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      基本半導(dǎo)體推出一款1200V 240A大功率碳化硅MOSFET半橋模塊

      基本半導(dǎo)體 ? 來源：基本半導(dǎo)體 ? 2024-04-11 09:22 ? 次閱讀
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      Pcore2 E2B 封裝

      1200V 240A 大功率碳化硅MOSFET模塊

      BMF240R12E2G3是基本半導(dǎo)體為更好滿足工業(yè)客戶對(duì)高效和高功率密度需求而開發(fā)的一款1200V 240A大功率碳化硅MOSFET半橋模塊，該模塊采用了Press-Fit壓接工藝、帶NTC溫度檢測(cè)以及高封裝可靠性的氮化硅（Si3N4）AMB陶瓷基板等技術(shù)，在導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗、抗誤導(dǎo)通、可靠性等方面表現(xiàn)出色，可應(yīng)用于大功率快速充電樁模塊、不間斷電源UPS、高頻DCDC變換器、高端工業(yè)焊機(jī)等領(lǐng)域。

      產(chǎn)品拓?fù)?/strong>

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      產(chǎn)品特點(diǎn)

      高晶圓可靠性

      新型內(nèi)部構(gòu)造極大抑制了碳化硅晶體缺陷引起的RDS(on)退化。

      優(yōu)異抗噪特性

      寬柵-源電壓范圍（VGS: -10V~+25V），及更高閾值電壓（VGS(th).typ = 4.0V），便于柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)。

      高熱性能及高封裝可靠性

      高性能氮化硅AMB陶瓷基板及高溫焊料引入，改善溫度循環(huán)的CTE失配，陶瓷板的可靠性大幅提升。

      Press-Fit連接技術(shù)

      集成NTC溫度傳感器

      應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

      低導(dǎo)通電阻

      低開關(guān)損耗

      提高系統(tǒng)效率，降低系統(tǒng)散熱需求

      提高開關(guān)頻率，以降低設(shè)備體積，提高功率密度

      高閾值電壓，降低誤導(dǎo)通風(fēng)險(xiǎn)

      應(yīng)用領(lǐng)域

      大功率快速充電樁

      不間斷電源UPS

      儲(chǔ)能系統(tǒng)ESS

      高端工業(yè)電焊機(jī)

      高頻DCDC變換器

      工業(yè)伺服電機(jī)

      產(chǎn)品列表

      cdcdc0f8-f736-11ee-a297-92fbcf53809c.jpg




      審核編輯：劉清

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      原文標(biāo)題：產(chǎn)品速遞 | 工業(yè)級(jí)Pcore?2 E2B碳化硅MOSFET半橋模塊

      文章出處：【微信號(hào)：基本半導(dǎo)體，微信公眾號(hào)：基本半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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