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      KRi 考夫曼離子源表面預清潔 Pre-clean 應用

      伯東企業(yè)（上海）有限公司 ? 2023-05-25 10:10 ? 次閱讀
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      上海伯東代理美國 KRi 考夫曼離子源適用于安裝在 MBE 分子束外延, 濺射和蒸發(fā)系統(tǒng), PLD 脈沖激光系統(tǒng)等, 在沉積前用離子轟擊表面, 進行預清潔 Pre-clean 的工藝, 對基材表面有機物清洗, 金屬氧化物的去除等, 提高沉積薄膜附著力, 純度, 應力, 工藝效率等！

      KRi 離子源預清潔可以實現(xiàn)
      去除物理吸附污染: 去除表面污染, 如水, 吸附氣體, 碳氫化合物殘留
      去除化學吸附污染: 去除天然和粘合材料. 如表面氧化物, 通常去除 < 100?

      考夫曼離子源KRi 離子源



      KRi 考夫曼離子源表面預清潔 Pre-clean 應用
      實驗條件: 8寸硅片帶銅膜, 通氬氣, 60s
      污染物清除: 有機物,吸附氣體
      數(shù)據(jù)來源: 俄歇電子能譜 Auger spectra, 美國 KRi 原廠資料

      KRi 離子源預清潔KRi 考夫曼離子源表面預清潔 Pre-clean 應用


      KRi 考夫曼離子源表面預清潔 Pre-clean 應用
      實驗條件: 輕蝕刻, 硅片去除很薄的金屬膜, 通氬氣
      污染物清除: 去除金屬薄膜 (w/ Ni/Fe)
      數(shù)據(jù)來源: 美國 KRi 原廠資料

      考夫曼離子源,離子清洗KRi 考夫曼離子源表面預清潔 Pre-clean 應用




      1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)寬束離子源, 根據(jù)設計原理分為考夫曼離子源,霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng)40 年改良及發(fā)展已取得多項專利.

      上海伯東美國 KRi 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光工藝 IBF 等領域,上海伯東是美國 KRi考夫曼離子源中國總代理.

      若您需要進一步的了解 KRi考夫曼離子源, 請聯(lián)絡上海伯東葉女士 分機 107

      上海伯東版權所有, 翻拷必究！
      現(xiàn)部分品牌誠招合作代理商, 有意向者歡迎聯(lián)絡上海伯東 葉女士

      聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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