2022年8月17日，由全球電子技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先媒體集團(tuán)ASPENCORE舉辦的IIC國(guó)際集成電路展覽會(huì)暨中國(guó)IC設(shè)計(jì)成就獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)典禮在南京隆重舉行，憑借優(yōu)秀的技術(shù)產(chǎn)品化和商業(yè)化落地能力，維安(WAYON)自主設(shè)計(jì)研發(fā)的WMO05N100C2(1000V 3.5Ω TO-252/DPAK SJ-MOSFET)產(chǎn)品獲得2022中國(guó)IC設(shè)計(jì)成就獎(jiǎng)之年度最佳功率器件/寬禁帶器件獎(jiǎng)。

中國(guó)IC設(shè)計(jì)成就獎(jiǎng)是中國(guó)電子業(yè)界廣泛認(rèn)可、最具專(zhuān)業(yè)性和影響力的獎(jiǎng)項(xiàng)之一，旨在表彰在中國(guó)IC設(shè)計(jì)鏈中占據(jù)領(lǐng)先地位或展現(xiàn)卓越設(shè)計(jì)能力與技術(shù)服務(wù)水平、或具極大發(fā)展?jié)摿Φ淖罴压?、團(tuán)體、以及杰出個(gè)人，獲此殊榮，維安在此特別感謝IC設(shè)計(jì)成就獎(jiǎng)的主辦單位及各位業(yè)界同仁們，感謝大家對(duì)我們的支持及肯定。

維安面向全球市場(chǎng)，在800V及以上超高壓產(chǎn)品進(jìn)行了大量的技術(shù)投入。經(jīng)過(guò)多年在超高壓SJ-MOSFET產(chǎn)品領(lǐng)域的研發(fā)積累，維安已開(kāi)發(fā)出國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的工藝技術(shù)，相應(yīng)小封裝高耐壓低導(dǎo)通電阻類(lèi)產(chǎn)品可以做到行業(yè)內(nèi)較高水平，能夠?yàn)榭蛻?hù)提供高功率密度的800V及900V以上耐壓產(chǎn)品。維安1000V SJ-MOSFET產(chǎn)品利用電荷平衡原理，實(shí)現(xiàn)了高耐壓產(chǎn)品的低導(dǎo)通電阻特性，相比VD-MOSFET 結(jié)構(gòu)工藝產(chǎn)品，SJ-MOSFET具有更小封裝工藝和更好成本控制的雙重優(yōu)勢(shì)。

目前市場(chǎng)主流的1000V耐壓MOSFET產(chǎn)品多以TO-247、TO-3P甚至TO-268較大封裝為主，而維安1000V器件WMO05N100C2使用TO-252/DPAK貼片封裝工藝，內(nèi)阻低至3.5Ω，相比同規(guī)格VD-MOSFET產(chǎn)品 6-7Ω的內(nèi)阻水平下降近1倍。目前該類(lèi)型產(chǎn)品在工業(yè)控制、中低壓配電等380V AC輸入場(chǎng)景中具有廣泛應(yīng)用前景。

獲獎(jiǎng)產(chǎn)品曾獲得2016年上海張江國(guó)家自主創(chuàng)新示范區(qū)專(zhuān)項(xiàng)發(fā)展資金資助，榮獲“2018年上海市高新技術(shù)成果轉(zhuǎn)化項(xiàng)目”、“2019年度浦東新區(qū)科技進(jìn)步三等獎(jiǎng)“、“2020年科創(chuàng)投杯海聚英才-銀聚獎(jiǎng)”。

半導(dǎo)體是電子信息領(lǐng)域戰(zhàn)略性、先導(dǎo)性產(chǎn)業(yè)，是支撐國(guó)家電子信息技術(shù)高速發(fā)展的基石產(chǎn)業(yè)，維安通過(guò)關(guān)鍵技術(shù)創(chuàng)新，突破了傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體器件中耐壓和導(dǎo)通電阻之間相互制約的“硅限”問(wèn)題，使得功率半導(dǎo)體器件在高耐壓、低功耗、小型化、集成化的方向具有更大的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，為功率電源提供了可靠的核心器件，廣泛應(yīng)用到國(guó)家戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)，產(chǎn)生了良好的社會(huì)經(jīng)濟(jì)效益。

維安成立于1996年，以收入計(jì)，是國(guó)內(nèi)電路保護(hù)領(lǐng)域第一大企業(yè)，專(zhuān)注于電路保護(hù)與功率控制的元器件及半導(dǎo)體解決方案的設(shè)計(jì)、制造、銷(xiāo)售。公司通過(guò)不斷的技術(shù)創(chuàng)新，致力于成為電路保護(hù)與功率控制領(lǐng)域的全球領(lǐng)先品牌。

審核編輯黃昊宇