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納微半導(dǎo)體發(fā)布CRPS185 3.2kW鈦金Plus服務(wù)器電源

納微芯球 ? 來(lái)源:納微芯球 ? 2023-08-03 15:36 ? 次閱讀
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比最佳的傳統(tǒng)硅方案體積小40%,全新的高集成氮化鎵功率芯片帶來(lái)高頻、高效的電源方案,輕松滿足人工智能和邊緣計(jì)算的高能耗需求

加利福尼亞州托倫斯,2023年8月2日訊 —— 納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)正式宣布推出最新CRPS185 3200W鈦金Plus服務(wù)器電源方案,超越了目前行業(yè)最嚴(yán)苛的80 Plus鈦金效率要求,將有效滿足人工智能背后的數(shù)據(jù)中心服務(wù)器日益增長(zhǎng)的功率需求。

隨著OpenAI旗下ChatGPT、微軟旗下新版Bing AI和谷歌旗下Bard的應(yīng)用興起,人工智能迅速滲透到了人們生活的方方面面。與之共同增長(zhǎng)的,是類似英偉達(dá)旗下DGX GH200 'Grace Hopper'這樣的功耗高的AI處理器,其每個(gè)處理器的功耗需求也攀升至1600W,將每個(gè)機(jī)柜的功率規(guī)范從30-40kW提升到100kW。與此同時(shí),全球?qū)?jié)能減排的關(guān)注以及最新的歐洲法規(guī),都使得服務(wù)器電源必須超過(guò)80Plus的鈦金效率規(guī)范。

納微半導(dǎo)體為客戶提供了基于氮化鎵功率器件打造的服務(wù)器電源參考設(shè)計(jì),極大地加速了客戶的開發(fā)過(guò)程,最大限度地縮短了上市時(shí)間,并通過(guò)GaNFast氮化鎵功率芯片在能源效率、功率密度和系統(tǒng)成本方面樹立了行業(yè)新標(biāo)桿。這些系統(tǒng)平臺(tái)包括完整的設(shè)計(jì)支持材料,包括經(jīng)過(guò)全面測(cè)試的硬件、嵌入式軟件、原理圖、物料清單、布局、仿真和硬件測(cè)試結(jié)果。

基于此,納微推出了一款基于CRPS外形規(guī)格(該規(guī)格由有著Facebook、Intel、Google、Microsoft和Dell等公司參與的開放計(jì)算項(xiàng)目定義)的CRPS185 3200W鈦金Plus服務(wù)器電源解決方案。該方案能在僅為1U(40mm) x 73.5mm x 185mm (544cc)的尺寸下提供完整的3200W功率,實(shí)現(xiàn)5.9W/cm3,或接近100W/inch3的超高功率密度。與等效的傳統(tǒng)硅方案相比,尺寸縮小40%,并且輕松超過(guò)鈦金效率標(biāo)準(zhǔn),在30%負(fù)載下效率可達(dá)到96.5%以上,在20%到60%負(fù)載范圍內(nèi)超過(guò)96%,創(chuàng)造了一個(gè)“鈦金Plus”的行業(yè)標(biāo)桿,對(duì)于數(shù)據(jù)中心運(yùn)營(yíng)模型有著革命性的重要意義。

采用了交錯(cuò)CCM圖騰柱PFC+全橋LLC的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),這款CRPS 185 電源解決方案選用了納微最新的650V氮化鎵功率芯片,集成了強(qiáng)大、高速的氮化鎵驅(qū)動(dòng)器,解決了分立式氮化鎵敏感性和脆弱性問(wèn)題。此外,GaNFast氮化鎵功率芯片還具備極低的開關(guān)損耗,高達(dá)800V的Vds瞬態(tài)電壓,以及低柵極電荷(Qg)、輸出電容(COSS)和無(wú)反向恢復(fù)損耗(Qrr)等高頻優(yōu)勢(shì)。氮化鎵的高開關(guān)速度減少了電源中無(wú)源元件的尺寸和數(shù)量,納微預(yù)估采用GaNFast氮化鎵功率芯片可節(jié)省LLC級(jí)系統(tǒng)材料成本的5%,每臺(tái)電源可在3年內(nèi)節(jié)省64美元(約人民幣460元)的電費(fèi)。

相較于傳統(tǒng)鈦金方案,這款CRPS185 3200W鈦金Plus服務(wù)器電源在30%負(fù)載(服務(wù)器常年工作負(fù)載)下的效率高2%。因此,在實(shí)際應(yīng)用中,以電源常規(guī)工作于30%負(fù)載計(jì)算,該電源相較于傳統(tǒng)鈦金電源可3年減少757度電,減少755kg二氧化碳排放,相當(dāng)于303kg標(biāo)準(zhǔn)煤的使用,不僅能為數(shù)據(jù)中心客戶實(shí)現(xiàn)降本增效,還能助力實(shí)現(xiàn)節(jié)能減排的環(huán)保目標(biāo)。

除數(shù)據(jù)中心服務(wù)器外,該鈦金Plus電源方案還可以廣泛運(yùn)用于交換機(jī)/路由器電源,通信電源以及其他算力電源等應(yīng)用中。

納微半導(dǎo)體

副總裁兼中國(guó)區(qū)總經(jīng)理

查瑩杰

“ChatGPT等AI應(yīng)用的火熱僅僅只是一個(gè)開始,數(shù)據(jù)中心服務(wù)器的機(jī)柜功耗增長(zhǎng)了2-3倍,來(lái)到了100kW,這使得用更小體積的電源提供更大的功率成為了未來(lái)發(fā)展的關(guān)鍵。

我們誠(chéng)摯邀請(qǐng)電源設(shè)計(jì)師和系統(tǒng)架構(gòu)師與納微合作,一同探索如何通過(guò)高效率、高功率密度的產(chǎn)品路線圖,來(lái)經(jīng)濟(jì)高效、可持續(xù)地加速人工智能服務(wù)器的升級(jí)?!?/p>

關(guān)于納微半導(dǎo)體

納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼: NVTS)成立于2014年,是唯一一家全面專注下一代功率半導(dǎo)體事業(yè)的公司。GaNFast氮化鎵功率芯片將氮化鎵功率器件與驅(qū)動(dòng)、控制、感應(yīng)及保護(hù)集成在一起,為市場(chǎng)提供充電更快、功率密度更高和節(jié)能效果更好的產(chǎn)品。性能互補(bǔ)的GeneSiC碳化硅功率器件是經(jīng)過(guò)優(yōu)化的高功率、高電壓、高可靠性碳化硅解決方案。重點(diǎn)市場(chǎng)包括移動(dòng)設(shè)備、消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車、太陽(yáng)能、風(fēng)力、智能電網(wǎng)和工業(yè)市場(chǎng)。納微半導(dǎo)體擁有超過(guò)185項(xiàng)已經(jīng)獲頒或正在申請(qǐng)中的專利,其中,氮化鎵功率芯片已發(fā)貨超過(guò)7500萬(wàn)顆,碳化硅功率器件發(fā)貨超1000萬(wàn)顆。納微半導(dǎo)體于業(yè)內(nèi)率先推出唯一的氮化鎵20年質(zhì)保承諾,也是全球首家獲得CarbonNeutral認(rèn)證的半導(dǎo)體公司。

納微半導(dǎo)體、GaNFast、 GaNSense、GeneSiC、SiCPAK以及納微標(biāo)識(shí)是Navitas Semiconductor 及其子公司的商標(biāo)或注冊(cè)商標(biāo)。所有其他品牌、產(chǎn)品名稱和標(biāo)志都是或可能是各自所有者用于標(biāo)識(shí)產(chǎn)品或服務(wù)的商標(biāo)或注冊(cè)商標(biāo)。

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原文標(biāo)題:官宣!納微半導(dǎo)體發(fā)布CRPS185 3.2kW鈦金Plus服務(wù)器電源,加速驅(qū)動(dòng)AI服務(wù)器變革

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