韓國(guó)《朝鮮日?qǐng)?bào)》報(bào)道,盡管英偉達(dá)首席執(zhí)行官黃仁勛已開(kāi)始測(cè)試三星的HBM3E,但尚未正式采用。實(shí)際上,SK海力士仍然在該領(lǐng)域獨(dú)占鰲頭。
報(bào)道透露,黃仁勛曾在英偉達(dá)的年度會(huì)議“GTC 2024”上,巡視各參展廠商。當(dāng)他查看三星電子的HBM3E展覽時(shí),親筆寫下了“Jensen Approved”的字樣。對(duì)此,三星電子美洲區(qū)副總裁金滿漢在領(lǐng)英平臺(tái)上傳了一渲染圖,配文表示:“黃仁勛親自批準(zhǔn)三星電子的HBM3E?!?/p>
然而,就在前一日,面對(duì)記者關(guān)于三星電子HBM的提問(wèn),黃仁勛回答:“我們尚未啟用,正進(jìn)行資格認(rèn)證?!?/p>
現(xiàn)如今,SK海力士為英偉達(dá)AI半導(dǎo)體提供主要HBM產(chǎn)品,同時(shí)自去年起,美光公司也加入了該供應(yīng)陣營(yíng)。據(jù)悉,相比其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手,三星電子在HBM授權(quán)上大約晚了一年有余。
針對(duì)此事,一名半導(dǎo)體行業(yè)觀察人士提出:“英偉達(dá)采用HBM3E或許意在激勵(lì)制造商們的積極性。這個(gè)變化背后的意義撲朔迷離,但顯然,多家供應(yīng)商將展開(kāi)激烈角逐?!?/p>
對(duì)比三星電子與SK海力士在HBM市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力,根據(jù)ChosunBiz的統(tǒng)計(jì)顯示:盡管兩者共同占領(lǐng)了該市場(chǎng),但SK海力士以近90%的市場(chǎng)份額領(lǐng)跑于高端第四代HBM(HBM3)市場(chǎng)(依據(jù)TrendForce的數(shù)據(jù))。
值得注意的是,HMB的平均售價(jià)是DDR4DRAM的五倍之多。因此,隨著SK海力士于去年第四季度在全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)市場(chǎng)重新盈利,HBM功不可沒(méi)。
在HBM市場(chǎng)方面,雙方的競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)集中在第三代HBM(HBM2E)。尤其是SK海力士搶先引進(jìn)了TSV制程中具有技術(shù)難度的Mass Reflow Molded Underfill(MR- MUF)技術(shù)。此項(xiàng)技術(shù)不僅避免了堆疊芯片間的直接接觸,提高了系統(tǒng)效率,而且還改善了芯片散熱性能,使SK海力士在這一領(lǐng)域更具優(yōu)勢(shì)。
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