場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(xiě)（FET））簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類(lèi)型（junction FET—JFET）和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡(jiǎn)稱(chēng)MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱(chēng)為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。場(chǎng)效應(yīng)管（FET）是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，并以此命名。由于它僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，又稱(chēng)單極型晶體管。FET 英文為Field Effect Transistor，簡(jiǎn)寫(xiě)成FET。

　　場(chǎng)效應(yīng)管大全（工作原理，作用，特性，驅(qū)動(dòng)電路，使用方法）：場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理：

　　場(chǎng)效應(yīng)管工作原理用一句話說(shuō)，就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID，用以柵極與溝道間的pn結(jié)形成的反偏的柵極電壓控制ID”。更正確地說(shuō)，ID流經(jīng)通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結(jié)反偏的變化，產(chǎn)生耗盡層擴(kuò)展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區(qū)域，表示的過(guò)渡層的擴(kuò)展因?yàn)椴缓艽?，根?jù)漏極-源極間所加VDS的電場(chǎng)，源極區(qū)域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流ID流動(dòng)。

　　從門(mén)極向漏極擴(kuò)展的過(guò)度層將溝道的一部分構(gòu)成堵塞型，ID飽和。將這種狀態(tài)稱(chēng)為夾斷。這意味著過(guò)渡層將溝道的一部分阻擋，并不是電流被切斷。 在過(guò)渡層由于沒(méi)有電子、空穴的自由移動(dòng)，在理想狀態(tài)下幾乎具有絕緣特性，通常電流也難流動(dòng)。但是此時(shí)漏極-源極間的電場(chǎng)，實(shí)際上是兩個(gè)過(guò)渡層接觸漏極與門(mén)極下部附近，由于漂移電場(chǎng)拉去的高速電子通過(guò)過(guò)渡層。因漂移電場(chǎng)的強(qiáng)度幾乎不變產(chǎn)生ID的飽和現(xiàn)象。其次，VGS向負(fù)的方向變化，讓VGS=VGS（off），此時(shí)過(guò)渡層大致成為覆蓋全區(qū)域的狀態(tài)。而且VDS的電場(chǎng)大部分加到過(guò)渡層上，將電子拉向漂移方向的電場(chǎng)，只有靠近源極的很短部分，這更使電流不能流通。

　　場(chǎng)效應(yīng)管大全（工作原理，作用，特性，驅(qū)動(dòng)電路，使用方法）：場(chǎng)效應(yīng)管的作用：

　　作用：1.場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。2.場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。3.場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻。4.場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。5.場(chǎng)效應(yīng)管可以用作電子開(kāi)關(guān)。

　　場(chǎng)效應(yīng)管大全（工作原理，作用，特性，驅(qū)動(dòng)電路，使用方法）：場(chǎng)效應(yīng)管的驅(qū)動(dòng)電路：

　　如下圖：

　　場(chǎng)效應(yīng)管大全（工作原理，作用，特性，驅(qū)動(dòng)電路，使用方法）：場(chǎng)效應(yīng)管的特性：

　　與雙極型晶體管相比，場(chǎng)效應(yīng)管具有如下特點(diǎn)。

　　（1）場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，它通過(guò)VGS（柵源電壓）來(lái)控制ID（漏極電流）；

　?。?）場(chǎng)效應(yīng)管的控制輸入端電流極小，因此它的輸入電阻（107～1012Ω）很大。

　?。?）它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，因此它的溫度穩(wěn)定性較好；

　?。?）它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù)；

　?。?）場(chǎng)效應(yīng)管的抗輻射能力強(qiáng)；

　　（6）由于它不存在雜亂運(yùn)動(dòng)的電子擴(kuò)散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。

　　場(chǎng)效應(yīng)管大全（工作原理，作用，特性，驅(qū)動(dòng)電路，使用方法）：場(chǎng)效應(yīng)管的使用方法：

　　方案1要用P溝道場(chǎng)管，IRF640N是N溝道的，不能用，還要求PLC的OC端能承受24V電壓，這點(diǎn)可能不行。

　　方案2用N溝道場(chǎng)管，IRF640N可行。

　　兩個(gè)方案都是低電平接通電磁閥，高電平斷開(kāi)。

　　場(chǎng)效應(yīng)管要注意防靜電。很容易燒壞的。舉個(gè)例子：做一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管的的開(kāi)關(guān)電路，控制25w 24v的電磁鐵 ，電源 直流24v ，信號(hào)電壓 8v，最低1.7v ，信號(hào)和輸出都是兩個(gè) ，一個(gè)離合， 一個(gè)剎車(chē) ，交替運(yùn)行 每秒大約5次。方法：1.7至8V的信號(hào)電壓通過(guò)限流電阻接至三極管基極，三極管集電極觸發(fā)由CD4013數(shù)字集成電路電路組成的單穩(wěn)態(tài)電路，數(shù)字電路4013的輸出端Q和Q非分別驅(qū)動(dòng)2個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管，二個(gè)效應(yīng)管均可驅(qū)動(dòng)電磁鐵線圈，使離合、剎車(chē)交替進(jìn)行，選取合適的單穩(wěn)態(tài)電阻和電容元件可以使離合 、剎車(chē)每秒1次以上。

　　場(chǎng)效應(yīng)管電壓控制元件，僅僅在開(kāi)關(guān)時(shí)候需要從柵極吸收或者釋放電流，因此驅(qū)動(dòng)損耗較小。多子器件，沒(méi)有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，有一個(gè)近似線性I-V關(guān)系，導(dǎo)通壓降隨著電流增大增大。高耐壓的場(chǎng)效應(yīng)管的漂移區(qū)較厚，因此導(dǎo)通電阻較大。導(dǎo)通電阻具有正溫度系數(shù)，并聯(lián)時(shí)候可以實(shí)現(xiàn)自動(dòng)均流。硅半導(dǎo)體的MOSFET耐壓等級(jí)為600V以下。這是因?yàn)閷?dǎo)通壓降和耐壓的關(guān)系的限制。新型的碳化硅MOSFET的耐壓等級(jí)可以做到1200V。對(duì)于高耐壓情況，IGBT結(jié)合了MOSFET和晶體管的特性，具有MOSFET優(yōu)異的開(kāi)關(guān)性能和晶體管的靜態(tài)性能，在1000V~6000V應(yīng)用場(chǎng)合更受到青睞。

　　場(chǎng)效應(yīng)管大全（工作原理，作用，特性，驅(qū)動(dòng)電路，使用方法）：大電流場(chǎng)效應(yīng)管的型號(hào)有哪些？

　　下面按順序 型號(hào) 耐壓 功率 2SK1119 1000 4 100 GH30N100 1000 30 250 IXGH10N100 1000 10 100 IXGH15N100 1000 15 150 2SK1271 1400 5 240

　　場(chǎng)效應(yīng)管大全（工作原理，作用，特性，驅(qū)動(dòng)電路，使用方法）：場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)量方法：

　　場(chǎng)效應(yīng)管英文縮寫(xiě)為FET?？煞譃榻Y(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET），我們平常簡(jiǎn)稱(chēng)為MOS管。而MOS管又可分為增強(qiáng)型和耗盡型而我們平常主板中常見(jiàn)使用的也就是增強(qiáng)型的MOS管。

　　下圖為MOS管的標(biāo)識(shí)

　　我們主板中常用的MOS管GDS三個(gè)引腳是固定的，不管是N溝道還是P溝道都一樣，把芯片放正，從左到右分別為G極D極S極！如下圖：用二極管檔對(duì)MOS管的測(cè)量，首先要短接三只引腳對(duì)管子進(jìn)行放電。

　　1然后用紅表筆接S極。黑表筆接D極。如果測(cè)得有500多的數(shù)值，說(shuō)明此管為N溝道。

　　2黑筆不動(dòng)，用紅筆去接觸G極測(cè)得數(shù)值為1

　　3紅筆移回到S極。此時(shí)管子應(yīng)該為導(dǎo)通

　　4然后紅筆測(cè)D極。而黑筆測(cè)S極。應(yīng)該測(cè)得數(shù)值為1。（這一步時(shí)要注意。因?yàn)橹皽y(cè)量時(shí)給了G極2。5V萬(wàn)用表的電壓，所以DS之間還是導(dǎo)通的，不過(guò)大概10幾秒后才恢復(fù)正常，建議進(jìn)行這一步時(shí)再次短接三腳給管子放電先）

　　5然后紅筆不動(dòng)。黑筆去測(cè)G極，數(shù)值應(yīng)該為

　　到此我們可以判定此N溝道場(chǎng)管為正常。有的人說(shuō)后面兩步可以省略不測(cè)，不過(guò)我習(xí)慣性把五個(gè)步驟全用上，呵呵，個(gè)人習(xí)慣問(wèn)題！?。‘?dāng)然。對(duì)P溝道的測(cè)量步驟也一樣，只不過(guò)第一步為黑表筆測(cè)S極。紅表筆測(cè)D極，可以測(cè)得500多的數(shù)值。