一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

性能提升,功耗降低!,這樣的MOSFET是你的最愛么?

jf_pJlTbmA9 ? 2023-12-04 15:09 ? 次閱讀

隨著科技的不斷革新發(fā)展,MOSFET產(chǎn)品也經(jīng)過技術(shù)的迭代升級(jí)有了更加優(yōu)越的表現(xiàn)。但如何提升器件性能的同時(shí)進(jìn)一步降低器件的自身損耗依舊是亟待解決的問題。為此東芝半導(dǎo)體拓展了MOSFET產(chǎn)品線,推出了適用于頭燈控制開關(guān)等車載小型設(shè)備的N溝道30V MOSFET器件——SSM6K809R,該器件通過東芝新型工藝技術(shù)設(shè)計(jì)把設(shè)備功耗深度壓縮。

一、電氣屬性綜述

SSM6K809R采用東芝半導(dǎo)體獨(dú)有的新工藝技術(shù)(U-MOSⅧ-H)設(shè)計(jì),具有行業(yè)先進(jìn)的低導(dǎo)通電阻。并且通過扁平引腳封裝的設(shè)計(jì),提升了器件安裝能力,降低了熱阻。該產(chǎn)品采用的小型TSOP6F封裝,減少了所占板載空間。額定功率損耗為1.5W,不會(huì)造成能源浪費(fèi)。此外,SSM6K809R符合AEC-Q101車規(guī)級(jí)標(biāo)準(zhǔn),通道溫度最高可達(dá)175℃,滿足車載環(huán)境要求。

二、動(dòng)態(tài)特性分析

SSM6K809R的漏極電流最高可達(dá)6A,最大支持1KHz的PWM脈沖信號(hào),對(duì)于車載燈的控制恰到好處。

得益于產(chǎn)品強(qiáng)大的負(fù)載能力,在設(shè)計(jì)中可以將其配合額外的多組輸入信號(hào)源做矩陣式LED控制電路,從而達(dá)到獨(dú)立控制多個(gè)LED的照明目的。具體可前往東芝官網(wǎng),參考東芝矩陣式LED前照燈設(shè)計(jì)。

三、應(yīng)用場(chǎng)景部署

隨著節(jié)能減排的大力發(fā)展,新能源車的產(chǎn)業(yè)得到了蓬勃發(fā)展,提高電池容納能力和降低車載器件設(shè)備功耗開銷是有效節(jié)能的一個(gè)重要措施。SSM6K809R適合用于車載應(yīng)用,如前大燈、轉(zhuǎn)向燈、日間行車燈、USB充電器等,以低導(dǎo)通電阻降低功耗持續(xù)節(jié)能。

科技引領(lǐng)生活,東芝半導(dǎo)體堅(jiān)持科技創(chuàng)新用更安全、更出色、更智能的電子產(chǎn)品服務(wù)市場(chǎng)大眾。作為全球知名的半導(dǎo)體企業(yè),東芝擁有先進(jìn)的實(shí)驗(yàn)設(shè)備和專業(yè)的研發(fā)團(tuán)隊(duì),持續(xù)耕耘創(chuàng)新電子元器件的性能特性,致力打造一個(gè)可持續(xù)的未來迎接美好生活。

  • 審核編輯 黃宇
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • led
    led
    +關(guān)注

    關(guān)注

    242

    文章

    23617

    瀏覽量

    669352
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    148

    文章

    7864

    瀏覽量

    217590
  • 封裝
    +關(guān)注

    關(guān)注

    128

    文章

    8371

    瀏覽量

    144507
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    MOSFET開關(guān)損耗計(jì)算

    、參數(shù)與應(yīng)用,除針對(duì)目前低電壓 Power MOSFET 的發(fā)展趨勢(shì)做簡(jiǎn)單介紹外,還將簡(jiǎn)單比較新一代 Power MOSFET性能。 Power MOSFET 的參數(shù)與應(yīng)用 電源
    發(fā)表于 03-24 15:03

    功耗對(duì)IGBT性能的影響,如何降低IGBT功耗

    在電力電子的廣闊領(lǐng)域中,絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)作為核心器件,其性能優(yōu)劣直接關(guān)乎整個(gè)系統(tǒng)的運(yùn)行效率與穩(wěn)定性。而功耗問題,始終是IGBT應(yīng)用中不可忽視的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。今天,就讓我們一同深入探究IGBT功耗背后的奧秘。
    的頭像 發(fā)表于 03-14 09:17 ?2109次閱讀
    <b class='flag-5'>功耗</b>對(duì)IGBT<b class='flag-5'>性能</b>的影響,如何<b class='flag-5'>降低</b>IGBT<b class='flag-5'>功耗</b>

    ADS1298工作采集功能正常,測(cè)量ADS1298電流23mA正常,怎么降低功耗?

    ADS1298工作采集功能正常,測(cè)量ADS1298電流23mA正常,怎么降低功耗。
    發(fā)表于 02-05 06:44

    如何使ADS1247功耗降低?

    請(qǐng)問如何使ADS1247功耗降低,我用CC2530控制1247,現(xiàn)在整體功耗在休眠時(shí)候是5V0.45mA,但是1247說明上有一句說是:在睡眠模式下功耗只有0.1-0.5uA,我已經(jīng)
    發(fā)表于 01-10 07:58

    如何降低AFE4400的功耗?

    用AFE4400做血氧采集的前端,因?yàn)樵O(shè)備的功耗要求比較嚴(yán)格,現(xiàn)有的AFE4400的功耗為1.18Ma。請(qǐng)問能不能再把功耗降低?是否還有可降低
    發(fā)表于 01-10 07:17

    如何降低電子開關(guān)的功耗

    電子開關(guān)是現(xiàn)代電子系統(tǒng)中不可或缺的組成部分,它們控制電流的流動(dòng),實(shí)現(xiàn)設(shè)備的開啟和關(guān)閉。然而,隨著電子設(shè)備功能的增強(qiáng)和集成度的提高,功耗問題也日益突出。降低電子開關(guān)的功耗不僅有助于節(jié)約能源,還能
    的頭像 發(fā)表于 12-30 14:57 ?457次閱讀

    如何降低AD1247的功耗?

    為了使AD1247進(jìn)入睡眠模式以降低功耗嘗試了以下兩種方法: 1、將START置為低電平 ,但是至低電平后電流沒有變化; 2、通過SLEEP指令,這個(gè)進(jìn)入睡眠后AD1247的確不工作了,喚醒之后
    發(fā)表于 12-24 07:51

    臺(tái)積電2nm制成細(xì)節(jié)公布:性能提升15%,功耗降低35%

    的顯著進(jìn)步。 臺(tái)積電在會(huì)上重點(diǎn)介紹了其2納米“納米片(nanosheets)”技術(shù)。據(jù)介紹,相較于前代制程,N2制程在性能提升了15%,功耗降低了高達(dá)30%,能效顯著
    的頭像 發(fā)表于 12-18 16:15 ?466次閱讀

    臺(tái)積電分享 2nm 工藝深入細(xì)節(jié):功耗降低 35% 或性能提升15%!

    來源:IEEE 臺(tái)積電在本月早些時(shí)候于IEEE國(guó)際電子器件會(huì)議(IEDM)上公布了其N2(2nm級(jí))制程的更多細(xì)節(jié)。該新一代工藝節(jié)點(diǎn)承諾實(shí)現(xiàn)24%至35%的功耗降低或15%的性能提升
    的頭像 發(fā)表于 12-16 09:57 ?600次閱讀
    臺(tái)積電分享 2nm 工藝深入細(xì)節(jié):<b class='flag-5'>功耗</b><b class='flag-5'>降低</b> 35% 或<b class='flag-5'>性能</b><b class='flag-5'>提升</b>15%!

    MOSFET驅(qū)動(dòng)器的功耗計(jì)算

    MOSFET驅(qū)動(dòng)器功耗 MOSFET驅(qū)動(dòng)器的功耗包含三部分: 由于MOSFET柵極電容充電和放電產(chǎn)生的
    的頭像 發(fā)表于 10-29 10:45 ?1122次閱讀
    <b class='flag-5'>MOSFET</b>驅(qū)動(dòng)器的<b class='flag-5'>功耗</b>計(jì)算

    TAS5805的PWM頻率工作中768K,如果設(shè)定到384K,功耗會(huì)降低嗎?能否這樣進(jìn)行調(diào)整?

    為了降低整體功耗,需要對(duì)TAS5805的功耗進(jìn)行降低. 1、目前TAS5805的PWM頻率工作中768K(消耗電流:33mA),如果設(shè)定到384K,
    發(fā)表于 10-11 06:08

    MOSFET驅(qū)動(dòng)器功耗有哪些

    功耗是指MOSFET在指定的熱條件下可以連續(xù)耗散的最大功率。對(duì)于MOSFET驅(qū)動(dòng)器而言,其功耗主要由三部分組成:驅(qū)動(dòng)損耗、開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。這些損耗的產(chǎn)生與
    的頭像 發(fā)表于 10-10 15:58 ?674次閱讀

    仁懋MOSFET提升電視與會(huì)議機(jī)性能的關(guān)鍵

    在當(dāng)今科技飛速發(fā)展的時(shí)代,電視和會(huì)議機(jī)作為信息傳播和遠(yuǎn)程溝通的重要工具,其性能提升一直是行業(yè)內(nèi)不斷追求的目標(biāo)。仁懋電子作為半導(dǎo)體領(lǐng)域的佼佼者,其MOSFET產(chǎn)品在這一過程中扮演了至關(guān)重要的角色
    的頭像 發(fā)表于 08-30 10:03 ?554次閱讀
    仁懋<b class='flag-5'>MOSFET</b>:<b class='flag-5'>提升</b>電視與會(huì)議機(jī)<b class='flag-5'>性能</b>的關(guān)鍵

    驅(qū)動(dòng)電流對(duì)MOSFET性能有什么影響

    驅(qū)動(dòng)電流對(duì)MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)性能有著顯著的影響。MOSFET作為現(xiàn)代電子系統(tǒng)中常用的開關(guān)元件,其性能直接決定了系統(tǒng)的效率、穩(wěn)定性和可靠性。以下將詳細(xì)分析驅(qū)動(dòng)電
    的頭像 發(fā)表于 07-24 16:27 ?1069次閱讀

    如何修改Kernel Affinity提升openplc性能?

    如何修改Kernel Affinity提升openplc性能
    發(fā)表于 05-22 06:36