影響LED封裝主要用于保護(hù)LED芯片，封裝的質(zhì)量直接影響著芯片的使用。針對(duì)封裝工藝異常引起的芯片失效，金鑒實(shí)驗(yàn)室會(huì)對(duì)固晶工藝、引線鍵合工藝、燈珠氣密性等進(jìn)行全面評(píng)估，從宏觀和微觀分析出失效原因及失效
2020-10-22 09:40:09
影響LED封裝主要用于保護(hù)LED芯片，封裝的質(zhì)量直接影響著芯片的使用。針對(duì)封裝工藝異常引起的芯片失效，金鑒實(shí)驗(yàn)室會(huì)對(duì)固晶工藝、引線鍵合工藝、燈珠氣密性等進(jìn)行全面評(píng)估，從宏觀和微觀分析出失效原因及失效
2020-10-22 15:06:06
及PCBA的失效現(xiàn)象進(jìn)行失效分析，通過(guò)一系列分析驗(yàn)證，找出失效原因，挖掘失效機(jī)理，對(duì)提高產(chǎn)品質(zhì)量，改進(jìn)生產(chǎn)工藝，仲裁失效事故有重要意義。2、服務(wù)對(duì)象印制電路板及組件（PCB&PCBA）生產(chǎn)商：確認(rèn)
2020-02-25 16:04:42
高密度的發(fā)展趨勢(shì)以及無(wú)鉛與無(wú)鹵的環(huán)保要求，越來(lái)越多的PCB出現(xiàn)了潤(rùn)濕不良、爆板、分層、CAF等等各種失效問(wèn)題。介紹這些分析技術(shù)在實(shí)際案例中的應(yīng)用。PCB失效機(jī)理與原因的獲得將有利于將來(lái)對(duì)PCB的質(zhì)量控制，從而避免類(lèi)似問(wèn)題的再度發(fā)生。
2019-10-23 08:00:00
金屬化孔的斷裂
失效?！ ∮捎赑CB高密度的發(fā)展趨勢(shì)以及無(wú)鉛與無(wú)鹵的環(huán)保要求，越來(lái)越多的PCB出現(xiàn)了潤(rùn)濕不良、爆
板、分層、CAF等等各種
失效問(wèn)題。介紹這些
分析技術(shù)在實(shí)際案例中的應(yīng)用。PCB
失效機(jī)理與原因的獲得將有利于將來(lái)對(duì)PCB的
質(zhì)量控制，從而避免類(lèi)似問(wèn)題的再度發(fā)生?！?/div>
2018-09-12 15:26:29
及環(huán)境試驗(yàn)分析利用冷熱沖擊，氣體腐蝕，HAST試驗(yàn)，PCT試驗(yàn)，CAF試驗(yàn)、回流焊測(cè)試等老化測(cè)試設(shè)備，PCB線路板可靠性不過(guò)失效分析：主要利用機(jī)械研磨，氬離子拋光，F(xiàn)IB離子束等制樣手段，掃描電鏡
2021-08-05 11:52:41
行業(yè)的迅速發(fā)展，電子產(chǎn)品的集成度越來(lái)越高，電路板上的元器件密度越來(lái)越高，線與線的間距也越來(lái)越小。為防止離子遷移導(dǎo)致的失效，對(duì)PCB板面的清潔度的要求也就相應(yīng)提高了。若PCB線路板表面有酸性離子（如
2019-01-29 22:48:15
我公司是由在聚焦離子束（掃描離子顯微鏡）應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域有多年經(jīng)驗(yàn)的技術(shù)骨干創(chuàng)立而成。我們?yōu)榧?b class="flag-6" style="color: red">電路設(shè)計(jì)和制造工業(yè)，光電子工業(yè)，納米材料研究領(lǐng)域提供一流的分析技術(shù)服務(wù)。我們特別專注于離子束應(yīng)用技術(shù)在
2013-09-03 14:41:55
特性進(jìn)行更精確的分析氬離子拋光機(jī)可以實(shí)現(xiàn)平面拋光和截面研磨拋光這兩種形式：半導(dǎo)體芯片氬離子截面切割拋光后效果圖： 聚焦離子束FIB切割+SEM分析聚焦離子束FIB測(cè)試原理：聚焦離子束(FIB)系統(tǒng)
2024-01-02 17:08:51
FIB-SEM系統(tǒng)制備高質(zhì)量TEM樣品。 a、FIB粗加工 b、納米手轉(zhuǎn)移 c、FIB精細(xì)加工完成制樣 2.材料微觀截面截取 SEM僅能觀察材料表面信息，聚焦離子束的加入可以對(duì)材料縱向加工觀察材料
2017-06-29 14:08:35
，聚焦離子束的加入可以對(duì)材料縱向加工觀察材料內(nèi)部形貌，通過(guò)對(duì)膜層內(nèi)部厚度監(jiān)控以及對(duì)缺陷失效分析改善產(chǎn)品工藝，從根部解決產(chǎn)品失效問(wèn)題。 案例二： 針對(duì)膜層內(nèi)部缺陷通過(guò)FIB精細(xì)加工至缺陷根源處，同時(shí)結(jié)合
2017-06-28 16:40:31
，聚焦離子束的加入可以對(duì)材料縱向加工觀察材料內(nèi)部形貌，通過(guò)對(duì)膜層內(nèi)部厚度監(jiān)控以及對(duì)缺陷失效分析改善產(chǎn)品工藝，從根部解決產(chǎn)品失效問(wèn)題。 案例二： 針對(duì)膜層內(nèi)部缺陷通過(guò)FIB精細(xì)加工至缺陷根源處，同時(shí)結(jié)合
2017-06-28 16:50:34
： 使用Dual Beam FIB-SEM系統(tǒng)制備高質(zhì)量TEM樣品。 a、FIB粗加工 b、納米手轉(zhuǎn)移 c、FIB精細(xì)加工完成制樣 2.材料微觀截面截取 SEM僅能觀察材料表面信息，聚焦離子束的加入可以對(duì)材料
2017-06-28 16:45:34
P FIB 與DB FIB師出同源，最大差異在離子源與蝕刻效率。DB FIB的離子源Ga+容易附著在樣品表面，P FIB使用Xe可減少樣品Ga污染問(wèn)題。P FIB可大范圍面積快速執(zhí)行，蝕刻速率提升20倍。
2019-08-15 15:57:55
服務(wù)的公司，由在聚焦離子束（掃描離子顯微鏡）應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域有多年經(jīng)驗(yàn)的技術(shù)骨干創(chuàng)立而成，專注于聚焦離子束應(yīng)用（FIB）技術(shù)在 IC芯片修改以及失效分析領(lǐng)域的技術(shù)應(yīng)用及拓展。 是專業(yè)做FIB（聚焦離子束
2013-12-18 15:38:33
完成微、納米級(jí)表面形貌加工。聚焦離子束FIB服務(wù)范圍：工業(yè)和理論材料研究，半導(dǎo)體，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，自然資源等領(lǐng)域聚焦離子束FIB服務(wù)內(nèi)容：1.芯片電路修改和布局驗(yàn)證 2.Cross-Section截面分析
2020-09-01 16:19:23
材料內(nèi)部的真實(shí)結(jié)構(gòu)，金鑒實(shí)驗(yàn)室用于制備EBSD、CL、EBIC或其它分析制樣。3.聚焦離子束技術(shù)（FIB）是利用電透鏡將鎵離子束聚焦成非常小尺寸的離子束轟擊材料表面，實(shí)現(xiàn)材料的剝離、沉積、注入、切割和改性
2021-04-08 17:41:04
，本文證明電子束探測(cè)技術(shù)有助于增強(qiáng)現(xiàn)有失效分析過(guò)程的深度。I. 引言和背景 掃描電子顯微鏡掃描電子顯微鏡(SEM)是微電子學(xué)中的標(biāo)準(zhǔn)工具，在失效分析中有廣泛的應(yīng)用。SEM從陰極產(chǎn)生電子，并通過(guò)電子槍予以
2018-10-22 16:44:07
譜法（XPS）、傅里葉紅外光譜儀（FT-IR）、內(nèi)部氣氛分析法（IVA）等。5、應(yīng)力驗(yàn)證技術(shù)基本手段如開(kāi)展透射顯微鏡（TEM）分析時(shí)，就需要采用聚焦離子束（FIB）對(duì)器件進(jìn)行定點(diǎn)取樣和提取。有時(shí)需要
2019-10-11 09:50:49
保證PCB的質(zhì)量與可靠性，必須從研發(fā)、設(shè)計(jì)、工藝以及質(zhì)量保證技術(shù)等多方面著手才能達(dá)到目的，其中作為質(zhì)量保證技術(shù)中的關(guān)鍵，失效分析也越來(lái)越發(fā)揮著它的重要作用，只有通過(guò)失效分析才能夠找到問(wèn)題的根源，從而
2012-07-27 21:05:38
失效分析（FA）是一門(mén)發(fā)展中的新興學(xué)科，近年開(kāi)始從軍工向普通企業(yè)普及。它一般根據(jù)失效模式和現(xiàn)象，通過(guò)分析和驗(yàn)證，模擬重現(xiàn)失效的現(xiàn)象，找出失效的原因，挖掘出失效的機(jī)理的活動(dòng)。在提高產(chǎn)品質(zhì)量，技術(shù)
2020-04-07 10:11:36
`芯片失效分析步驟1. 開(kāi)封前檢查，外觀檢查，X光檢查，掃描聲學(xué)顯微鏡檢查。2. 開(kāi)封顯微鏡檢查。3. 電性能分析，缺陷定位技術(shù)、電路分析及微探針分析。4. 物理分析，剝層、聚焦離子束(FIB
2020-05-18 14:25:44
)；OBIRCH；micro-probe;聚焦離子束微觀分析(FIB)彈坑試驗(yàn)(cratering)芯片開(kāi)封(decap)芯片去層(delayer)晶格缺陷試驗(yàn)(化學(xué)法)PN結(jié)染色 / 碼染色試驗(yàn)推拉力測(cè)試
2020-05-17 20:50:12
)；鍍層膜層全方位分析 (鍍層膜層分析方案的制定與實(shí)施，包括厚度分析、元素組成分析、膜層剖面元素分析)； GRGT團(tuán)隊(duì)技術(shù)能力?集成電路失效分析、芯片良率提升、封裝工藝管控?集成電路競(jìng)品分析、工藝分析
2020-04-26 17:03:32
失效分析，很多時(shí)候都需要做FIB-SEM測(cè)試，相信各位電子行業(yè)的朋友并不陌生， 大家都知道用聚焦離子束FIB切片芯片，解剖芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu) 查找芯片失效點(diǎn)分析，再做進(jìn)一步分析。今天，邵工給大家分享一下
2021-08-05 12:11:03
本文介紹了離子束濺射鍍膜機(jī)電源的設(shè)計(jì)方案，并著重闡述了短路保護(hù)電路、自動(dòng)恢復(fù)電路和線性光電隔離電路的設(shè)計(jì)。測(cè)試結(jié)果表明：該電源能滿足離子束濺射鍍膜機(jī)設(shè)備的要
2009-10-16 09:41:59
31 電路板改板技術(shù)之光板測(cè)試工藝指導(dǎo)
光板工藝測(cè)試技術(shù)是電路板抄板改板過(guò)程中常用到的一種制板工藝技術(shù)，目的是為了能確保最后成品電路板的品質(zhì)。以下我們提供
2010-01-23 11:26:34
1010 離子注入是另一種對(duì)半導(dǎo)體進(jìn)行摻雜的方法。將雜質(zhì)電離成離子并聚焦成離子束，在電場(chǎng)中加速而獲得極高的動(dòng)能后，注入到硅中（稱為 靶 ）而實(shí)現(xiàn)摻雜。 離子束的性質(zhì) 離子束是一種
2011-05-22 12:43:520 離子束加工原理和離子束加工的應(yīng)用范圍，離子束加工的特點(diǎn)。
2011-05-22 12:48:4118008 
離子束注入技術(shù)概述 基本原理：離子束射到固體材料以后，受到固體材料的抵抗而速度慢慢減低下來(lái)，并最終停留在固體材料中，這一現(xiàn)象就叫做離子注入。 用能量為100keV量級(jí)的離子
2011-05-22 13:00:550 離子源用以獲得離子束的裝置。在各類(lèi)離子源中，用得最多的是等離子體離子源，即用電場(chǎng)將離子從一團(tuán)等離子體中引出來(lái)。這類(lèi)離子源的主要參數(shù)由等離子體的密度、溫度和引出系統(tǒng)
2011-12-16 11:28:081260 
成都一家本土企業(yè)通過(guò)自主創(chuàng)新，研制出了可以廣泛應(yīng)用于眾多工業(yè)領(lǐng)域的基礎(chǔ)熱源———層流電弧等離子束，這種等離子束可以產(chǎn)生穩(wěn)定、可控的熱源，溫度可在15000攝氏度至200攝氏度間調(diào)節(jié)。其在3D打印技術(shù)中也可以得到應(yīng)用.
2013-09-24 15:43:381720 在一張頭發(fā)薄厚、米粒大小的透明塑料薄膜上雕刻出復(fù)雜的電路，對(duì)離子束加工是小菜一碟。北京埃德萬(wàn)斯公司，一家不到百人的小公司，不聲不響地持有這一前景無(wú)限、體現(xiàn)國(guó)家頂級(jí)加工能力的利器。 初冬，中關(guān)村環(huán)保園一間工廠里，幾十臺(tái)離子束刻蝕機(jī)、鍍膜機(jī)正在運(yùn)行。
2016-12-13 01:48:111880 離子束（FIB）、掃描電子顯微鏡（SEM）、透射電子顯微鏡（TEM）以及VC定位技術(shù)。通過(guò)上述分析得出分析結(jié)論，完成分析報(bào)告，將分析報(bào)告交給相關(guān)技術(shù)人員。
2018-09-05 09:45:0012933 在電路板焊接的過(guò)程中焊接材料的成分和焊料的性質(zhì)會(huì)直接影響到電路板焊接的質(zhì)量。主要有：電極、焊接用錫等相關(guān)的焊接物料，另外在焊接的時(shí)候還要注意的是焊接過(guò)程中的化學(xué)反應(yīng)，化學(xué)反應(yīng)是電路板焊接過(guò)程中重要的組成部分，主要的作用是鏈接電路板通道的作用。
2019-06-04 17:05:043227 近日，中科院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院等離子體物理研究所在自主發(fā)展聚變工程技術(shù)即研發(fā)射頻負(fù)離子束源方面取得重要進(jìn)展，實(shí)現(xiàn)了穩(wěn)定可重復(fù)的百秒量級(jí)強(qiáng)流負(fù)離子束引出。
2020-08-06 15:43:131087 隨著電子技術(shù)的發(fā)展，印制電路板從單面板逐步發(fā)展為雙面板、多層板、撓性板和剛－撓結(jié)合板，制造加工技術(shù)上不斷向高精度、高密度、細(xì)孔徑、細(xì)導(dǎo)線、小間距、高可靠、多層化、輕量化、薄型化方向發(fā)展，印制電路板
2020-08-21 17:07:572299 
電子束加工和離子束加工是近年來(lái)得到較大發(fā)展的新型特種加工。他們?cè)诰芪⒓?xì)加工方面，尤其是在微電子學(xué)領(lǐng)域中得到較多的應(yīng)用。通常來(lái)說(shuō)，電子束加工主要用于打孔、焊接等熱加工和電子束光刻化學(xué)加工，而離子束加工則主要用于離子刻蝕、離子鍍膜和離子注入等加工。?
2021-03-17 20:10:4815 聚焦離子束技術(shù)（Focused Ion beam，F(xiàn)IB）是利用電透鏡將離子束聚焦成非常小尺寸的離子束轟擊材料表面，實(shí)現(xiàn)材料的剝離、沉積、注入、切割和改性。隨著納米科技的發(fā)展，納米尺度制造業(yè)發(fā)展迅速，而納米加工就是納米制造業(yè)的核心部分，納米加工的代表性方法就是聚焦離子束。
2021-04-03 13:51:003467 隨著納米科技的發(fā)展，納米尺度制造業(yè)發(fā)展迅速，而納米加工就是納米制造業(yè)的核心部分，納米加工的代表性方法就是聚焦離子束。
2021-03-25 16:40:0815989 
離子束用于各種應(yīng)用場(chǎng)合，諸如，質(zhì)譜儀和離子注入機(jī)等。離子 束電流通常非常?。╩A）， 所以需要使用靜電計(jì)或皮安表來(lái)進(jìn)行測(cè)量。今天安泰測(cè)試為大家介紹如何使用吉時(shí)利皮安表6485 型和 6487 型皮安表來(lái)進(jìn)行這種測(cè)量工作。在電流靈敏度更高時(shí)，可以改用靜電計(jì)來(lái)進(jìn)行測(cè)量。
2021-09-10 14:04:57792 聚焦離子束（FIB）與掃描電子顯微鏡（SEM）耦合成為FIB-SEM雙束系統(tǒng)后，通過(guò)結(jié)合相應(yīng)的氣體沉積裝置，納米操縱儀，各種探測(cè)器及可控的樣品臺(tái)等附件成為一個(gè)集微區(qū)成像、加工、分析、操縱于一體
2021-09-18 10:52:095204 
目的：? 電路板品質(zhì)的好壞、問(wèn)題的發(fā)生與解決、制程改進(jìn)的評(píng)估，在都需要切片做為客觀檢查、研究與判斷的根據(jù)。切片質(zhì)量的好壞，對(duì)結(jié)果的判定影響很大。? 切片分析主要用于檢查PCB內(nèi)部走線厚度、層數(shù)，通孔
2021-10-19 15:28:0510303 
聚焦離子束(FIB)與掃描電子顯微鏡(SEM)耦合成為FIB-SEM雙束系統(tǒng)后，通過(guò)結(jié)合相應(yīng)的氣體沉積裝置，納米操縱儀，各種探測(cè)器及可控的樣品臺(tái)等附件成為一個(gè)集微區(qū)成像、加工、分析、操縱于一體
2022-03-15 09:23:411685 一、FIB設(shè)備型號(hào)：Zeiss Auriga Compact 聚焦離子束顯微鏡 (FIB-SEM) 聚焦離子束(FIB)與掃描電子顯微鏡(SEM)耦合成為FIB-SEM雙束系統(tǒng)后，通過(guò)結(jié)合相應(yīng)的氣體
2021-11-06 09:43:133285 
二次離子質(zhì)譜（SIMS）是一種分析方法。具有高空間分辨率和高靈敏度的工具。它使用高度聚焦的離子束（通常是氧氣或（無(wú)機(jī)樣品用銫離子）“濺射”樣品表面上選定區(qū)域的材料。
2022-11-22 10:44:091227 
1、聚焦離子束技術(shù)（FIB） 聚焦離子束技術(shù)（Focused Ion beam，F(xiàn)IB）是利用電透鏡將離子束聚焦成非常小尺寸的離子束轟擊材料表面，實(shí)現(xiàn)材料的剝離、沉積、注入、切割和改性。隨著納米
2023-01-16 17:10:222521 離子束輔助沉積 (IBAD) 是一種薄膜沉積技術(shù)，可與濺射或熱蒸發(fā)工藝一起使用，以獲得具有出色工藝控制和精度的最高質(zhì)量薄膜。
2023-06-08 11:10:222341 
均勻性（1 σ）達(dá)到 離子束刻蝕屬于干法刻蝕, 其核心部件為離子源. 作為蝕刻機(jī)的核心部件,?KRi? 射頻離子源提供大尺寸, 高能量, 低濃度的寬束離子束, 接受客戶定制, 單次工藝時(shí)間更長(zhǎng), 滿足
2023-06-15 14:58:471187 
上海伯東客戶某高校使用國(guó)產(chǎn)品牌離子束濺射鍍膜機(jī)用于金屬薄膜制備, 工藝過(guò)程中, 國(guó)產(chǎn)離子源鎢絲僅使用 18個(gè)小時(shí)就會(huì)燒斷, 必須中斷鍍膜工藝更換鎢絲, 無(wú)法滿足長(zhǎng)時(shí)間離子束濺射鍍膜的工藝要求, 導(dǎo)致
2023-05-25 15:53:361791 
蔡司用于亞10納米級(jí)應(yīng)用的離子束顯微鏡ORION NanoFab,集 3 種聚焦離子束于一身的顯微鏡，可以實(shí)現(xiàn)亞 10 nm 結(jié)構(gòu)的超高精度加工快速、精準(zhǔn)的亞 10 納米結(jié)構(gòu)加工。借助 ORION
2023-07-19 15:45:07564 
上海伯東美國(guó) KRi 考夫曼品牌 RF 射頻離子源, 無(wú)需燈絲提供高能量, 低濃度的寬束離子束, 離子束轟擊濺射目標(biāo), 濺射的原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, IBSD 離子束濺射沉積 和 IBD 離子束沉積是其典型的應(yīng)用.
2023-05-25 10:18:341024 
博仕檢測(cè)聚焦離子束FIB-SEM測(cè)試案例
2023-09-04 18:49:411022 
什么是FIB？FIB有哪些應(yīng)用？如何修改線路做FIB？FIB怎么做失效分析？FIB還能生長(zhǎng)PAD？FIB案例有些？ FIB是Focused Ion Beam（聚焦離子束）的縮寫(xiě)，是一種利用離子束刻蝕
2023-11-07 10:35:045692 電子束加工（Electron Beam Machining 簡(jiǎn)稱EBM）起源于德國(guó)。1948年德國(guó)科學(xué)家斯特格瓦發(fā)明了第一臺(tái)電子束加工設(shè)備。它是一種利用高能量密度的電子束對(duì)材料進(jìn)行工藝處理的方法統(tǒng)。
2023-12-07 11:31:231604 
去除表面鈍化層、金屬化層和層間介質(zhì)后有時(shí)依然無(wú)法觀察到失效點(diǎn)，這時(shí)候就需要對(duì)芯片進(jìn)行進(jìn)一步處理，對(duì)于多層布線的芯片干法腐蝕或者濕法腐蝕來(lái)逐一去除，直至最后一層金屬化和介質(zhì)層。
2024-01-09 15:17:27394 開(kāi)始密切關(guān)注納米探針技術(shù)在PN結(jié)特性分析和摻雜區(qū)域表征等應(yīng)用領(lǐng)域。 以下將分享兩個(gè)典型案例。 利用蔡司雙束電鏡Crossbeam系列(查看更多)的離子束在SiC MOSFET芯片上加工出一個(gè)坡面，把襯底和器件結(jié)構(gòu)暴露出來(lái)，然后利用納米探針和樣品表面源極接觸
2024-05-07 15:06:32544 
離子束拋光的工作原理、樣品參數(shù)選擇依據(jù)；然后，利用離子束拋光系統(tǒng)對(duì)典型的封裝互連結(jié)構(gòu)進(jìn)行拋光， 結(jié)合材料和離子束刻蝕理論進(jìn)行參數(shù)探索；最后， 對(duì)尺寸測(cè)量、成分分布和相結(jié)構(gòu)等信息進(jìn)行觀察和分析， 為離子束拋光系統(tǒng)在微電子封裝破壞
2024-07-04 17:24:42467 
雙束聚焦離子束(FIB)系統(tǒng)概述雙束聚焦離子束(FIB)系統(tǒng)是一種集成了單束聚焦離子束和掃描電子顯微鏡(SEM)功能的高精度微納加工技術(shù)。這種系統(tǒng)通過(guò)精確控制離子束與樣品的相互作用，實(shí)現(xiàn)了對(duì)材料
2024-10-29 16:10:58444 
集成電路制造中的先進(jìn)束流技術(shù)在集成電路的制造過(guò)程中，三種先進(jìn)的束流技術(shù)——電子束、光子束和離子束技術(shù)，扮演著至關(guān)重要的角色。這些技術(shù)不僅推動(dòng)了微電子器件的精密制造，也為半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展提供了強(qiáng)大
2024-11-12 23:50:41520 
納米科技是當(dāng)前科學(xué)研究的前沿領(lǐng)域，納米測(cè)量學(xué)和納米加工技術(shù)在其中扮演著至關(guān)重要的角色。電子束和離子束等工藝是實(shí)現(xiàn)納米尺度加工的關(guān)鍵手段。特別是聚焦離子束（FIB）系統(tǒng)，通過(guò)結(jié)合高強(qiáng)度的離子束和實(shí)時(shí)
2024-11-14 23:24:13436 
本文介紹了聚焦離子束（FIB）技術(shù)的特點(diǎn)、優(yōu)勢(shì)以及應(yīng)用。 一、FIB 在芯片失效分析中的重要地位 芯片作為現(xiàn)代科技的核心組成部分，其可靠性至關(guān)重要。而在芯片失效分析領(lǐng)域，聚焦離子束（FIB）技術(shù)正
2024-11-21 11:07:01543 
納米級(jí)材料分析的革命性技術(shù)在現(xiàn)代科學(xué)研究和工程技術(shù)中，對(duì)材料的微觀結(jié)構(gòu)和性質(zhì)的深入理解是至關(guān)重要的。聚焦離子束掃描電子顯微鏡（FIB-SEM）技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，它融合了聚焦離子束（FIB）的微區(qū)加工能力
2024-11-23 00:51:17519 
芯片失效分析的關(guān)鍵工具在半導(dǎo)體行業(yè)迅速發(fā)展的今天，芯片的可靠性成為了衡量其性能的關(guān)鍵因素。聚焦離子束（FIB）技術(shù)，作為一種先進(jìn)的微納加工技術(shù)，對(duì)于芯片失效分析至關(guān)重要。在芯片失效分析中的核心作用
2024-11-28 17:11:13566 
聚焦離子束（FocusedIonBeam，簡(jiǎn)稱FIB）技術(shù)是一種精密的微納加工手段，它通過(guò)將離子束聚焦到極高的精度，實(shí)現(xiàn)對(duì)材料的精確蝕刻和加工。FIB技術(shù)的核心在于其能夠產(chǎn)生具有極細(xì)直徑的離子束
2024-12-02 15:25:24331 
蔡司代理三本精密儀器獲悉。蔡司推出全新雙束電鏡Crossbeam550Samplefab作為一款專為半導(dǎo)體行業(yè)TEM樣品制備開(kāi)發(fā)的高端聚焦離子束掃描電子顯微鏡(FIB-SEM
2024-12-03 15:52:07212 
聚焦離子束技術(shù)（FIB）聚焦離子束技術(shù)（FocusedIonBeam，F(xiàn)IB）是一種高精度的微納加工手段，它通過(guò)加速并聚焦液態(tài)金屬離子源產(chǎn)生的離子束，照射在樣品表面，從而產(chǎn)生二次電子信號(hào)以形成電子像
2024-12-04 12:37:25375 
。FIB技術(shù)的起源FIB技術(shù)的歷史可以追溯到20世紀(jì)60年代，當(dāng)時(shí)科學(xué)家們開(kāi)始探索使用離子束對(duì)樣品進(jìn)行分析和加工的可能性。在隨后的幾十年里，這項(xiàng)技術(shù)經(jīng)歷了從實(shí)驗(yàn)室原
2024-12-05 15:32:57306 
的合同中，電子供應(yīng)商必須同意這些質(zhì)量保證條款，并處理制造商提出的關(guān)于產(chǎn)品故障的投訴。芯片失效分析的復(fù)雜性芯片失效分析的過(guò)程相當(dāng)復(fù)雜，尤其是對(duì)于裸芯片的分析。這包括將裸
2024-12-13 00:20:38646 
領(lǐng)域發(fā)展的重要推動(dòng)力。聚焦離子束(FIB)技術(shù)的應(yīng)用聚焦離子束技術(shù)利用高能離子束對(duì)材料進(jìn)行精細(xì)加工，并與掃描電子顯微鏡協(xié)同工作，為納米器件的制造和加工提供了創(chuàng)新途徑。
2024-12-17 15:08:14668 
???? 聚焦離子束（FIB）在材料表征方面有著廣泛的應(yīng)用，包括透射電鏡（TEM）樣品的制備。在這方面，F(xiàn)IB比傳統(tǒng)的氬離子束研磨具有許多優(yōu)勢(shì)。例如，電子透明區(qū)域可以高精度定位，研磨時(shí)間更短，并且
2024-12-19 10:06:40430 
聚焦離子束（FIB）技術(shù)憑借其在微納米尺度加工和分析上的高精度和精細(xì)控制，已成為材料科學(xué)、納米技術(shù)和半導(dǎo)體工業(yè)等領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)。該技術(shù)通過(guò)精確操控具有特定能量的離子束與材料相互作用，引發(fā)一系列復(fù)雜
2024-12-19 12:40:46402 
子束技術(shù)概述聚焦離子束技術(shù)是一種先進(jìn)的納米加工技術(shù)，它通過(guò)靜電透鏡將離子束精確聚焦至2至3納米的束寬，對(duì)材料表面進(jìn)行精細(xì)的加工處理。這項(xiàng)技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)材料的剝離、沉積、注入、切割和改性等多種操作
2024-12-25 11:58:22377 
，其中聚焦離子束（FIB）技術(shù)在故障分析中扮演了關(guān)鍵角色。FIB技術(shù)的工作原理與優(yōu)勢(shì)聚焦離子束技術(shù)采用液態(tài)金屬鎵作為離子源，通過(guò)施加負(fù)電壓場(chǎng)將鎵離子束引出，實(shí)現(xiàn)對(duì)
2024-12-26 14:49:22484 
IBE (Ion Beam Etching) 離子束刻蝕, 通常使用 Ar 氣體作為蝕刻氣體, 將與電子的沖擊產(chǎn)生的離子在 200~ 1000ev 的范圍內(nèi)加速, 利用離子的物理動(dòng)能, 削去基板表面
2024-12-26 15:21:19320 在材料分析中的關(guān)鍵作用在材料科學(xué)領(lǐng)域，聚焦離子束（FIB）技術(shù)已經(jīng)成為一種重要的工具，尤其在制備透射電子顯微鏡（TEM）樣品時(shí)顯示出其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。金鑒實(shí)驗(yàn)室作為行業(yè)領(lǐng)先的檢測(cè)機(jī)構(gòu)，能夠幫助
2025-01-07 11:19:32149 
納米結(jié)構(gòu)加工。液態(tài)金屬鎵因其卓越的物理特性，常被選作理想的離子源材料。技術(shù)應(yīng)用的多樣性聚焦離子束技術(shù)在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出其廣泛的應(yīng)用潛力，如修復(fù)掩模板、調(diào)整電路、分析
2025-01-08 10:59:36143 
聚焦離子束（FIB）在芯片制造中的應(yīng)用聚焦離子束（FIB）技術(shù)在半導(dǎo)體芯片制造領(lǐng)域扮演著至關(guān)重要的角色。它不僅能夠進(jìn)行精細(xì)的結(jié)構(gòu)切割和線路修改，還能用于觀察和制備透射電子顯微鏡（TEM）樣品。金屬鎵
2025-01-10 11:01:38163 
聚焦離子束（FIB）技術(shù)是一種高精度的納米加工和分析工具，廣泛應(yīng)用于微電子、材料科學(xué)和生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域。FIB通過(guò)將高能離子束聚焦到樣品表面，實(shí)現(xiàn)對(duì)材料的精確加工和分析。目前，使用Ga（鎵）離子
2025-01-14 12:04:31261 
與分析。FIB切片技術(shù)基礎(chǔ)FIB切片技術(shù)的核心在于使用一束高能量的離子束對(duì)樣本進(jìn)行精確的切割。這一過(guò)程開(kāi)始于離子源產(chǎn)生離子束，隨后通過(guò)聚焦透鏡和掃描電極的引導(dǎo)，形成
2025-01-17 15:02:49178 
聚焦離子束（FIB）技術(shù)概述聚焦離子束（FIB）技術(shù)是一種通過(guò)離子源產(chǎn)生的離子束，經(jīng)過(guò)過(guò)濾和靜電磁場(chǎng)聚焦，形成直徑為納米級(jí)的高能離子束。這種技術(shù)用于對(duì)樣品表面進(jìn)行精密加工，包括切割、拋光和刻蝕
2025-01-24 16:17:29351 
近年來(lái)，聚焦離子束（FocusedIonBeam，F(xiàn)IB）技術(shù)作為一種新型的微分析和微加工技術(shù)，在元器件可靠性領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用，為提高元器件的可靠性提供了重要的技術(shù)支持。元器件可靠性的重要性目前
2025-02-07 14:04:4092 
納米的精準(zhǔn)尺度聚焦離子束技術(shù)的核心機(jī)制在于利用高能離子源產(chǎn)生離子束，并借助電磁透鏡系統(tǒng)，將離子束精準(zhǔn)聚焦至微米級(jí)乃至納米級(jí)的極小區(qū)域。當(dāng)離子束與樣品表面相互作用時(shí)，其能量傳遞與物質(zhì)相互作用的特性被
2025-02-11 22:27:5064 
什么是聚焦離子束？聚焦離子束（FocusedIonBeam，簡(jiǎn)稱FIB）技術(shù)作為一種前沿的納米級(jí)加工與分析手段，近年來(lái)在眾多領(lǐng)域嶄露頭角。它巧妙地融合了離子束技術(shù)與掃描電子顯微鏡（SEM）技術(shù)的優(yōu)勢(shì)
2025-02-13 17:09:03123 
工作原理聚焦離子束顯微鏡的原理是通過(guò)將離子束聚焦到納米尺度，并探測(cè)離子與樣品之間的相互作用來(lái)實(shí)現(xiàn)成像。離子束可以是氬離子、鎵離子等，在加速電壓的作用下，形成高能離子束。通過(guò)使用電場(chǎng)透鏡系統(tǒng)，離子束
2025-02-14 12:49:2475 
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