日前，三星電子宣布，由三星為業(yè)內(nèi)最先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)專門研發(fā)的硅驗(yàn)證3D IC封裝技術(shù)，eXtended－Cube，簡稱為X－cube，已經(jīng)可以投入使用。

X－cube運(yùn)用了三星的硅通孔技術(shù)（TSV），在速度和功率效率方面實(shí)現(xiàn)了重大飛躍，能夠滿足包括5G、AI、高性能計算、移動和可穿戴設(shè)備在內(nèi)的下一代應(yīng)用對性能的嚴(yán)格要求。

“即使是在尖端EUV工藝節(jié)點(diǎn)中，三星新一代3D封裝技術(shù)也能確保穩(wěn)定的TSV互聯(lián)?！比请娮覨oundry市場戰(zhàn)略部高級副總裁Moonsoo Kang說道，“未來，三星電子會實(shí)現(xiàn)更多3D IC技術(shù)創(chuàng)新，推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展?！?/p>

在三星X－Cube技術(shù)加持下，芯片設(shè)計者在構(gòu)建定制方案時能以更高的靈活性去滿足客戶獨(dú)特的需求。以7nm工藝生產(chǎn)的X－cube試驗(yàn)芯片利用TSV技術(shù)，將SRAM堆疊在單一的邏輯裸片（die）上，為在更小的面積內(nèi)封裝更多內(nèi)存空出了空間。此外，運(yùn)用3D集成技術(shù)，這種超薄的封裝設(shè)計縮短了裸片間的信號路徑，實(shí)現(xiàn)了數(shù)據(jù)傳輸速度以及能效的最大化。同時，客戶也可以根據(jù)自己的需求對內(nèi)存帶寬和密度進(jìn)行調(diào)節(jié)。

三星方面表示，目前，X－Cube封裝方案已經(jīng)可以投入實(shí)際使用，對7nm和5nm制程芯片都適用。在初始設(shè)計之上，三星還計劃和全球范圍內(nèi)的Fabless客戶繼續(xù)合作，以推進(jìn)3D IC方案在下一代高性能應(yīng)用中的使用。

這項技術(shù)的更多細(xì)節(jié)將在一年一度的熱門芯片大會（Hot Chips）上披露，今年大會的召開時間為8月16－18日。