隨著高壓、高頻及高溫領域應用的逐漸提高，第三代半導體技術高頻化和可靠性等性能的要求已是必須。

第三代半導體材料通常是指氮化鎵、碳化硅、氧化鋅、金剛石等，其中氮化鎵、碳化硅為主要代表。在禁帶寬度、介電常數、導熱率及最高工作溫度等方面，氮化鎵、碳化硅性能表現更為出色，逐步應用在5G通信、新能源汽車、光伏等領域。

雖然硅(Si)是目前技術最成熟、使用范圍最廣、市場占比最大的襯底材料，但近年來硅材料的潛力已經開發(fā)殆盡。圍繞功率、頻率兩個維度來講，雖然Si-IGBT在高壓領域有優(yōu)勢但無法勝任高頻領域的要求，Si-MOSFET能勝任高頻領域但對電壓有所限制，而SiC-MOSFET完美得解決了高壓和高頻在硅基上難以兼得的問題。

圖：第三代半導體應用領域

在不考慮成本的情況下，SiC-MOSFET憑借其高效率、小體積的特性在兼容高壓中頻的基礎上成為電動汽車、充電樁、光伏逆變等領域的最佳解決方案;GaN-MOSFET則憑借其超高頻率的特性在5G射頻領域大有可為，當前主要為5G基站 PA 未來有望拓寬到終端設備射頻(手機等)。此外， GaN-MOSFET在1000V以下的快充、電動汽車等中低壓領域有較大的應用潛力。

從整體產值規(guī)模來看，根據CASA數據，2020年，我國第三代半導體整體產值超過7100億。其中，SiC、GaN電力電子產值規(guī)模達44.7億元，同比增長54%;GaN微波射頻產值達到60.8億元，同比增長80.3%。另有預計，2023年第三代半導體材料滲透率有望接近5%。

目前，隨著高壓、高頻及高溫領域應用的逐漸提高，以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導體應用對器件的高頻化和可靠性等性能提出了要求。為了進一步了解碳化硅和氮化鎵半導體器件的應用及其技術進展，同時更好地應對第三代半導體應用對磁元件、半導體器件技術高頻化、可靠性的挑戰(zhàn)問題，第三代半導體技術作為2023’中國電子熱點解決方案創(chuàng)新峰會的分論壇之一，將于3月24日下午在深圳(寶安)登喜路國際大酒店二樓C廳正式舉辦。

2023’中國電子熱點解決方案創(chuàng)新峰會是以“新電源·智能域·賦能‘芯’生態(tài)”為主題，將匯聚2000+上下游合作商，40+方案提供商輪番演講，20+專家現場探討，涵蓋8個年度熱點話題，攜手100+展商解鎖熱點應用。

峰會議題內容豐富，領域涉獵廣泛。除卻第三代半導體技術分論壇，新能源汽車超充技術、便攜式鋰電BMS技術與電池安全、AIoT與智能家居技術、AIoT&智能照明與大功率驅動電源、PD電源解決方案、光伏儲能技術創(chuàng)新和5G基站電源與智能燈桿技術7大分論壇將同期舉行。

2023’中國電子熱點解決方案創(chuàng)新峰會

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審核編輯黃宇