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三星電子已決定在美國(guó)建立完全采用EUV生產(chǎn)設(shè)備的LSI工廠

ss ? 來(lái)源:OFweek電子工程網(wǎng) ? 作者:OFweek電子工程網(wǎng) ? 2020-11-22 09:12 ? 次閱讀
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據(jù)韓國(guó)媒體《Infostock Daily》11月18日引述消息人士報(bào)道,三星電子已決定在美國(guó)建立完全采用EUV(極紫外光)生產(chǎn)設(shè)備的LSI(Large-scale integrated circuit,大規(guī)模集成電路)工廠。

同一天,美國(guó)亞利桑那州鳳凰城的市議會(huì),以9:0投票結(jié)果一致同意批準(zhǔn)了與臺(tái)積電達(dá)成投資協(xié)議。

晶圓代工業(yè)界前兩大廠商前后腳確認(rèn)、推進(jìn)在美國(guó)設(shè)廠事宜,還真是值得關(guān)注。

據(jù)《Infostock Daily》消息,三星擬投資100億美元,在美國(guó)德克薩斯州奧斯汀市建立一座12吋晶圓新廠——這是三星在美國(guó)的第二座生產(chǎn)基地,產(chǎn)能為70K。臺(tái)灣聯(lián)合新聞網(wǎng)文章引述業(yè)界解讀稱,三星在美國(guó)將擴(kuò)大7nm以下,甚至更先進(jìn)的3nm先進(jìn)制程工藝的布局,意在緊追臺(tái)積電在美國(guó)投資腳步。

韓媒稱,三星這座預(yù)計(jì)全部采用EUV生產(chǎn)設(shè)備的新廠,將是三星在韓國(guó)以外第一個(gè)使用EUV生產(chǎn)的廠區(qū)。這樣做的目的也是加快拉近與臺(tái)積電差距。這座工廠啟用后將生產(chǎn)非存儲(chǔ)芯片,以及系統(tǒng)整合芯片(system LSI)。不過(guò),韓國(guó)媒體的報(bào)道未提及三星將在奧斯汀設(shè)立的這座新工廠是否已經(jīng)通過(guò)美國(guó)政府的審查或已進(jìn)入最終階段。

根據(jù)三星官方信息,今年5月,三星在韓國(guó)平澤啟動(dòng)建設(shè)5nm的EUV工廠,而華城廠區(qū)則已量產(chǎn)5nm。在韓國(guó)本土,三星共計(jì)有六大生產(chǎn)基地,在美國(guó),此前僅有在德州設(shè)有12吋廠生產(chǎn)65nm乃至14nm制程工藝的產(chǎn)品。

類比臺(tái)積電,三星也有可能可以獲利美國(guó)政府的產(chǎn)業(yè)補(bǔ)助。不過(guò)業(yè)界推測(cè),三星要在美國(guó)設(shè)立的新廠如果確實(shí)要爭(zhēng)取美國(guó)補(bǔ)助,那么時(shí)間上可能不會(huì)很快,預(yù)料仍要一段時(shí)間,最快明年才會(huì)有新進(jìn)展。

臺(tái)積電方面,依據(jù)鳳凰城與臺(tái)積電的協(xié)議,這個(gè)計(jì)劃中共計(jì)120億美元的投資項(xiàng)目,鳳凰城將為其提供基礎(chǔ)設(shè)施方面2.05億美元的市政建設(shè)資金。其中,包括6,100萬(wàn)美元用于鋪設(shè)3英里的道路建設(shè),3,700萬(wàn)美元用于水力建設(shè),以及1.07億美元用于廢水處理設(shè)施。(詳見(jiàn)OFweek昨日文章《臺(tái)積電美國(guó)設(shè)廠最新進(jìn)展:落地鳳凰城,美方先補(bǔ)貼2.05億美元》)

11月20日,臺(tái)積電還公布了最新消息,其在美國(guó)的兩家子公司取得了加州圣何塞當(dāng)?shù)?,423坪不動(dòng)產(chǎn)使用權(quán),將持續(xù)擴(kuò)大在美國(guó)市場(chǎng)的布局。

責(zé)任編輯:xj

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