東芝12寸晶圓功率半導(dǎo)體廠完工，產(chǎn)能預(yù)計(jì)提升2.5倍
日本東芝電子元件與存儲(chǔ)器部門于5月23日宣布了其位于日本廣島縣吳市弓削町的12英寸晶圓功率半導(dǎo)體制造廠及其辦公樓的落成典禮。
東芝透露，目前正致力于相關(guān)設(shè)備的安裝，旨在確保在2024財(cái)年下半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。一旦全面投產(chǎn)，東芝功率半導(dǎo)體的主要產(chǎn)品MOSFET和IGBT的產(chǎn)量預(yù)計(jì)將達(dá)到2021財(cái)年投資計(jì)劃的2.5倍。
關(guān)于未來(lái)的第二期建設(shè)和運(yùn)營(yíng)時(shí)間表，將依據(jù)市場(chǎng)狀況作出決策。
據(jù)東芝介紹，新制造廠采用了抗震設(shè)計(jì)和備用電源系統(tǒng)，符合公司的業(yè)務(wù)連續(xù)性計(jì)劃（BCP），對(duì)保障公司業(yè)務(wù)連續(xù)性具有重要意義。
此外，在全面投產(chǎn)后，該設(shè)施有望通過(guò)利用可再生能源和建筑屋頂太陽(yáng)能電池板實(shí)現(xiàn)100%的電力自給。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
東芝
+關(guān)注
關(guān)注
6文章
1449瀏覽量
122603 -
IGBT
+關(guān)注
關(guān)注
1278文章
4068瀏覽量
254503 -
功率半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
23文章
1308瀏覽量
44122
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
晶圓隱裂檢測(cè)提高半導(dǎo)體行業(yè)效率
相機(jī)與光學(xué)系統(tǒng)，可實(shí)現(xiàn)亞微米級(jí)缺陷檢測(cè)，提升半導(dǎo)體制造的良率和效率。SWIR相機(jī)晶圓隱裂檢測(cè)系統(tǒng)，使用紅外相機(jī)發(fā)揮波段長(zhǎng)穿透性強(qiáng)的特性進(jìn)行材質(zhì)透檢捕捉內(nèi)部隱裂缺陷
如何用Keithley 6485靜電計(jì)提升晶圓良品率
在半導(dǎo)體行業(yè)中，晶圓的良品率是衡量制造工藝及產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)。提高晶圓良品率不僅可以降低生產(chǎn)成本，還能提高產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。Keithle
東芝功率半導(dǎo)體后道生產(chǎn)新廠房竣工
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(東芝)近日在其位于日本西部兵庫(kù)縣姬路半導(dǎo)體工廠的車載功率半導(dǎo)體后道生產(chǎn)新廠房舉辦了竣工慶祝儀式。新廠房的
【博捷芯12寸雙軸全自動(dòng)劃片機(jī)】半導(dǎo)體切割高效解決方案 | 精準(zhǔn)穩(wěn)定，產(chǎn)能翻倍
行業(yè)痛點(diǎn)：半導(dǎo)體切割效率與精度如何兼顧？隨著半導(dǎo)體、LED、集成電路行業(yè)對(duì)精細(xì)化加工需求的提升，傳統(tǒng)劃片機(jī)面臨精度不足、產(chǎn)能低下、人工依賴度高等問題。博捷芯
北京市最值得去的十家半導(dǎo)體芯片公司
8英寸、12英寸晶圓產(chǎn)線，布局SiC與65nm特色工藝，產(chǎn)品涵蓋功率器件與顯示驅(qū)動(dòng)芯片，2024
發(fā)表于 03-05 19:37
尋求6寸8寸晶圓打包發(fā)貨紙箱廠家
大家元宵節(jié)快樂！
半導(dǎo)體新人，想尋求一家紙箱供應(yīng)商。
用于我司成品晶圓發(fā)貨，主要是6寸和8寸晶
發(fā)表于 02-12 18:04
升陽(yáng)半導(dǎo)體臺(tái)中港區(qū)再生晶圓新廠開工
中國(guó)臺(tái)灣再生晶圓與半導(dǎo)體設(shè)備廠商升陽(yáng)半導(dǎo)體近日宣布，將在臺(tái)中港科技產(chǎn)業(yè)園區(qū)新建廠房并擴(kuò)充產(chǎn)能。據(jù)悉，該項(xiàng)目總投資額達(dá)新臺(tái)幣25億元（約合人民
環(huán)球晶獲4.06億美元補(bǔ)助，用于12英寸先進(jìn)制程硅晶圓等擴(kuò)產(chǎn)
的直接補(bǔ)助。 這筆資金將用于支持環(huán)球晶在美國(guó)德州謝爾曼市及密蘇里州圣彼得斯市的先進(jìn)半導(dǎo)體晶圓廠投資計(jì)劃，預(yù)計(jì)總投資額將達(dá)到40億美元。環(huán)球晶表示，此次補(bǔ)助將對(duì)其在美國(guó)的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃起到至關(guān)
天域半導(dǎo)體8英寸SiC晶圓制備與外延應(yīng)用
碳化硅（SiC）是制作高溫、高頻、大功率電子器件的理想電子材料之一，近20年來(lái)隨著SiC材料加工技術(shù)的不斷提升，其應(yīng)用領(lǐng)域不斷擴(kuò)大。目前SiC芯片的制備仍然以6英寸（1英寸=25.4
三菱電機(jī)供應(yīng)12英寸功率半導(dǎo)體芯片
三菱電機(jī)集團(tuán)近日宣布，其功率器件制作所（Power Device Works）福山工廠即日起開始大規(guī)模供應(yīng)采用12英寸硅（Si）晶圓制造的
氮化鎵晶圓在劃切過(guò)程中如何避免崩邊
9月，英飛凌宣布成功開發(fā)出全球首款12英寸（300mm）功率氮化鎵（GaN）晶圓。12英
功率氮化鎵進(jìn)入12英寸時(shí)代！
等第三代半導(dǎo)體而言，它們還有提升空間。 ? 就在9月11日，英飛凌宣布率先開發(fā)出全球首項(xiàng)300 mm（12英寸）氮化鎵功率
信越化學(xué)推出12英寸GaN晶圓，加速半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新
日本半導(dǎo)體材料巨頭信越化學(xué)近日宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破，成功研發(fā)并制造出專用于氮化鎵（GaN）外延生長(zhǎng)的300毫米（即12英寸）晶圓，標(biāo)志著公
環(huán)球晶圓獲美國(guó)4億美元補(bǔ)助，加速半導(dǎo)體產(chǎn)能擴(kuò)張
近日，美國(guó)商務(wù)部宣布了一項(xiàng)重要舉措，與環(huán)球晶圓（GlobalWafers）的子公司達(dá)成了初步合作框架，標(biāo)志著雙方在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作上邁出了堅(jiān)實(shí)的一步。根據(jù)這份不具約束力的備忘錄，美國(guó)政府將通過(guò)《芯片和科學(xué)法案》向環(huán)球
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論