3 月 19 日，英偉達推出名為 Blackwell GB200 的最新一代 AI 計算加速卡。該卡使用臺積電 4NP 制程，搭載 192 HBM3E 內(nèi)存及2080 億個晶體管。相較于上代 H100，它的推理大語言模型性能得到提高 30 倍。成本及能耗亦下降近 96%。

同日，SK 海力士宣布啟動 HBM3E 內(nèi)存的量產(chǎn)工作，并在本月下旬開始供貨。自去年宣布研發(fā)僅過了七個月。據(jù)稱，該公司成為全球首家量產(chǎn)出貨HBM3E 的廠商，每秒鐘能處理高達 1.18TB 的數(shù)據(jù)。此項數(shù)據(jù)處理能力足以支持在一小時內(nèi)處理多達約 33，800 部全高清電影。

在面對 AI 對內(nèi)存速度要求提高的同時，SK 海力士的 HBM3E 著重體現(xiàn)了出色的散熱性能。該款產(chǎn)品采用了先進的 MR-MUF 技術(shù)，散熱性能比上代產(chǎn)品顯著提升 10%，整體表現(xiàn)處于世界最高水平。

據(jù)悉，MR-MUF 是一種將半導(dǎo)體芯片堆疊后，注入液態(tài)保護性材料并進行固化的技藝，對比傳統(tǒng)的每堆疊一個芯片鋪設(shè)薄膜材料的工藝方法具有更好的效率，且更為高效地解決散熱問題。

SK 海力士的 HBM 業(yè)務(wù)負責(zé)人柳成洙表示，該項目的商業(yè)化生產(chǎn)將進一步增強公司在AI領(lǐng)域存儲器產(chǎn)品的領(lǐng)導(dǎo)地位。他強調(diào)，公司將以 HBM 業(yè)務(wù)的成功經(jīng)驗作為基石，深化與客戶的聯(lián)系，穩(wěn)固其在“全方位人工智能存儲器供應(yīng)商”的地位。

除 SK 海力士外，三星電子和美光也在向 NVIDIA 提供 HBM3E 樣品，但尚需通過最后的質(zhì)量認證測試以保證產(chǎn)品符合出貨標準。然而，SK 海力士已提前預(yù)設(shè)時間至少兩個月開始量產(chǎn)。

目前，NVIDIA 在AI GPU 市場占據(jù)超過 90%的份額；在存儲領(lǐng)域，SK 海力士已經(jīng)主導(dǎo)全球一半以上的 HBM 市場份額，且徹底壟斷了 128GB DDR5 這一大型 DRAM 產(chǎn)品市場。