美國KRi射頻離子源RFICP 220助力光學(xué)薄膜技術(shù)發(fā)展

上海伯東美國KRi 高能量射頻離子源RFICP 220 應(yīng)用于光學(xué)鍍膜機(jī), 增強(qiáng)光學(xué)基片反射及透射率, 助力光學(xué)薄膜技術(shù)發(fā)展.

KRi射頻離子源在光學(xué)鍍膜機(jī)中的作用

設(shè)備: 客戶自主搭建光學(xué)鍍膜機(jī), 光學(xué)薄膜強(qiáng)激光裝置組成部分之一

美國原裝進(jìn)口高能射頻離子源: RFICP 220

作用: 通過玻璃鏡片表面清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD 工藝, 增強(qiáng)光學(xué)基片反射及透射率. 從而加強(qiáng)激光束, 對薄膜內(nèi)部進(jìn)行雜質(zhì)和缺陷消除, 解決光學(xué)薄膜內(nèi)部因存在雜質(zhì)與缺陷導(dǎo)致的激光損傷問題.

真空環(huán)境下,KRi 射頻離子源通過向生長的薄膜中添加能量來增強(qiáng)分子動力學(xué), 以增加表面和原子 / 分子的流動性, 實(shí)現(xiàn)薄膜的致密化或通過向生長薄膜中添加活性離子來增強(qiáng)薄膜化合物的化學(xué)轉(zhuǎn)化, 從而得到需要的材料.

同時KRi 射頻離子源可以對工藝過程優(yōu)化, 無需加熱襯底,對溫度敏感材料進(jìn)行低溫處理, 簡化反應(yīng)沉積.

上海伯東美國 KRi射頻離子源RFICP 220 :高能量射頻離子源, 適用于離子濺鍍, 離子沉積和離子蝕刻.滿足 200 mm (8英寸) 晶圓應(yīng)用.射頻離子源RFICP 220 可以很好的控制離子束沉積或濺射靶材, 實(shí)現(xiàn)更佳的薄膜特性. 標(biāo)準(zhǔn)配置下 RFICP 220 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 1000 mA.

陽極	電感耦合等離子體 2kW & 2 MHz 射頻自動匹配
最大陽極功率	>1kW
最大離子束流	> 1000mA
電壓范圍	100-1200V
離子束動能	100-1200eV
氣體	Ar, O2, N2, 其他
流量	5-50 sccm
壓力	< 0.5mTorr
離子光學(xué), 自對準(zhǔn)	OptiBeamTM
離子束柵極	22cm Φ
柵極材質(zhì)	鉬
離子束流形狀	平行,聚焦,散射
中和器	LFN 2000 orRFN
高度	30 cm
直徑	41 cm
鎖緊安裝法蘭	10”CF

審核編輯：劉清

聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。舉報投訴