。
2024-01-24 17:11:39359
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