WLCSP(Wafer Level Chip Scale Packaging)即晶圓級芯片封裝方式，不同于傳統(tǒng)的芯片封裝方式(先切割再封測，而封裝后至少增加原芯片20%的體積)，此種最新技術(shù)是先在整片晶圓上進(jìn)行封裝和測試，然后才切割成一個個的IC顆粒，因此封裝后的體積即等同IC裸晶的原尺寸。

WLCSP的封裝方式，不僅明顯地縮小內(nèi)存模塊尺寸，而符合行動裝置對于機(jī)體空間的高密度需求;另一方面在效能的表現(xiàn)上，更提升了數(shù)據(jù)傳輸?shù)乃俣扰c穩(wěn)定性。

WLP是晶圓級封裝(Wafer Level Packaging)的簡稱，是伴隨著智能手機(jī)等移動設(shè)備的高功能化、薄型化而備受期待的封裝技術(shù)之一。ULVAC為WLP制造工藝提供濺射、刻蝕、去膠等技術(shù)。

WLCSP的特性優(yōu)點

芯片尺寸最小封裝方式

WLCSP晶圓級芯片封裝方式的最大特點便是有效地縮減封裝體積，故可搭配于運動裝置上而符合可攜式產(chǎn)品輕薄短小的特性需求。

數(shù)據(jù)傳輸路徑短、穩(wěn)定性高

采用WLCSP封裝時，由于電路布線的線路短且厚(標(biāo)示A至B的黃線)，故可有效增加數(shù)據(jù)傳輸?shù)念l寛減少電流耗損，也提升數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆€(wěn)定性。

散熱特性佳

由于WLCSP少了傳統(tǒng)密封的塑料或陶瓷包裝，故IC芯片運算時的熱能便能有效地發(fā)散，而不致增加主機(jī)體的溫度，而此特點對于行動裝置的散熱問題助益極大。

WLCSP分類

BOP和RDL

WLCSP可以被分成兩種結(jié)構(gòu)類型：

?直接BOP(bump On pad)?重新布線(RDL)

直接BOP(Bump On Pad)：這是一種在芯片上的凸點(bump)直接形成在焊盤(pad)上的技術(shù)。凸點的材料可以是銅、金、錫等，用于連接芯片與外部電路。這種技術(shù)減少了中間的布線層，從而減少了封裝體積，提高了封裝效率。

重新布線(RDL)：這是一種用于將芯片的I/O接口重新分布到更合理的位置的技術(shù)。在芯片制造過程中，由于制造工藝的限制，有時芯片的I/O接口不能直接按照需求放置在合適的位置。此時，可以通過在芯片上增加一層重新布線層(Redistribution Layer, RDL)，將I/O接口重新分布到更合理的位置，以滿足封裝和電路設(shè)計的需求。重新布線層可以由多個薄金屬層組成，每個金屬層上都有不同的電路圖形。通過在金屬層之間進(jìn)行連接，可以將I/O接口重新分布到新的位置。這種技術(shù)可以提高封裝的靈活性和效率，同時也可以減少封裝體積和成本。

BOP即錫球直接長在die的Al pad上，而有的時候，如果出現(xiàn)引出錫球的pad靠的較近，不方便出球，則用重新布線(RDL)將solder ball引到旁邊。

Fan-In和Fan-out

最早的WLCSP是Fan-In，bump全部長在die上，而die和pad的連接主要就是靠RDL的metal line，封裝后的IC幾乎和die面積接近。

在WLCSP中，F(xiàn)an-In是指扇入式封裝。這是指將芯片封裝在晶圓的內(nèi)部分，引腳從芯片的四周引出，就像一個扇子一樣“扇入”到芯片的內(nèi)部。這種封裝方式的特點是引腳數(shù)量較多，可以達(dá)到數(shù)千個引腳，適用于高集成度的芯片封裝。

相比傳統(tǒng)的封裝方式，F(xiàn)an-In扇入式封裝具有更小的封裝體積、更低的成本、更好的散熱性能等優(yōu)勢。同時，由于引腳從芯片的四周引出，F(xiàn)an-In封裝方式也被稱為芯片級封裝(Chip-Scale Package, CSP)。

Fan-out，bump可以長到die外面，封裝后IC也較die面積大(1.2倍)。

Fan-out是指扇出式封裝，它與Fan-in相反，是將芯片封裝在晶圓的外部分，引腳從芯片的四周引出，就像一個扇子一樣“扇出”到晶圓的外部。

相比Fan-in，F(xiàn)an-out扇出式封裝的特點是引腳數(shù)量較少，通常只有幾百個引腳，但可以實現(xiàn)更靈活的電路設(shè)計和更高的封裝密度。此外，F(xiàn)an-out封裝方式還可以將多個芯片同時封裝在一個封裝體內(nèi)，實現(xiàn)更高的集成度和更小的封裝體積。

Fan-in: 如下流程為Fan-in的RDL制作過程。

Fan-Out: 先將die從晶圓上切割下來，倒置粘在載板上(Carrier)。此時載板和die粘合起來形成了一個新的wafer，叫做重組晶圓(Reconstituted Wafer)。

在重組晶圓中，再曝光長RDL。

Fan-in和Fan-out 對比如下，從流程上看，F(xiàn)an-out除了重組晶圓外，其他步驟與Fan-in RDL基本一致。

Fan-in RDL是一種扇入式重新布線技術(shù)，它是在晶圓的表面上應(yīng)用重新布線層(RDL)技術(shù)，將芯片的I/O接口重新分布到晶圓的內(nèi)部，以實現(xiàn)更小的封裝體積和更高的封裝效率。

具體來說，F(xiàn)an-in RDL通過在晶圓的表面覆蓋一層或多層重新布線層，將芯片的I/O接口與外部電路連接起來。由于重新布線層位于晶圓的內(nèi)部，因此可以減少封裝體積，提高封裝效率。同時，由于重新布線層可以根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)計和布局，因此可以實現(xiàn)更靈活的電路設(shè)計和更高的集成度。

擴(kuò)展閱讀

WLP晶圓級封裝VS傳統(tǒng)封裝

在傳統(tǒng)晶圓封裝中，是將成品晶圓切割成單個芯片，然后再進(jìn)行黏合封裝。不同于傳統(tǒng)封裝工藝，晶圓級封裝是在芯片還在晶圓上的時候就對芯片進(jìn)行封裝，保護(hù)層可以黏接在晶圓的頂部或底部，然后連接電路，再將晶圓切成單個芯片。

相比于傳統(tǒng)封裝，晶圓級封裝具有以下優(yōu)點：

1、封裝尺寸小

由于沒有引線、鍵合和塑膠工藝，封裝無需向芯片外擴(kuò)展，使得WLP的封裝尺寸幾乎等于芯片尺寸。

2、高傳輸速度

與傳統(tǒng)金屬引線產(chǎn)品相比，WLP一般有較短的連接線路，在高效能要求如高頻下，會有較好的表現(xiàn)。

3、高密度連接

WLP可運用數(shù)組式連接，芯片和電路板之間連接不限制于芯片四周，提高單位面積的連接密度。

4、生產(chǎn)周期短

WLP從芯片制造到、封裝到成品的整個過程中，中間環(huán)節(jié)大大減少，生產(chǎn)效率高，周期縮短很多。

5、工藝成本低

WLP是在硅片層面上完成封裝測試的，以批量化的生產(chǎn)方式達(dá)到成本最小化的目標(biāo)。WLP的成本取決于每個硅片上合格芯片的數(shù)量，芯片設(shè)計尺寸減小和硅片尺寸增大的發(fā)展趨勢使得單個器件封裝的成本相應(yīng)地減少。WLP可充分利用晶圓制造設(shè)備，生產(chǎn)設(shè)施費用低。

晶圓級封裝的工藝流程

晶圓級封裝工藝流程如圖所示：

?1、涂覆第一層聚合物薄膜，以加強(qiáng)芯片的鈍化層，起到應(yīng)力緩沖的作用。聚合物種類有光敏聚酰亞胺(PI)、苯并環(huán)丁烯(BCB)、聚苯并惡唑(PBO)。

?2、重布線層(RDL)是對芯片的鋁/銅焊區(qū)位置重新布局，使新焊區(qū)滿足對焊料球最小間距的要求，并使新焊區(qū)按照陣列排布。光刻膠作為選擇性電鍍的模板以規(guī)劃RDL的線路圖形，最后濕法蝕刻去除光刻膠和濺射層。

?3、涂覆第二層聚合物薄膜，是圓片表面平坦化并保護(hù)RDL層。在第二層聚合物薄膜光刻出新焊區(qū)位置。

?4、凸點下金屬層(UBM)采用和RDL一樣的工藝流程制作。

?5、植球。焊膏和焊料球通過掩膜板進(jìn)行準(zhǔn)確定位，將焊料球放置于UBM上，放入回流爐中，焊料經(jīng)回流融化與UBM形成良好的浸潤結(jié)合，達(dá)到良好的焊接效果。

晶圓級封裝的發(fā)展趨勢

隨著電子產(chǎn)品不斷升級換代，智能手機(jī)、5G、AI等新興市場對封裝技術(shù)提出了更高要求，使得封裝技術(shù)朝著高度集成、三維、超細(xì)節(jié)距互連等方向發(fā)展。

晶圓級封裝技術(shù)可以減小芯片尺寸、布線長度、焊球間距等，因此可以提高集成電路的集成度、處理器的速度等，降低功耗，提高可靠性，順應(yīng)了電子產(chǎn)品日益輕薄短小、低成本的發(fā)展要需求。

晶圓級封裝技術(shù)要不斷降低成本，提高可靠性水平，擴(kuò)大在大型IC方面的應(yīng)用：

?1、通過減少WLP的層數(shù)降低工藝成本，縮短工藝時間，主要是針對I/O少、芯片尺寸小的產(chǎn)品。

?2、通過新材料應(yīng)用提高WLP的性能和可靠度。主要針對I/O多、芯片尺寸大的產(chǎn)品。

審核編輯：湯梓紅