一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

東芝半導(dǎo)體將加快開發(fā)下一代功率器件及SiC和GaN第三代半導(dǎo)體

jf_izSRQyuK ? 來源:變頻器世界 ? 2024-03-04 18:10 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

2023年,東芝半導(dǎo)體的功率器件銷售額估計(jì)約為1000億日元,其中35%用于汽車市場(chǎng),20%用于工業(yè)市場(chǎng)。目前,東芝半導(dǎo)體在全球MOSFET市場(chǎng)上排名第四,而東芝半導(dǎo)體的目標(biāo)是排名第三。

據(jù)東芝電子元件(上海)有限公司分立器件應(yīng)用技術(shù)部門高級(jí)經(jīng)理屈興國介紹,從2022年開始,東芝半導(dǎo)體的300毫米晶圓生產(chǎn)線的產(chǎn)品開始出貨。2023年,又增加了LVMOS系列產(chǎn)品的數(shù)量,以填補(bǔ)高端產(chǎn)品的產(chǎn)能增加。未來,東芝半導(dǎo)體將繼續(xù)開發(fā)新產(chǎn)品,同時(shí)應(yīng)對(duì)車載產(chǎn)品。

在車載領(lǐng)域

東芝半導(dǎo)體開始批量生產(chǎn)用于48V電池的采用L-TOGLTM封裝的80V LVMOS,以及安裝面積減少55%(與我們現(xiàn)有的產(chǎn)品相比)的采用S-TOGLTM封裝的40V LVMOS。此外,還開始提供原創(chuàng)封裝SOF Dual(WF)的樣品,與兩個(gè)5mmx6mm的封裝相比,它可以將安裝面積減少25%。

▊在工業(yè)領(lǐng)域

東芝半導(dǎo)體開始批量生產(chǎn)采用TO-247-4L(X)封裝的第三代SiC MOSFET(1200V/650V)和SiC SBD(650V),并將于2024年發(fā)布表面貼裝產(chǎn)品SiC MOSFET (650V)和SiC SBD(1200V)。對(duì)于GaN,東芝半導(dǎo)體已經(jīng)通過服務(wù)器電源參考模型確認(rèn)了其高效率的成果,并在未來加速開發(fā)。對(duì)于硅器件,東芝半導(dǎo)體正在擴(kuò)大帶有高速體二極管的650V SJMOS和150V LVMOS產(chǎn)品線。

對(duì)于大功率應(yīng)用,6.5kV PPI(壓接式IGBT)已開始提供樣品,計(jì)劃在2026年左右進(jìn)行批量生產(chǎn)。此外,在2023年5月德國PCIM展會(huì)上推出了用于大型太陽能應(yīng)用的2.2kV SiC MOS半橋模塊,已于8月開始批量生產(chǎn)。用于海上風(fēng)電和輸電的6.5kV PPI(壓接式IGBT)樣品開始發(fā)貨,計(jì)劃于2026年左右批量生產(chǎn)?!坝捎谶@些應(yīng)用需要驅(qū)動(dòng)電路和隔離驅(qū)動(dòng)電路,我們打算將這種模擬IC引入市場(chǎng),并向市場(chǎng)提出解決方案。”屈興國表示。

中國新能源汽車市場(chǎng)正在高水平增長,預(yù)計(jì)市場(chǎng)將繼續(xù)增長。針對(duì)這一市場(chǎng),東芝半導(dǎo)體將開發(fā)碳化硅 MOSFET、硅IGBT,并擴(kuò)大裸片和模塊的銷售。在工業(yè)電源市場(chǎng)中,隨著基站電源需求的增加以及數(shù)據(jù)中心等服務(wù)器增加48V電源的技術(shù)趨勢(shì),對(duì)80V、150V LVMOS的需求正在增加。因此,東芝半導(dǎo)體的第10代LVMOS已經(jīng)在對(duì)應(yīng)這個(gè)需求。此外,電動(dòng)汽車充電站和光伏逆變器對(duì)650V Si SJMOS、650V和1200V SiC MOS的需求也在增加,東芝半導(dǎo)體也在開發(fā)的最新一代產(chǎn)品以來滿足這些需求。

屈興國表示,在電力需求持續(xù)擴(kuò)大的中國,包括海上風(fēng)電在內(nèi)的輸電采用高壓直流輸電(HVDC)。東芝半導(dǎo)體已經(jīng)開始批量生產(chǎn)低損耗4.5kV PPI,并在開發(fā)高壓6.5kV PPI以滿足中國客戶的需求。

近年來,隨著新能源市場(chǎng)規(guī)模的不斷壯大,東芝半導(dǎo)體也在不斷加碼這一市場(chǎng)。屈興國坦言,“供應(yīng)能力是我們面臨的挑戰(zhàn)之一,我們于2022年開始在300mm晶圓線上生產(chǎn)功率器件,并在日本加賀建造一個(gè)新的300mm晶圓廠,預(yù)計(jì)2024年秋季開始批量生產(chǎn)?!?/p>

在所有新能源市場(chǎng)中,東芝半導(dǎo)體認(rèn)為轉(zhuǎn)換效率至關(guān)重要,技術(shù)發(fā)展和成本之間的平衡是關(guān)鍵。因此,東芝半導(dǎo)體將加快開發(fā)功耗更低的下一代功率器件以及SiC和GaN等第三代半導(dǎo)體,并在盡早推出。

“東芝半導(dǎo)體在功率器件市場(chǎng)有50多年的業(yè)績記錄,最優(yōu)先的是廣泛用于汽車、工業(yè)和其他應(yīng)用的低壓MOSFET,還有高壓器件,包括IGBT。我們目前正在加快SiC和GaN等復(fù)合功率器件的開發(fā),這將有助于實(shí)現(xiàn)碳中和?!鼻d國表示。

電動(dòng)汽車是功率半導(dǎo)體廠商的必爭之地,市場(chǎng)競爭非常激烈。東芝半導(dǎo)體也十分看重這一市場(chǎng)的前景,并預(yù)計(jì)該市場(chǎng)將以每年約15%的增長率繼續(xù)擴(kuò)張。東芝半導(dǎo)體在功率器件上投入了巨大的研發(fā)和投資資源,以提供更高效的產(chǎn)品。目前,東芝半導(dǎo)體專注于汽車市場(chǎng)上的MOSFET,并正在努力推廣用于逆變器和車載充電器應(yīng)用的SiC功率器件,并繼續(xù)與潛在客戶進(jìn)行討論,預(yù)計(jì)在2025年左右進(jìn)入市場(chǎng)。東芝半導(dǎo)體認(rèn)為GaN功率器件可能非常適合OBC應(yīng)用。

在屈興國看來,SiC有望在汽車牽引逆變器和車載充電器(OBC)等應(yīng)用中快速增長,東芝半導(dǎo)體已經(jīng)開發(fā)出用于電氣鐵路應(yīng)用的高質(zhì)量SiC MOSFET。因?yàn)檫@種SiC MOSFET具有內(nèi)置的SBD,所以可以抑制晶體缺陷的增長。目前,第三代SiC MOSFET已經(jīng)為該行業(yè)批量生產(chǎn)。GaN是從利用高效大功率密度的服務(wù)器應(yīng)用為車載應(yīng)用開發(fā)的,通過使用650V樣品和原始控制電路,東芝半導(dǎo)體確認(rèn)了針對(duì)服務(wù)器電源應(yīng)用的圖騰柱PFC,全橋DC-DC參考板實(shí)現(xiàn)了高效和低振鈴工作。


審核編輯:劉清

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    150

    文章

    8620

    瀏覽量

    220493
  • 功率器件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    42

    文章

    1933

    瀏覽量

    92755
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    31

    文章

    3226

    瀏覽量

    65254
  • 光伏逆變器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    10

    文章

    508

    瀏覽量

    31703
  • 東芝半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    108

    瀏覽量

    14923

原文標(biāo)題:東芝半導(dǎo)體:轉(zhuǎn)換效率至關(guān)重要,加速開發(fā)第三代半導(dǎo)體

文章出處:【微信號(hào):變頻器世界,微信公眾號(hào):變頻器世界】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    電鏡技術(shù)在第三代半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用

    第三代半導(dǎo)體材料,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表,因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn),正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要
    的頭像 發(fā)表于 06-19 14:21 ?165次閱讀
    電鏡技術(shù)在<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>中的關(guān)鍵應(yīng)用

    第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

    )和碳化硅(SiC),它們?cè)陔娏﹄娮?、射頻和光電子等領(lǐng)域展現(xiàn)出卓越的性能。本文詳細(xì)探討第三代半導(dǎo)體的基本特性、優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用領(lǐng)域以及其發(fā)展前景。
    的頭像 發(fā)表于 05-22 15:04 ?772次閱讀

    瑞能半導(dǎo)體第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)

    隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展,進(jìn)步推動(dòng)算力需求,服務(wù)器電源效率需達(dá)97.5%-98%,通過降低能量損耗,來支撐高功率的GPU。為了抓住市場(chǎng)機(jī)遇,瑞能半導(dǎo)體先發(fā)制人,推出的第三代超結(jié)MO
    的頭像 發(fā)表于 05-22 13:58 ?226次閱讀
    瑞能<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>第三代</b>超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)

    是德示波器如何精準(zhǔn)測(cè)量第三代半導(dǎo)體SiC的動(dòng)態(tài)特性

    第三代半導(dǎo)體材料SiC(碳化硅)憑借其高擊穿電壓、低導(dǎo)通電阻、耐高溫等特性,在新能源汽車、工業(yè)電源、軌道交通等領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)。然而,SiC器件
    的頭像 發(fā)表于 04-22 18:25 ?243次閱讀
    是德示波器如何精準(zhǔn)測(cè)量<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>SiC</b>的動(dòng)態(tài)特性

    第三代半導(dǎo)體器件封裝:挑戰(zhàn)與機(jī)遇并存

    成為行業(yè)內(nèi)的研究熱點(diǎn)。本文重點(diǎn)探討第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件的封裝技術(shù)及其應(yīng)用。二、第三代寬禁
    的頭像 發(fā)表于 02-15 11:15 ?817次閱讀
    <b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>器件</b>封裝:挑戰(zhàn)與機(jī)遇并存

    中國成功在太空驗(yàn)證第三代半導(dǎo)體材料功率器件

    近日,中國在太空成功驗(yàn)證了首款國產(chǎn)碳化硅(SiC功率器件,這突破性進(jìn)展標(biāo)志著第三代半導(dǎo)體材料
    的頭像 發(fā)表于 02-11 10:30 ?662次閱讀

    意法半導(dǎo)體新能源功率器件解決方案

    在《意法半導(dǎo)體新能源功率解決方案:從產(chǎn)品到應(yīng)用,文讀懂(上篇)》文章中,我們著重介紹了ST新能源功率器件中的傳統(tǒng)IGBT和高壓MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 02-07 10:38 ?857次閱讀
    意法<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>新能源<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>解決方案

    第三代半導(dǎo)體廠商加速出海

    近年來,在消費(fèi)電子需求帶動(dòng)下,加上新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、光伏、風(fēng)電、工業(yè)控制等產(chǎn)業(yè)的興起,以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體廠商發(fā)展迅速。
    的頭像 發(fā)表于 01-04 09:43 ?871次閱讀

    第三代半導(dǎo)體對(duì)防震基座需求前景?

    隨著科技的發(fā)展,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于快速擴(kuò)張階段。在全球范圍內(nèi),各國都在加大對(duì)第三代半導(dǎo)體的投入,建設(shè)了眾多新的晶圓廠和生產(chǎn)線。如中國,多地都有相關(guān)大型項(xiàng)目規(guī)劃與建設(shè),像蘇州的國家
    的頭像 發(fā)表于 12-27 16:15 ?596次閱讀
    <b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>對(duì)防震基座需求前景?

    第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展

    當(dāng)前,第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展。其中,新能源汽車市場(chǎng)的
    的頭像 發(fā)表于 12-16 14:19 ?844次閱讀

    第三代寬禁帶半導(dǎo)體:碳化硅和氮化鎵介紹

    ? 第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優(yōu)勢(shì),且它們?cè)陔娏﹄娮酉到y(tǒng)和電動(dòng)汽車等領(lǐng)域中有著重要應(yīng)用。本文對(duì)其進(jìn)行簡單介紹。 以碳化硅(SiC)和氮化鎵(
    的頭像 發(fā)表于 12-05 09:37 ?1451次閱讀
    <b class='flag-5'>第三代</b>寬禁帶<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>:碳化硅和氮化鎵介紹

    第三代半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)基礎(chǔ)知識(shí)

    第三代半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)。它以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,在科技界掀起了陣熱潮。 ? 今天我要和你們聊
    的頭像 發(fā)表于 11-27 16:06 ?1731次閱讀
    <b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>氮化鎵(<b class='flag-5'>GaN</b>)基礎(chǔ)知識(shí)

    第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用

    隨著科技的發(fā)展,半導(dǎo)體技術(shù)經(jīng)歷了多次變革,而第三代半導(dǎo)體材料的出現(xiàn),正在深刻改變我們的日常生活和工業(yè)應(yīng)用。
    的頭像 發(fā)表于 10-30 11:24 ?2120次閱讀

    第三代半導(dǎo)體半導(dǎo)體區(qū)別

    半導(dǎo)體是指導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料,具有獨(dú)特的電學(xué)性質(zhì),是電子工業(yè)中不可或缺的基礎(chǔ)材料。隨著科技的進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,半導(dǎo)體材料經(jīng)歷了從第一代
    的頭像 發(fā)表于 10-17 15:26 ?2692次閱讀

    德高化成第三代半導(dǎo)體GaN倒裝芯片LED封裝制造擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目正式開工

    據(jù)天津經(jīng)開區(qū)泰達(dá)消息,近日,天津德高化成新材料股份有限公司的全資子公司天津德高化成科技有限公司(以下簡稱德高化成)在天津經(jīng)開區(qū)的施工現(xiàn)場(chǎng)打下第根樁,標(biāo)志著德高化成第三代半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 08-01 16:25 ?811次閱讀