一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

蔚來增持晶湛半導體,或推進氮化鎵加速“上車”

第三代半導體產業(yè) ? 來源:晶湛半導體官網及公開信 ? 2023-09-01 14:59 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

半導體產業(yè)網獲悉:第三代半導體氮化鎵外延領軍企業(yè)蘇州晶湛半導體有限公司日前發(fā)生工商變更,新增合肥建晶股權投資合伙企業(yè)、蔚來資本旗下合肥蔚來產業(yè)發(fā)展股權投資合伙企業(yè)等為股東,同時公司注冊資本由約7459萬人民幣增至約7691萬人民幣。

aae6ad8e-4809-11ee-97a6-92fbcf53809c.png

圖源:企查查官網截圖

據了解,2022年,晶湛半導體先后完成B+輪數億元戰(zhàn)略融資和C輪數億元融資。其中,C輪融資本是由蔚來資本、美團龍珠領投,華興資本旗下華興新經濟基金、欣柯資本等跟投,老股東歌爾微電子、三七互娛等繼續(xù)加碼。

晶湛半導體由業(yè)界公認的硅基氮化鎵(GaN-on-Si)外延技術的開拓者程凱博士于2012年3月回國創(chuàng)辦,坐落于蘇州市工業(yè)園區(qū),擁有國際先進的氮化鎵外延材料研發(fā)和產業(yè)化基地,致力于為電力電子以及微顯示等領域提供高品質氮化鎵外延材料解決方案,也是目前國際上唯一可供應300mm硅基氮化鎵外延產品的廠商,技術實力處于國際領先地位。

圖源:晶湛半導體官網

在公司發(fā)展過程中,晶湛在業(yè)內創(chuàng)造過多項第一。2014年底,晶湛半導體就率先在全球首次發(fā)布商用8英寸硅基氮化鎵外延片產品,經有關下游客戶驗證,該材料具備全球領先的技術指標和卓越的性能,填補了國內氮化鎵產業(yè)的空白。

2021年9月,晶湛半導體又成功全球首發(fā)12英寸硅基電力電子氮化鎵外延片,贏得了業(yè)內廣泛關注。2022年11月,晶湛半導體總部大樓建設項目封頂,該項目預期建成后,將成為國內規(guī)模最大的氮化鎵電力電子材料和微顯示材料生產基地。

經過多年的專注發(fā)展,晶湛半導體已經成為國內GaN材料研發(fā)和產業(yè)化的領軍企業(yè),通過與全球數百家知名半導體科技企業(yè)、高??蒲性核蛻艚V泛深入的合作,多次在行業(yè)頂級期刊Nature Electronics,IEEE Electron DeviceLetters,及國際頂級會議IEDM等發(fā)布相關創(chuàng)新成果,引起國際半導體界的廣泛關注和一致好評。

晶湛半導體將繼續(xù)秉承“成為世界領先的第三代氮化鎵半導體材料供應商”的愿景,堅持“追求卓越、勇于擔當、求真創(chuàng)新、誠實守信”的核心價值觀,以完成“發(fā)展第三代半導體產業(yè),為社會創(chuàng)造價值”的使命,砥礪前行,腳踏實地,為客戶與半導體行業(yè)創(chuàng)造更大的價值。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 半導體
    +關注

    關注

    335

    文章

    28938

    瀏覽量

    238407
  • 電力電子
    +關注

    關注

    29

    文章

    621

    瀏覽量

    49738
  • 氮化鎵
    +關注

    關注

    61

    文章

    1797

    瀏覽量

    118082
  • 蔚來
    +關注

    關注

    1

    文章

    537

    瀏覽量

    14931

原文標題:蔚來增持晶湛半導體,或推進氮化鎵加速“上車”

文章出處:【微信號:第三代半導體產業(yè),微信公眾號:第三代半導體產業(yè)】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    納微半導體雙向氮化開關深度解析

    前不久,納微半導體剛剛發(fā)布全球首款量產級的650V雙向GaNFast氮化功率芯片。
    的頭像 發(fā)表于 06-03 09:57 ?802次閱讀
    納微<b class='flag-5'>半導體</b>雙向<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>開關深度解析

    從清華大學到未來科技,張大江先生在半導體功率器件十八年的堅守!

    從清華大學到未來科技,張大江先生在半導體功率器件十八年的堅守!近年來,珠海市未來科技有限公司(以下簡稱“未來”)在第三代半導體行業(yè)異軍
    發(fā)表于 05-19 10:16

    納微半導體氮化和碳化硅技術進入戴爾供應鏈

    近日,GaNFast氮化功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領導者——納微半導體(納斯達克股票代碼:NVTS)今日宣布其氮化和碳
    的頭像 發(fā)表于 02-07 13:35 ?654次閱讀
    納微<b class='flag-5'>半導體</b><b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>和碳化硅技術進入戴爾供應鏈

    英諾賽科登陸港交所,氮化功率半導體領域明星企業(yè)閃耀登場

    近日,全球氮化(GaN)功率半導體領域的佼佼者英諾賽科(2577.HK)成功登陸港交所主板,為港股市場增添了一枚稀缺且優(yōu)質的投資標的。 英諾賽科作為全球首家實現量產8英吋硅基氮化
    的頭像 發(fā)表于 01-06 11:29 ?706次閱讀

    英諾賽科香港上市,國內氮化半導體第一股誕生

    專注于第三代半導體氮化研發(fā)與制造的高新技術企業(yè),自成立以來,始終致力于推動氮化技術的創(chuàng)新與應用。公司擁有全球最大的
    的頭像 發(fā)表于 01-02 14:36 ?793次閱讀

    英飛凌全新一代氮化產品重磅發(fā)布,電壓覆蓋700V!

    呈現出爆發(fā)式增長態(tài)勢。英飛凌長期深耕氮化領域,再次推動了氮化革命,率先成功開發(fā)出了全球首個300mm氮化
    的頭像 發(fā)表于 12-06 01:02 ?970次閱讀
    英飛凌全新一代<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>產品重磅發(fā)布,電壓覆蓋700V!

    第三代半導體氮化(GaN)基礎知識

    第三代半導體氮化(GaN)。它以其卓越的性能和廣泛的應用領域,在科技界掀起了一陣熱潮。 ? 今天我要和你們聊一聊半導體領域的一顆“新星”——第三代
    的頭像 發(fā)表于 11-27 16:06 ?1739次閱讀
    第三代<b class='flag-5'>半導體</b><b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>(GaN)基礎知識

    德州儀器擴大氮化半導體制造規(guī)模

    近日,德州儀器(TI)宣布了一個重要的產能提升計劃。公司在日本會津工廠的氮化(GaN)功率半導體已經正式投產。
    的頭像 發(fā)表于 11-01 18:03 ?1175次閱讀

    德州儀器氮化功率半導體產能大幅提升

    近日,美國芯片大廠德州儀器(TI)宣布了一項重要進展。其位于日本會津的工廠已經正式投產基于氮化(GaN)的功率半導體。這一舉措標志著德州儀器在氮化
    的頭像 發(fā)表于 10-29 16:57 ?876次閱讀

    遠山半導體氮化功率器件的耐高壓測試

    氮化(GaN),作為一種具有獨特物理和化學性質的半導體材料,近年來在電子領域大放異彩,其制成的氮化功率芯片在功率轉換效率、開關速度及耐高
    的頭像 發(fā)表于 10-29 16:23 ?1054次閱讀
    遠山<b class='flag-5'>半導體</b><b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>功率器件的耐高壓測試

    日本羅姆半導體加強與臺積電氮化合作,代工趨勢顯現

    近日,日本功率器件大廠羅姆半導體(ROHM)宣布,將在氮化功率半導體領域深化與臺積電的合作,其氮化
    的頭像 發(fā)表于 10-29 11:03 ?1074次閱讀

    氮化圓在劃切過程中如何避免崩邊

    的頭像 發(fā)表于 10-25 11:25 ?1604次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>晶</b>圓在劃切過程中如何避免崩邊

    日本企業(yè)加速氮化半導體生產,力推電動汽車續(xù)航升級

    日本公司正積極投入大規(guī)模生產氮化(GaN)功率半導體器件,旨在提升電動汽車的行駛里程。盡管氮化與碳化硅(SiC)在電動汽車功率
    的頭像 發(fā)表于 10-22 15:10 ?1282次閱讀

    英飛凌率先開發(fā)全球首項300 mm氮化功率半導體技術, 推動行業(yè)變革

    2024年9月11日訊,英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)今天宣布,已成功開發(fā)出全球首項300 mm氮化(GaN)功率半導體圓技術。英飛凌是全
    發(fā)表于 09-12 11:03 ?1475次閱讀
    英飛凌率先開發(fā)全球首項300 mm<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>功率<b class='flag-5'>半導體</b>技術, 推動行業(yè)變革

    氮化(GaN)功率半導體市場風起云涌,引領技術革新與產業(yè)升級

    自去年以來,氮化(GaN)功率半導體市場持續(xù)升溫,成為半導體行業(yè)的焦點。英飛凌、瑞薩電子、格芯等業(yè)界巨頭紛紛通過并購GaN技術公司,加速
    的頭像 發(fā)表于 08-26 16:34 ?1002次閱讀