一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

三星3nm工藝明年量產(chǎn)不太可能實(shí)現(xiàn)

汽車玩家 ? 來(lái)源:TechWeb ? 作者:辣椒客 ? 2020-04-07 17:43 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

4月7日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,在5nm工藝即將大規(guī)模量產(chǎn)的情況下,3nm工藝就成了臺(tái)積電和三星這兩大芯片代工商關(guān)注的焦點(diǎn),三星電子旗下的三星晶圓代工,此前設(shè)定的目標(biāo)是在2021年大規(guī)模量產(chǎn)3nm工藝。

但外媒最新的報(bào)道顯示,三星3nm工藝已不太可能在2021年大規(guī)模量產(chǎn),目前來(lái)看2022年將是更現(xiàn)實(shí)的時(shí)間點(diǎn)。

外媒是援引行業(yè)的消息,報(bào)道三星的3nm工藝可能推遲至2022年大規(guī)模量產(chǎn)的,推遲至2021年則主要是受當(dāng)前疫情的影響。當(dāng)前的疫情對(duì)物流和交通運(yùn)輸服務(wù)造成了影響,導(dǎo)致3nm工藝所需的極紫外光刻機(jī)和其他關(guān)鍵生產(chǎn)設(shè)備的交付延期,進(jìn)而導(dǎo)致了量產(chǎn)的時(shí)間推遲。

目前還不清楚三星競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的3nm工藝是否會(huì)受到影響,如果競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手正常推進(jìn),對(duì)三星可能就會(huì)非常不利。

值得注意的是,作為目前全球僅有的一家能生產(chǎn)極紫外光刻機(jī)的廠商,阿斯麥此前已經(jīng)下調(diào)了今年一季度的業(yè)績(jī)預(yù)期,由2019年第四季度及全年的業(yè)績(jī)報(bào)告中預(yù)計(jì)的31億歐元到33億歐元之間,下調(diào)到了23億歐元至24億歐元。

阿斯麥調(diào)整一季度的業(yè)績(jī)預(yù)期,主要也是受疫情的影響,但他們也給出了3個(gè)方面的具體原因,其中就包括光刻機(jī)交付的延遲,部分廠商對(duì)他們的交付能力存在擔(dān)憂,為了加快交付進(jìn)度,部分廠商甚至要求他們?cè)谕瓿烧5墓S驗(yàn)收之前就交付。

從外媒此前的報(bào)道來(lái)看,三星的3nm工藝,將采用環(huán)繞柵極晶體管(GAAFET))技術(shù),這是同7nm和5nm工藝所使用的鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)完全不同的技術(shù),面積可以縮小35%,此前的報(bào)道是顯示三星3nm芯片的性能較5nm可以提升33%,基于GAAFET技術(shù)的三星3nm原型工藝,此前已經(jīng)投產(chǎn)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 三星電子
    +關(guān)注

    關(guān)注

    34

    文章

    15888

    瀏覽量

    182376
  • 晶圓
    +關(guān)注

    關(guān)注

    53

    文章

    5166

    瀏覽量

    129851
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    三星代工大變革:2nm全力沖刺,1.4nm量產(chǎn)延遲至2029年

    在全球半導(dǎo)體代工領(lǐng)域的激烈競(jìng)爭(zhēng)中,三星電子的戰(zhàn)略動(dòng)向一直備受矚目。近期,有消息傳出,三星代工業(yè)務(wù)在制程技術(shù)推進(jìn)方面做出重大調(diào)整,原本計(jì)劃于2027年量產(chǎn)的1.4nm制程
    的頭像 發(fā)表于 07-03 15:56 ?237次閱讀

    三星在4nm邏輯芯片上實(shí)現(xiàn)40%以上的測(cè)試良率

    似乎遇到了一些問(wèn)題 。 另一家韓媒《DealSite》當(dāng)?shù)貢r(shí)間17日?qǐng)?bào)道稱,自 1z nm 時(shí)期開始出現(xiàn)的電容漏電問(wèn)題正對(duì)三星 1c nm DRAM 的開發(fā)量產(chǎn)造成明顯影響。
    發(fā)表于 04-18 10:52

    千億美元打水漂,傳三星取消1.4nm晶圓代工工藝

    次公開了?SF1.4(1.4nm?級(jí)別)工藝,原預(yù)計(jì)?2027?年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。按照三星當(dāng)時(shí)的說(shuō)法,SF1.4?將納米片的數(shù)量從?3?個(gè)增加到?
    的頭像 發(fā)表于 03-23 11:17 ?1392次閱讀

    千億美元打水漂,傳三星取消1.4nm晶圓代工工藝?

    次公開了 SF1.4(1.4nm 級(jí)別)工藝,原預(yù)計(jì) 2027 年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。按照三星當(dāng)時(shí)的說(shuō)法,SF1.4 將納米片的數(shù)量從 3 個(gè)增加到
    的頭像 發(fā)表于 03-22 00:02 ?1924次閱讀

    三星量產(chǎn)第四代4nm芯片

    據(jù)外媒曝料稱三星量產(chǎn)第四代4nm芯片。報(bào)道中稱三星自從2021年首次量產(chǎn)4nm芯片以來(lái),每年都
    的頭像 發(fā)表于 03-12 16:07 ?1.2w次閱讀

    三星2025年晶圓代工投資減半

    工廠和華城S3工廠。盡管投資規(guī)模有所縮減,但三星在這兩大工廠的項(xiàng)目推進(jìn)上并未止步。 平澤P2工廠方面,三星計(jì)劃將部分3nm生產(chǎn)線轉(zhuǎn)換到更為先進(jìn)的2n
    的頭像 發(fā)表于 01-23 11:32 ?628次閱讀

    三星電子1c nm內(nèi)存開發(fā)良率里程碑推遲

    據(jù)韓媒報(bào)道,三星電子已將其1c nm DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時(shí)間推遲了半年。原本,三星計(jì)劃在2024年底將1c nm制程DRAM的良率提升至70%,以達(dá)到結(jié)束開發(fā)工作、順利進(jìn)入
    的頭像 發(fā)表于 01-22 15:54 ?604次閱讀

    三星1c nm DRAM開發(fā)良率里程碑延期

    據(jù)韓媒MoneyToday報(bào)道,三星電子已將其1c nm(1-cyano nanometer)DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時(shí)間從原定的2024年底推遲至2025年6月。這一變動(dòng)可能對(duì)三星
    的頭像 發(fā)表于 01-22 14:27 ?644次閱讀

    三星重啟1b nm DRAM設(shè)計(jì),應(yīng)對(duì)良率與性能挑戰(zhàn)

    近日,據(jù)韓媒最新報(bào)道,三星電子在面對(duì)其12nm級(jí)DRAM內(nèi)存產(chǎn)品的良率和性能雙重困境時(shí),已于2024年底作出了重要決策。為了改善現(xiàn)狀,三星決定在優(yōu)化現(xiàn)有1b nm
    的頭像 發(fā)表于 01-22 14:04 ?870次閱讀

    消息稱臺(tái)積電3nm、5nm和CoWoS工藝漲價(jià),即日起效!

    )計(jì)劃從2025年1月起對(duì)3nm、5nm先進(jìn)制程和CoWoS封裝工藝進(jìn)行價(jià)格調(diào)整。 先進(jìn)制程2025年喊漲,最高漲幅20% 其中,對(duì)3nm、5nm
    的頭像 發(fā)表于 01-03 10:35 ?668次閱讀

    臺(tái)積電2nm工藝量產(chǎn),蘋果iPhone成首批受益者

    。然而,最新的供應(yīng)鏈消息卻透露了一個(gè)不同的方向。據(jù)悉,A19系列芯片將采用臺(tái)積電的第3nm工藝(N3P)進(jìn)行制造,并將由即將發(fā)布的iPhone 17系列首發(fā)搭載。 雖然A19系列未
    的頭像 發(fā)表于 12-26 11:22 ?729次閱讀

    臺(tái)積電產(chǎn)能爆棚:3nm與5nm工藝供不應(yīng)求

    臺(tái)積電近期成為了高性能芯片代工領(lǐng)域的明星企業(yè),其產(chǎn)能被各大科技巨頭瘋搶。據(jù)最新消息,臺(tái)積電的3nm和5nm工藝產(chǎn)能利用率均達(dá)到了極高水平,其中3nm將達(dá)到100%,而5
    的頭像 發(fā)表于 11-14 14:20 ?961次閱讀

    三星電子:18FDS將成為物聯(lián)網(wǎng)和MCU領(lǐng)域的重要工藝

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/吳子鵬)今年上半年,三星在FD-SOI工藝上面再進(jìn)一步。3月份,意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)宣布與三星聯(lián)合推出18
    發(fā)表于 10-23 11:53 ?643次閱讀
    <b class='flag-5'>三星</b>電子:18FDS將成為物聯(lián)網(wǎng)和MCU領(lǐng)域的重要<b class='flag-5'>工藝</b>

    三星加速2nm及1.4nm制程投資

    三星正加速其在先進(jìn)制程領(lǐng)域的投資步伐,計(jì)劃于明年第一季度在平澤一廠的“S3”代工線建成一條月產(chǎn)能達(dá)7000片晶圓的2nm生產(chǎn)線。此舉標(biāo)志著三星
    的頭像 發(fā)表于 10-11 16:09 ?674次閱讀

    三星電子加速推進(jìn)HBM4研發(fā),預(yù)計(jì)明年量產(chǎn)

    三星電子在半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新之路上再邁堅(jiān)實(shí)一步,據(jù)業(yè)界消息透露,該公司計(jì)劃于今年年底正式啟動(dòng)第6代高帶寬存儲(chǔ)器(HBM4)的流片工作。這一舉措標(biāo)志著三星電子正緊鑼密鼓地為明年年底實(shí)現(xiàn)12
    的頭像 發(fā)表于 08-22 17:19 ?1069次閱讀