10月7日，臺積電宣布，其業(yè)界首款可商用的極紫外（EUV）光刻技術(shù)七納米plus（N7+）將向客戶交付產(chǎn)品。采用EUV技術(shù)的N7+工藝建立在臺積電成功的7nm節(jié)點之上，為6nm及更先進的技術(shù)鋪平了道路。

N7+的量產(chǎn)是有史記錄以來最快之一。N7+于2019年第二季度開始量產(chǎn)，其產(chǎn)量與最初的N7工藝（已超過一年的產(chǎn)量）相近。

N7+還提供了改進的整體性能。與N7工藝相比，N7+的密度提高了15％至20％，并降低了功耗，這使其成為行業(yè)下一波產(chǎn)品越來越受歡迎的首選。臺積電一直在快速部署容量以滿足由多個客戶驅(qū)動的N7+需求。

EUV技術(shù)使臺積電能夠繼續(xù)推動芯片尺寸的開發(fā)，因為較短波長的EUV光能夠更好地打印出先進技術(shù)設計的納米級特征。臺積電的EUV工具已達到生產(chǎn)成熟度，工具的可用性已達到批量生產(chǎn)的目標，并且在日常操作中的輸出功率大于250瓦。

“隨著AI和5G的不斷涌現(xiàn)，使IC改善生活的新方法如此之多，我們的客戶充滿了創(chuàng)新的前沿設計理念，他們依靠臺積電的技術(shù)和制造來使它們成為現(xiàn)實，”臺積電業(yè)務發(fā)展副總裁張凱文博士說?！拔覀冊贓UV上的成功讓臺積電不僅使那些領(lǐng)先的設計成為可能，而且憑借我們卓越的制造能力實現(xiàn)了大批量交付的又一個很好的例子?！?/p>

基于其成功的經(jīng)驗，N7+為未來的先進工藝技術(shù)奠定了基礎(chǔ)。臺積電將在2020年第一季度將N6技術(shù)投入風險生產(chǎn)，并在年底之前實現(xiàn)量產(chǎn)。隨著EUV的進一步應用，N6的邏輯密度將比N7高18％，并且與N7完全兼容的設計規(guī)則使客戶可以大大縮短產(chǎn)品上市時間。