電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/周凱揚(yáng)）自從2.5D/3D封裝、Chiplet、異構(gòu)集成等技術(shù)出現(xiàn)以來，CPU、GPU和內(nèi)存之間的界限就已經(jīng)變得逐漸模糊。單個(gè)SoC究竟集成了哪些邏輯單元和存儲單元，全憑借廠商自己的設(shè)計(jì)路線。這樣的設(shè)計(jì)其實(shí)為單芯片的能效比帶來了一輪新的攀升，但也極大地增加了開發(fā)難度。即便如此，還是有不少廠商在不遺余力地朝這個(gè)方向發(fā)展，最典型的莫過于AMD。

AMD的存儲堆疊之路

要說玩堆疊存儲，AMD確實(shí)是走得最靠前的一位，例如AMD如今在消費(fèi)級和數(shù)據(jù)中心級別CPU上逐漸使用的3D V-Cache技術(shù)，就是直接將SRAM緩存堆疊至CPU上。將在今年正式落地的第四代EPYC服務(wù)器處理器，就采用了13個(gè)5nm/6nm Chiplet混用的方案，最高將L3緩存堆疊至了可怕的384MB。

在消費(fèi)端，AMD的Ryzen 7 5800X3D同樣也以驚人的姿態(tài)出世，以超大緩存帶來了極大的游戲性能提升。即將正式發(fā)售的Ryzen 9 7950X3D也打出了128MB三級緩存的夸張參數(shù)，這些產(chǎn)品的出現(xiàn)可謂打破了過去CPU廠商拼時(shí)鐘頻率、拼核心數(shù)的僵局，讓消費(fèi)者真切地感受到了額外的體驗(yàn)提升。
GPU也不例外，雖然AMD如今的消費(fèi)級GPU基本已經(jīng)放棄了HBM堆疊方案，但是在AMD的數(shù)據(jù)中心GPU，例如Instinct MI250X，卻依然靠著堆疊做到了128GB的HBM2e顯存，做到了3276.8GB/s的峰值內(nèi)存帶寬。而下一代MI300，AMD則選擇了轉(zhuǎn)向APU方案，將CPU、GPU和HBM全部整合在一起，以新的架構(gòu)沖擊Exascale級的AI世代。

其實(shí)這也是AMD收購Xilinx最大的收獲之一，早在十多年前Xilinx的3DIC技術(shù)也已經(jīng)為多Die堆疊打下了基礎(chǔ)。在收購Xilinx之際，AMD也提到這次交易會擴(kuò)張AMD在die堆疊、封裝、Chiplet和互聯(lián)技術(shù)上的開發(fā)能力。在完成Xilinx的收購后，也可以看出AMD在架構(gòu)上的創(chuàng)新有了很大的飛躍。

在近期的ISSCC 2023上，AMD CEO蘇姿豐透露了他們的下一步野心，那就是直接將DRAM堆疊至CPU上。這里的堆疊并非硅中介層互聯(lián)、存儲單元垂直堆疊在一起的2.5D封裝方案，也就是如今常見的HBM統(tǒng)一內(nèi)存方案，AMD提出的是直接將計(jì)算單元與存儲單元垂直堆疊在一起的3D混合鍵封裝方案。

CPU與DRAM垂直堆疊

主流服務(wù)器性能的提升速度，已經(jīng)快要趕上過去的摩爾定律了。根據(jù)AMD統(tǒng)計(jì)的CPU供應(yīng)商數(shù)據(jù)，每過2.4年主流服務(wù)器性能就會翻一倍?？上拗破淅^續(xù)發(fā)展的不再只是放緩的摩爾定律，還有內(nèi)存上帶來的限制。內(nèi)存墻這樣的性能瓶頸，不僅在限制CPU的性能發(fā)揮，同樣限制了GPU的性能發(fā)揮。

考慮到明面上解決這個(gè)問題的主力軍是存儲廠商，所以提出的大部分創(chuàng)新方案，例如存內(nèi)計(jì)算等等，也都是創(chuàng)造算力更高的存儲器產(chǎn)品。蘇姿豐博士也指出，從她這個(gè)處理器從業(yè)者的角度來說，這一路線有些反常理，但從系統(tǒng)層面來說，她也可以理解該需求存在的意義。而AMD這次提出的方案，則是從計(jì)算芯片出發(fā)，將存儲器堆疊整合進(jìn)去。
從AMD給出的能量效率分析來看，DIMM這樣的片外內(nèi)存訪問能量效率在12pj/bit左右，2.5D的HBM方案在3.5pj/bit左右，而3D垂直堆疊的鍵合方案卻可以做到0.2pj/bit，從而利用更低的功耗來做到大帶寬。況且由于計(jì)算單元和存儲單元的集成度更高了，傳輸?shù)难舆t必然也會有顯著的降低。

這套方案的出現(xiàn)意味著至少堆疊的內(nèi)存容量足夠大，服務(wù)器CPU甚至可以省去DIMM內(nèi)存插槽，進(jìn)一步減小空間占用。但這套方案具體能做堆疊多少內(nèi)存，AMD并沒有給出具體的數(shù)字，如果可堆疊的內(nèi)存數(shù)量與如今的L3緩存一樣僅有數(shù)百兆的話，那帶來的性能提升很可能不值一提。

另外就是散熱問題，從AMD給出的示意圖來看，他們選擇了內(nèi)存單元在上，計(jì)算單元在下的方案，這種3D架構(gòu)很可能會對散熱產(chǎn)生一定負(fù)面作用，但性能損失會相對較少一些。比如MI300方案中，AMD就換成了CPU和GPU單元在上，緩存和互聯(lián)在下的方案。

捆綁銷售嫌疑？

在消費(fèi)級領(lǐng)域，其實(shí)CPU與內(nèi)存捆綁銷售已經(jīng)不是什么新鮮事了，就拿蘋果的M系列芯片為例。自打蘋果轉(zhuǎn)向Arm陣營，推出M系列芯片后，Mac生態(tài)的定制空間就基本只存在于購買前了，雖然華強(qiáng)北的大神們依然能夠找到一些方式來擴(kuò)展固態(tài)硬盤閃存，但內(nèi)存基本就與SoC徹底綁定了，用戶只能忍受高昂的容量定價(jià)，才不會在高負(fù)載工作時(shí)出現(xiàn)內(nèi)存不夠用的窘境。

可在服務(wù)器市場，已經(jīng)有了相當(dāng)成熟的DIMM內(nèi)存生態(tài)，甚至未來還有CXL內(nèi)存虎視眈眈，AMD這套“捆綁銷售”的方案究竟能否收獲良好的市場反響我們無從得知，很明顯這對內(nèi)存模組廠商是存在一定威脅的。但話又說回來，AMD這套方案并沒有徹底斷絕擴(kuò)展內(nèi)存的可能性，在需要超大容量的內(nèi)存池時(shí)，依然可以選擇傳統(tǒng)的擴(kuò)展方案，而不是死磕堆疊內(nèi)存的方案。

AMD的方案更像是給到了一個(gè)片上高速方案，從當(dāng)下的工藝來看，應(yīng)該還難以實(shí)現(xiàn)大容量的堆疊。所以在CPU上垂直堆疊DRAM，更像是AMD的另一套負(fù)載加速方案。畢竟根據(jù)蘇姿豐博士的說法，AMD也很清楚現(xiàn)有的3D V-Cache SRAM堆疊方案只能提高特定負(fù)載的性能，DRAM堆疊方案的性能加速覆蓋面無疑要更廣一些。

寫在最后

其實(shí)ChatGPT這樣的應(yīng)用出現(xiàn)，不僅帶動了一波GPU訂單量的狂飆，也讓HBM、DDR5這些大帶寬的內(nèi)存有了用武之地，讓人們終于看到了打破內(nèi)存墻的應(yīng)用價(jià)值，而不只是將其視為一個(gè)徒增成本的性能瓶頸。

而AMD雖然提出了將內(nèi)存堆疊至CPU上的技術(shù)路線，也并沒有放棄對其他方案的考量，比如他們也在和三星展開HBM2上的存算一體研究。如果AMD選擇將CPU堆疊內(nèi)存與存算一體結(jié)合在一起的話，或許會給其數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品帶來更大的優(yōu)勢。