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微捷碼Quartz DRC物理驗(yàn)證通過GF 28nm驗(yàn)證

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2011-01-26 08:59:39628

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增長近28%!傳聯(lián)電明年28nm制程晶圓報(bào)價(jià)飆升至每片2300美元

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2020-08-20 18:02:05

如何利用28nm高端FPGA實(shí)現(xiàn)功耗和性能的平衡?

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2019-09-17 08:18:19

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無法驗(yàn)證郵箱,總是提示驗(yàn)證碼錯(cuò)誤,驗(yàn)證碼明明是正確的。

`無法驗(yàn)證郵箱,總是提示驗(yàn)證碼錯(cuò)誤,驗(yàn)證碼明明是正確的。是不是系統(tǒng)的bug?`
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請(qǐng)大神解釋一下28nm下是沒有MIM電容了嗎?

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請(qǐng)問工程師,C2000系列產(chǎn)品的制程是45nm還是28nm?同一款新片可能采用不同的制程生產(chǎn)嗎?
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【來源】:《電子設(shè)計(jì)工程》2010年02期【摘要】:<正>賽靈思公司與聯(lián)華電子共同宣布,采用聯(lián)華電子高性能40nm工藝的Virtex-6FPGA,已經(jīng)完全通過生產(chǎn)前的驗(yàn)證
2010-04-24 09:06:05

采用低功耗28nm降低系統(tǒng)總成本

本資料是關(guān)于如何采用低功耗28nm降低系統(tǒng)總成本
2012-07-31 21:25:06

華大電子設(shè)計(jì)流程采用Calibre物理驗(yàn)證工具

摘要:隨著芯片集成度和規(guī)模的不斷提高,在設(shè)計(jì)的各個(gè)層次上所需運(yùn)行的驗(yàn)證也相應(yīng)增多,尤其是芯片DRC/LVS物理驗(yàn)證變得越來越復(fù)雜,它對(duì)于消除版圖設(shè)計(jì)錯(cuò)誤、提高產(chǎn)品良率
2010-06-07 10:30:2521

用Hercules完成物理驗(yàn)證的詳細(xì)流程

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無線溫度驗(yàn)證系統(tǒng) 溫度壓力一體 溫度驗(yàn)證儀分有線系統(tǒng)與無線系統(tǒng)。有線的溫度驗(yàn)證系統(tǒng)精度低,價(jià)格相對(duì)于無線產(chǎn)品的價(jià)格要低廉的多,無線驗(yàn)證系統(tǒng)操作方便,節(jié)省時(shí)間,而有線布線特別麻煩。所以在某些全封閉
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國產(chǎn)光刻機(jī)進(jìn)度如何?28nm技術(shù)問世#科技第三集

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2020-09-16 15:01:231560

半導(dǎo)體制程發(fā)展:28nm向3nm的“大躍進(jìn)”

雖然高端市場(chǎng)會(huì)被 7nm、10nm以及14nm/16nm工藝占據(jù),但40nm、28nm等并不會(huì)退出。如28nm和16nm工藝現(xiàn)在仍然是臺(tái)積電的營收主力,中芯國際則在持續(xù)提高28nm良率。
2020-10-15 11:18:024719

美國允許臺(tái)積電向華為供貨28nm芯片

據(jù)外媒最新報(bào)道,近日美國政府允許了臺(tái)積電向華為供貨芯片,但只是允許向華為供應(yīng)一部分成熟工藝的產(chǎn)品,即:28nm工藝或以上的產(chǎn)品! 臺(tái)積電從美國商務(wù)部獲得許可證,能夠繼續(xù)向華為供應(yīng)一部分成熟工藝產(chǎn)品
2020-10-23 10:54:442708

DigiTimes :臺(tái)積電 28nm產(chǎn)能罕見滿載 中芯轉(zhuǎn)單效應(yīng)提前發(fā)酵

據(jù)臺(tái)媒 DigiTimes 報(bào)道,供應(yīng)鏈表示,臺(tái)積電 28nm 制程產(chǎn)能利用率過去始終未達(dá)預(yù)期,第 4 季度出現(xiàn)多年未見的滿載情況。 IT之家了解到,報(bào)道指出,其中,高通(Qualcomm
2020-11-04 10:24:271509

臺(tái)積電28nm的產(chǎn)能利用率未能達(dá)到預(yù)期

該報(bào)道指出,產(chǎn)能滿載的主要推動(dòng)力在于高通、博通將原先在中芯國際的28nm訂單提前轉(zhuǎn)移到了臺(tái)積電。
2020-11-04 16:05:451622

28nm目前全球的晶圓代工狀況

28nm目前國內(nèi)主要的芯片產(chǎn)品以及未來5年可能會(huì)導(dǎo)入的新的芯片產(chǎn)品
2020-12-02 10:31:093845

Omdia 研究報(bào)告,28nm 將在未來 5 年成為半導(dǎo)體應(yīng)用的長節(jié)點(diǎn)制程工藝

12 月 3 日消息 據(jù) Omdia 研究報(bào)告,28nm 將在未來 5 年成為半導(dǎo)體應(yīng)用的長節(jié)點(diǎn)制程工藝。 在摩爾定律的指引下,集成電路的線寬不斷縮小,基本上是按每?jī)赡昕s小至原尺寸的 70% 的步伐
2020-12-03 17:02:252413

臺(tái)積電和聯(lián)華電子28nm工藝將滿負(fù)荷運(yùn)行

據(jù)國外媒體報(bào)道,雖然目前最先進(jìn)的芯片制程工藝已經(jīng)達(dá)到5nm,但成熟的28nm工藝,目前仍還有大量的需求,28nm工藝目前就還仍是臺(tái)積電的第4大收入來源,貢獻(xiàn)了去年四季度臺(tái)積電營收的11%,是4項(xiàng)營收占比超過10%的工藝之一。
2021-01-19 15:07:481810

傳中芯國際已獲14/28nm許可,官方回應(yīng)

日前有消息稱中芯國際已經(jīng)獲得了美國部分許可,14、28nm工藝的設(shè)備允許進(jìn)口。
2021-03-03 11:22:221635

曾經(jīng)被28nm改寫的半導(dǎo)體市場(chǎng)

最近,關(guān)于28nm工藝的新聞?lì)l頻見于報(bào)端。 一方面,臺(tái)積電日前宣布,將斥資約800億元新臺(tái)幣,把在南京廠建置28納米制程,目標(biāo)在2023年中前達(dá)到4萬片月產(chǎn)能。除此之外,市場(chǎng)中也有消息傳出晶圓代工
2021-05-06 17:32:322770

22nm28nm芯片性能差異

據(jù)芯片行業(yè)來看,目前22nm28nm的芯片工藝技術(shù)已經(jīng)相當(dāng)成熟了,很多廠商也使用22nm28nm的芯片居多,主要原因就是價(jià)格便宜,那么這兩個(gè)芯片之間有什么性能差異呢?
2022-06-29 09:47:467987

基于28nm工藝制程的7系列FPGA

7系列FPGA是基于28nm工藝制程。在7系列FPGA中,每個(gè)輸入/輸出區(qū)域(I/O Bank)包含50個(gè)輸入/輸出管腳,其中有4對(duì)(8個(gè))全局時(shí)鐘管腳,稱之為CCIO(Clock-capable IO)。
2023-03-03 09:46:491323

IP_數(shù)據(jù)表(I-26):USB2.0 Transceiver for Samsung 28nm

IP_數(shù)據(jù)表(I-26):USB2.0 Transceiver for Samsung 28nm
2023-03-14 19:20:110

IP_數(shù)據(jù)表(I-28):MIPI D-PHY Tx/Rx for Samsung 28nm

IP_數(shù)據(jù)表(I-28):MIPI D-PHY Tx/Rx for Samsung 28nm
2023-03-14 19:20:430

IP 數(shù)據(jù)表: 1.8V Standard Cell for TSMC 28nm HPC+

IP 數(shù)據(jù)表: 1.8V Standard Cell for TSMC 28nm HPC+
2023-03-14 19:21:550

IP_數(shù)據(jù)表(I-5):SerDes PHY for TSMC 28nm HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(I-5):SerDes PHY for TSMC 28nm HPC+
2023-03-16 19:25:461

IP_數(shù)據(jù)表(I-2):Combo PHY for TSMC 28nm HPM

IP_數(shù)據(jù)表(I-2):Combo PHY for TSMC 28nm HPM
2023-03-16 19:26:220

IP_數(shù)據(jù)表(Z-4):1.8V StndardCell for TSMC 28nm HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(Z-4):1.8V StndardCell for TSMC 28nm HPC+
2023-03-16 19:26:321

IP_數(shù)據(jù)表(I-1):Combo Serdes PHY for TSMC 28nm HPM

IP_數(shù)據(jù)表(I-1):Combo Serdes PHY for TSMC 28nm HPM
2023-03-16 19:31:220

IP_數(shù)據(jù)表(I-4):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC

IP_數(shù)據(jù)表(I-4):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC
2023-03-16 19:31:340

IP_數(shù)據(jù)表(I-6):SATA PHY for TSMC 28nm HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(I-6):SATA PHY for TSMC 28nm HPC+
2023-03-16 19:31:530

IP_數(shù)據(jù)表(I-19):FPD-Link Receiver for TSMC 28nm HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(I-19):FPD-Link Receiver for TSMC 28nm HPC+
2023-03-16 19:32:060

IP_數(shù)據(jù)表(I-20):FPD-Link Transmitter for TSMC 28nm HPC

IP_數(shù)據(jù)表(I-20):FPD-Link Transmitter for TSMC 28nm HPC
2023-03-16 19:32:200

IP_數(shù)據(jù)表(Z-1):GPIO for TSMC 28nm HPM/HPC/HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(Z-1):GPIO for TSMC 28nm HPM/HPC/HPC+
2023-03-16 19:32:490

IP_數(shù)據(jù)表(I-10):USB2.0 Transceiver for TSMC 28nm HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(I-10):USB2.0 Transceiver for TSMC 28nm HPC+
2023-03-16 19:34:540

IP_數(shù)據(jù)表(I-3):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(I-3):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC+
2023-03-16 19:35:091

IP_數(shù)據(jù)表(I-26):USB2.0 Transceiver for Samsung 28nm

IP_數(shù)據(jù)表(I-26):USB2.0 Transceiver for Samsung 28nm
2023-07-05 19:45:460

IP_數(shù)據(jù)表(I-28):MIPI D-PHY Tx/Rx for Samsung 28nm

IP_數(shù)據(jù)表(I-28):MIPI D-PHY Tx/Rx for Samsung 28nm
2023-07-05 19:46:141

IP 數(shù)據(jù)表: 1.8V Standard Cell for TSMC 28nm HPC+

IP 數(shù)據(jù)表: 1.8V Standard Cell for TSMC 28nm HPC+
2023-07-05 19:47:130

IP_數(shù)據(jù)表(I-5):SerDes PHY for TSMC 28nm HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(I-5):SerDes PHY for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:11:570

IP_數(shù)據(jù)表(I-2):Combo PHY for TSMC 28nm HPM

IP_數(shù)據(jù)表(I-2):Combo PHY for TSMC 28nm HPM
2023-07-06 20:12:261

IP_數(shù)據(jù)表(Z-4):1.8V StndardCell for TSMC 28nm HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(Z-4):1.8V StndardCell for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:12:360

IP_數(shù)據(jù)表(I-1):Combo Serdes PHY for TSMC 28nm HPM

IP_數(shù)據(jù)表(I-1):Combo Serdes PHY for TSMC 28nm HPM
2023-07-06 20:17:410

IP_數(shù)據(jù)表(I-4):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC

IP_數(shù)據(jù)表(I-4):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC
2023-07-06 20:17:540

IP_數(shù)據(jù)表(I-6):SATA PHY for TSMC 28nm HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(I-6):SATA PHY for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:18:070

IP_數(shù)據(jù)表(I-19):FPD-Link Receiver for TSMC 28nm HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(I-19):FPD-Link Receiver for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:18:200

IP_數(shù)據(jù)表(I-20):FPD-Link Transmitter for TSMC 28nm HPC

IP_數(shù)據(jù)表(I-20):FPD-Link Transmitter for TSMC 28nm HPC
2023-07-06 20:18:392

IP_數(shù)據(jù)表(Z-1):GPIO for TSMC 28nm HPM/HPC/HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(Z-1):GPIO for TSMC 28nm HPM/HPC/HPC+
2023-07-06 20:19:040

IP_數(shù)據(jù)表(I-10):USB2.0 Transceiver for TSMC 28nm HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(I-10):USB2.0 Transceiver for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:21:030

IP_數(shù)據(jù)表(I-3):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(I-3):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:21:220

臺(tái)積電第一家日本工廠即將開張:預(yù)生產(chǎn)28nm工藝芯片

這座晶圓廠于2022年4月開始新建,大樓主結(jié)構(gòu)已完工,且辦公室部分區(qū)域也在今年8月啟用。將生產(chǎn)N28 28nm級(jí)工藝芯片,這是日本目前最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝。22ULP工藝也會(huì)在這里生產(chǎn),但注意它不是22nm,而是28nm的一個(gè)變種,專用于超低功耗設(shè)備。
2024-01-03 15:53:27433

怎么通過HyperLynx DRC增強(qiáng)大規(guī)模PCB設(shè)計(jì)驗(yàn)證能力呢?

HyperLynx DRC已被證明是我們進(jìn)行設(shè)計(jì)驗(yàn)證時(shí)不可或缺的工具,在確保我們的設(shè)計(jì)具有優(yōu)異的性能方面發(fā)揮了關(guān)鍵作用。
2024-01-11 17:27:12469

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