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重慶,功率半導(dǎo)體新貴!

芯司機 ? 來源:芯司機 ? 2023-07-13 11:36 ? 次閱讀

眾所周知,功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心,主要用于改變電子裝置中的電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等。

近年來,在終端市場的持續(xù)推動下,功率半導(dǎo)體作為實現(xiàn)電氣化系統(tǒng)自主可控以及節(jié)能環(huán)保的核心零部件,關(guān)鍵性地位空前凸顯,未來將在新能源汽車、智能電網(wǎng)、云計算和大數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域迎來大量且迫切的需求。

其中,中國功率半導(dǎo)體供應(yīng)商逐步在行業(yè)中扮演重要角色,產(chǎn)品由低端開始走向中高端,市場逐漸從依賴進口向國內(nèi)自給自足轉(zhuǎn)變,國產(chǎn)替代空間廣闊。

據(jù)Omdia預(yù)測,預(yù)計未來中國功率半導(dǎo)體將繼續(xù)保持平穩(wěn)增長,2022-2027年CAGR約4.5%左右,高于全球功率半導(dǎo)體市場增速。至2027年中國功率半導(dǎo)體行業(yè)市場規(guī)模有望達到238億美元。

從當(dāng)前國內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體來看,呈現(xiàn)產(chǎn)業(yè)鏈完整、廠家數(shù)量多、發(fā)展迅速等特點。按區(qū)域來看,目前中國功率半導(dǎo)體企業(yè)主要分布在長三角和珠三角等地。據(jù)統(tǒng)計,截至2022年6月底,廣東共有相關(guān)功率半導(dǎo)體企業(yè)數(shù)114家,江蘇則有82家。

然而,在這些老牌強勢地區(qū)外,在功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新浪潮中,重慶正在努力走到前列。

早在2021年末,《重慶市戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展“十四五”規(guī)劃(2021—2025年)》中就指出,重慶正在謀劃建設(shè)半導(dǎo)體設(shè)備重點集聚區(qū),力爭在“十四五”期間建成全國最大的功率半導(dǎo)體生產(chǎn)基地和集成電路特色工藝技術(shù)高地,讓集成電路產(chǎn)業(yè)成為重慶制造業(yè)的一張新名片。

重慶,正在成為功率半導(dǎo)體行業(yè)新貴

在目標和規(guī)劃指引下,重慶功率半導(dǎo)體市場頻頻傳來新動態(tài)。

深藍汽車&斯達半導(dǎo)

近日,長安旗下品牌深藍汽車與斯達半導(dǎo)體組建了一家全新合資公司,名為“重慶安達半導(dǎo)體有限公司”,地址位于重慶市。

據(jù)悉,雙方將圍繞車規(guī)級功率半導(dǎo)體模塊開展合作,共同推進下一代功率半導(dǎo)體在新能源汽車領(lǐng)域的商業(yè)化應(yīng)用,助力中國新能源汽車產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。

斯達半導(dǎo)體長期致力于新能源汽車功率半導(dǎo)體芯片和模塊的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售,是國內(nèi)新能源汽車大功率車規(guī)級功率模塊的主要供應(yīng)商。2022年斯達半導(dǎo)體車規(guī)級IGBT模塊配套超過120萬輛新能源汽車。

在SiC模塊方面,斯達半導(dǎo)體應(yīng)用于主控制器的車規(guī)級SiC MOSFET模塊于去年開始大批量裝車應(yīng)用,使用該公司自主芯片的車規(guī)級SiC Mosfet模塊預(yù)計今年開始在主電機控制器客戶批量供貨。

而深藍汽車則成立于2022年,計劃在2025年前陸續(xù)推出共計6款產(chǎn)品,力爭五年內(nèi)實現(xiàn)產(chǎn)銷突破100萬輛。

伴隨著后疫情時代新能源產(chǎn)業(yè)的復(fù)蘇和崛起,本土零部件供應(yīng)鏈正在從跟隨向引領(lǐng)轉(zhuǎn)變,處在轉(zhuǎn)型跨越的關(guān)鍵階段。此次深藍汽車與斯達半導(dǎo)體的合作,一方面將增強深藍汽車的供應(yīng)鏈垂直整合能力,為深藍汽車達成百萬級戰(zhàn)略銷量目標提供扎實支撐;另一方面還將加速雙方在“產(chǎn)研供需”方面優(yōu)勢互補,合力打造高品質(zhì)產(chǎn)品。

此外,除了與深藍汽車在重慶成立合資公司外,他們還將在重慶建設(shè)IGBT/SiC模塊項目。5月18日,斯達半導(dǎo)體重慶車規(guī)級模塊生產(chǎn)基地項目簽約落戶西部(重慶)科學(xué)城。該項目作為重點項目簽約,將投資建設(shè)車規(guī)級模塊生產(chǎn)基地,實現(xiàn)主控制器用大功率車規(guī)級IGBT模塊、車規(guī)級碳化硅MOSFET模塊研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。

三安聯(lián)合ST建新廠

6月8日,中國化合物半導(dǎo)體龍頭公司三安光電和國際半導(dǎo)體巨頭意法半導(dǎo)體(ST)官宣:雙方將在重慶合資建廠,專門從事8英寸碳化硅(SiC)外延、器件的大規(guī)模量產(chǎn),產(chǎn)品獨家銷售給ST(或其指定的任何實體)。

按照計劃,合資廠將于2025年第四季度投產(chǎn),預(yù)計在2028年全面建成。該合資廠全部建設(shè)總額預(yù)計約達32億美元。

另外,三安光電計劃投資約70億元,獨資在重慶設(shè)立一座8英寸碳化硅襯底工廠,將利用自有的碳化硅襯底工藝單獨建立和運營,以滿足合資工廠的襯底需求,并與其簽訂長期供應(yīng)協(xié)議。

據(jù)此前披露的年報信息顯示,三安光電襯底已通過多家國際大客戶驗證,其中一家實現(xiàn)批量出貨,且2023年、2024年供應(yīng)已基本鎖定。本次再度現(xiàn)身的襯底長供模式,是湖南三安技術(shù)與供應(yīng)能力的映射。

對于三安光電來說,意味著碳化硅全鏈條布局再度落子,迎來撬動增量市場的新杠桿,從而成為公司朝著國際碳化硅專業(yè)晶圓代工廠這一目標邁出的重要步驟。

對于產(chǎn)業(yè)來說,碳化硅市場迎來重磅“混血”玩家,在被產(chǎn)業(yè)界視為車規(guī)碳化硅功率器件國際大廠拓展中國“朋友圈”的標志性事件的同時,也代表著中國頭部企業(yè)的國際市場實力,以及切入國際碳化硅市場供應(yīng)鏈的預(yù)期,越來越得到彰顯和強化。

對于重慶來說,正在加大馬力堅定下注功率半導(dǎo)體市場。

截稿前,三安光電最新發(fā)布《關(guān)于控股股東股權(quán)結(jié)構(gòu)變動的提示公告》表示,福建三安集團與重慶高永企業(yè)管理合伙企業(yè)(有限合伙)簽署了《關(guān)于廈門三安電子有限公司之增資協(xié)議》。協(xié)議約定重慶高永向三安電子增資100億元,該增資或與三安集團在重慶的SiC項目相關(guān)。

除了斯達半導(dǎo)體、三安光電聯(lián)手ST外,重慶近年來還吸引了華潤微、萬國半導(dǎo)體等企業(yè)建設(shè)功率半導(dǎo)體項目。

華潤微擴充12英寸產(chǎn)線

去年底,據(jù)華潤微電子官方消息,華潤微電子重慶12英寸晶圓制造生產(chǎn)線以及先進功率封測基地實現(xiàn)通線。

公開資料顯示,華潤微電子重慶12英寸晶圓制造生產(chǎn)線項目總投資75.5億元,項目建成后預(yù)計將形成月產(chǎn)3-3.5萬片12英寸中高端功率半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)能力,并配套建設(shè)12英寸外延及薄片工藝能力。據(jù)悉,從項目公司注冊成立,華潤微電子僅用18個月即實現(xiàn)包括中低壓溝槽SGT MOS、高壓超結(jié)SJ MOS在內(nèi)的四個產(chǎn)品平臺全部通線,該項目進入產(chǎn)品投產(chǎn)流通與產(chǎn)能建設(shè)上量并行階段。

此外,華潤微電子先進功率封測基地項目是其布局的中高端功率封裝項目,致力于打造聚焦于汽車電子和工控市場、國內(nèi)工藝全面、技術(shù)先進、規(guī)模領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體專用封測工廠,包括模塊級、晶圓級、框架級、面板級多條封裝測試生產(chǎn)線。

華潤微電子總裁李虹表示,華潤微電子將以重慶為基地,圍繞功率器件打造研發(fā)設(shè)計中心、晶圓制造基地封測基地、外延中心,做大功率器件業(yè)務(wù),聚焦高端工控及汽車電子市場,在重慶打造車規(guī)級功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地和汽車芯片產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈。

伴隨著華潤微電子重慶12英寸晶圓生產(chǎn)線和配套的先進功率半導(dǎo)體封測基地建成投產(chǎn),華潤微車規(guī)級功率器件產(chǎn)業(yè)基地已初步成型,將持續(xù)支撐公司產(chǎn)品應(yīng)用升級,進一步完善在車規(guī)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的布局。

重慶萬國半導(dǎo)體快速崛起

重慶萬國半導(dǎo)體是功率半導(dǎo)體領(lǐng)域快速崛起的一匹黑馬,是國內(nèi)最早開始建立12英寸功率半導(dǎo)體芯片制造及封裝測試產(chǎn)線的企業(yè)之一。

早在2016年,重慶政府與美國的Alpha and Omega Semiconductor合作成立了重慶萬國,計劃建設(shè)12英寸功率半導(dǎo)體芯片制造及封裝測試項目,該項目落戶于重慶兩江新區(qū)水土高新城,項目總投資10億美元。

彼時,國內(nèi)還沒有任何一家12英寸的功率半導(dǎo)體產(chǎn)線,對于整個功率半導(dǎo)體行業(yè)而言,8英寸是主流,12英寸頗具挑戰(zhàn)性。

選擇建設(shè)12英寸功率半導(dǎo)體產(chǎn)線是基于技術(shù)、成本、發(fā)展趨勢和市場需求等幾方面的考量。從成本和效率角度來看,晶圓面積越大就越能制造出更多芯片,有利于攤薄單芯片成本;從設(shè)備角度看,12英寸晶圓線設(shè)備更先進,自動化程度更高,所生產(chǎn)出的產(chǎn)品質(zhì)量更加穩(wěn)定,有利于提升產(chǎn)品性能和一致性;12英寸產(chǎn)線主要用來制造更復(fù)雜、對性能和穩(wěn)定性要求更高的IGBT、MOSFET等功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。

另一方面,重慶具有先天的區(qū)位優(yōu)勢,而且重慶的工業(yè)、汽車、筆電對功率半導(dǎo)體都有巨大市場需求,重慶市政府也希望將重慶打造成為功率半導(dǎo)體重鎮(zhèn)。

因此,重慶萬國半導(dǎo)體開始了從無到有的探索。

據(jù)了解,重慶萬國的12英寸產(chǎn)線自2017年2月動工建設(shè),2018年下半年開始第一片12英寸晶圓生產(chǎn),并交給客戶驗證,用時僅20個月。2019年12英寸晶圓廠與封裝測試廠雙雙進入正式量產(chǎn)。

去年年初,重慶萬國正式啟動了IGBT器件項目研發(fā),經(jīng)過數(shù)月時間研發(fā),成功造出西南地區(qū)首顆自研自產(chǎn)IGBT器件。據(jù)介紹,該元件具有飽和壓降低、開關(guān)損耗小、電流短路能力強等特點,可用于消費電器與工業(yè)電器的動能轉(zhuǎn)換,經(jīng)客戶使用反饋,其品質(zhì)與國際上IGBT大廠產(chǎn)品相當(dāng)。

功率半導(dǎo)體項目相繼落地重慶

此外,還包括江北萊芯第三代化合物半導(dǎo)體創(chuàng)新中心、涪陵6英寸IGBT功率半導(dǎo)體生產(chǎn)線項目、重慶高新區(qū)化合物半導(dǎo)體項目,以及欣暉SiC部件項目等相繼落地重慶。

其中,江北萊芯第三代化合物半導(dǎo)體創(chuàng)新中心項目將建設(shè)月產(chǎn)10萬片晶圓薄化生產(chǎn)線和月產(chǎn)2萬片芯片封裝測試生產(chǎn)線,計劃2023年完工;涪陵6英寸IGBT功率半導(dǎo)體生產(chǎn)線項目建設(shè)70微米超薄背面制造和Trench技術(shù)正面制造6英寸車規(guī)級晶圓生產(chǎn)線;計劃2023年開工建設(shè),2027建成。

據(jù)重慶市《2023年市級重點前期規(guī)劃研究項目》披露,重慶高新區(qū)化合物半導(dǎo)體項目計劃建設(shè)月產(chǎn)4萬片8英寸碳化硅晶圓制造線和月產(chǎn)能4萬-4.5萬片8英寸碳化硅襯底生產(chǎn)線。

今年1月,重慶兩江新區(qū)2023年第一批重大產(chǎn)業(yè)項目開工,其中包括欣暉硅及碳化硅部件項目,該項目計劃建設(shè)一座產(chǎn)能為3萬個/月的硅及碳化硅部件生產(chǎn)工廠。????????

整體而言,無論是從政策方面,還是產(chǎn)業(yè)動態(tài)來看,重慶市都可謂是“不遺余力”地支持功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展,持續(xù)擴大功率半導(dǎo)體領(lǐng)域優(yōu)勢地位,加快發(fā)展化合物半導(dǎo)體材料等產(chǎn)品,致力于打造全國最大的功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地和集成電路特色工藝技術(shù)高地。

車企加速“綁定”SiC廠商

當(dāng)前,終端市場所引爆的SiC需求正在急劇增長,而作為其最大的應(yīng)用市場,汽車廠商正與SiC廠商加速“綁定”。

在此趨勢下,車企和半導(dǎo)體廠商的關(guān)系,正在發(fā)生變化。

近年來,車用芯片的短缺危機突顯出車企對芯片的依賴程度,使得車企和芯片廠商聯(lián)系變得更加緊密。車企與半導(dǎo)體廠商不再只是簡單的供需,而是向共擔(dān)成本和風(fēng)險的合作關(guān)系邁進。

如今,隨著新能源汽車產(chǎn)業(yè)的變革和加速爆發(fā),車規(guī)級半導(dǎo)體器件上車結(jié)構(gòu)正在快速發(fā)生改變。其中,作為最大的增量產(chǎn)品,功率半導(dǎo)體約占每輛車半導(dǎo)體價值量增量的80%以上,正迎來“量價齊升”的快速發(fā)展階段。

因此,類似于上面提到的“深藍汽車與斯達半導(dǎo)體合資建廠”的產(chǎn)業(yè)鏈合作模式,正在成為行業(yè)新的發(fā)展趨勢。

理想汽車&三安半導(dǎo)體

2022年3月,理想汽車關(guān)聯(lián)公司車和家擬與三安半導(dǎo)體將成立合營企業(yè)斯科半導(dǎo)體,斯科半導(dǎo)體的布局方向是車用SiC芯片及模塊市場。8月,斯科半導(dǎo)體打造了理想汽車功率半導(dǎo)體研發(fā)及生產(chǎn)基地,2024年正式投產(chǎn)后預(yù)計產(chǎn)能將逐步提升并最終達到240萬只碳化硅半橋功率模塊的年生產(chǎn)能力。

長城汽車&同光半導(dǎo)體、穩(wěn)晟科技

2021年12月,長城汽車與第三代半導(dǎo)體企業(yè)同光半導(dǎo)體公司簽署戰(zhàn)略協(xié)議,聚焦第三代新型寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅在新能源汽車產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用,推動碳化硅半導(dǎo)體材料與芯片的產(chǎn)業(yè)化。彼時,長城汽車相關(guān)負責(zé)人曾表示,大算力芯片和碳化硅等第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵核心技術(shù)領(lǐng)域是長城汽車2025戰(zhàn)略中重點發(fā)展方向之一。

2022年10月,長城汽車擬與魏建軍、穩(wěn)晟科技 (天津) 有限公司共同出資設(shè)立芯動半導(dǎo)體科技有限公司。

吉利&芯聚能半導(dǎo)體、芯合科技

2021年5月,吉利汽車子公司吉利威睿與芯聚能半導(dǎo)體、芯合科技合資合資成立芯粵能半導(dǎo)體,主要布局車規(guī)級功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。

該項目總投資75億元人民幣,包含一期規(guī)劃年產(chǎn)24萬片6英寸SiC晶圓芯片,在2023年3月底產(chǎn)線已經(jīng)試投產(chǎn),計劃2024年12月底達產(chǎn)。

目前已簽約COT客戶10余家,并即將完成4家客戶規(guī)格產(chǎn)品量產(chǎn)。今年年底前完成月產(chǎn)一萬片6英寸碳化硅晶圓芯片的產(chǎn)能建設(shè)。

在一期達產(chǎn)的同時,芯粵能會啟動二期項目,該項目計劃年產(chǎn)24萬片8英寸SiC晶圓芯片,預(yù)計2026年達產(chǎn),并于同期啟動三期項目,計劃在2029年達產(chǎn)。預(yù)計項目一期達產(chǎn)年產(chǎn)值40億元,二期達產(chǎn)后合計年產(chǎn)值將達100億元。

一汽&ACP、億馬先鋒

2019年3月,一汽與美國AC Propulsion公司(簡稱ACP)、北京億馬先鋒汽車科技有限公司成立協(xié)同創(chuàng)新實驗室,將開展碳化硅技術(shù)等研究。

上汽&英飛凌

2018年3月,上汽和英飛凌成立合資企業(yè)上汽英飛凌汽車功率半導(dǎo)體(上海)有限公司,探索如何確保其碳化硅芯片供應(yīng)途徑,包括與零組件制造商組建合資企業(yè)。

據(jù)悉,英飛凌目前正在積極擴大其SiC制造能力,預(yù)計到2027年,英飛凌的SiC制造能力將增長十倍,其目標是在本十年末達到30%的市場份額。

寫在最后

整體而言,汽車市場作為SiC芯片最大的應(yīng)用領(lǐng)域,隨著新能源汽車賽道的爆發(fā),碳化硅市場進入蓬勃發(fā)展的階段。

預(yù)計未來還會有更多車企將與SiC供應(yīng)商進行強綁定的合作,以確??煽抗?yīng)。再加上800V高壓平臺熱潮“來襲”,車企與碳化硅廠商的合作也將愈發(fā)緊密。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢預(yù)期,至2026年SiC功率元件市場規(guī)模有望達53.3億美元。

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圖源:TrendForce集邦咨詢

在此現(xiàn)狀和趨勢下,作為新中國第一塊集成電路誕生地的重慶,正在瞄準功率半導(dǎo)體賽道,卷土重來。

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原文標題:重慶,功率半導(dǎo)體新貴!

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    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>展 聚焦 APSME 2025,共探<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>發(fā)展新征程

    濕度大揭秘!如何影響功率半導(dǎo)體器件芯片焊料熱阻?

    近年來,隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展,功率半導(dǎo)體器件在風(fēng)力發(fā)電、光伏發(fā)電、電動汽車等戶外工況中的應(yīng)用日益廣泛。然而,這些戶外環(huán)境往往伴隨著較高的濕度,這對功率半導(dǎo)體器件的運行可靠性構(gòu)成了
    的頭像 發(fā)表于 02-07 11:32 ?518次閱讀
    濕度大揭秘!如何影響<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>器件芯片焊料熱阻?

    功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)(十二)——功率半導(dǎo)體器件的PCB設(shè)計

    /前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計,提高
    的頭像 發(fā)表于 01-13 17:36 ?782次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b>器件熱設(shè)計基礎(chǔ)(十二)——<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>器件的PCB設(shè)計

    功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)(十一)——功率半導(dǎo)體器件的功率端子

    /前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計,提高
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    <b class='flag-5'>功率</b>器件熱設(shè)計基礎(chǔ)(十一)——<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>器件的<b class='flag-5'>功率</b>端子

    瑞能半導(dǎo)體斬獲亞洲金選獎功率半導(dǎo)體產(chǎn)品大獎

    日前,經(jīng)過提名和票選,瑞能半導(dǎo)體的“頂部散熱產(chǎn)品系列”成功獲評EE Awards Asia亞洲金選獎“功率半導(dǎo)體產(chǎn)品大獎”。
    的頭像 發(fā)表于 12-10 11:46 ?565次閱讀

    搶占西遷潮下的川渝“芯”紅利!必來第七屆全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)(重慶)博覽會!

    從分布格局來看,成都、重慶兩大城市作為集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展主要承載地,核心功能和輻射作用不斷增強,成都芯片設(shè)計環(huán)節(jié)在射頻/微波芯片、通用計算芯片、北斗導(dǎo)航芯片、功率半導(dǎo)體、IP核等細分領(lǐng)域國內(nèi)領(lǐng)先。
    發(fā)表于 11-28 16:39 ?511次閱讀
    搶占西遷潮下的川渝“芯”紅利!必來第七屆全球<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>產(chǎn)業(yè)(<b class='flag-5'>重慶</b>)博覽會!

    功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)(一)——功率半導(dǎo)體的熱阻

    功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計,提高
    的頭像 發(fā)表于 10-22 08:01 ?1538次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b>器件熱設(shè)計基礎(chǔ)(一)——<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>的熱阻

    功率半導(dǎo)體讓生活更美好

    功率半導(dǎo)體讓生活更美好
    的頭像 發(fā)表于 09-20 08:06 ?535次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>讓生活更美好

    功率半導(dǎo)體和寬禁半導(dǎo)體的區(qū)別

    功率半導(dǎo)體和寬禁半導(dǎo)體是兩種不同類型的半導(dǎo)體材料,它們在電子器件中的應(yīng)用有著很大的不同。以下是它們之間的一些主要區(qū)別: 材料類型:功率
    的頭像 發(fā)表于 07-31 09:07 ?835次閱讀

    功率半導(dǎo)體的封裝方式有哪些

    功率半導(dǎo)體的封裝方式多種多樣,這些封裝方式不僅保護了功率半導(dǎo)體芯片,還提供了電氣和機械連接,確保了器件的穩(wěn)定性和可靠性。以下是對功率
    的頭像 發(fā)表于 07-24 11:17 ?2113次閱讀

    半導(dǎo)體基礎(chǔ)功率模塊與離散元件的比較

    半導(dǎo)體基礎(chǔ)功率模塊因其相對于傳統(tǒng)離散元件的諸多優(yōu)勢而變得越來越突出。在不斷發(fā)展的功率電子領(lǐng)域,選擇半導(dǎo)體基礎(chǔ)功率模塊與離散元件對效率、可靠性
    的頭像 發(fā)表于 06-07 11:17 ?600次閱讀
    <b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>基礎(chǔ)<b class='flag-5'>功率</b>模塊與離散元件的比較