5月25日上午，半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新發(fā)展論壇在廣電計(jì)量科技產(chǎn)業(yè)園順利舉辦，來自全國(guó)各地100多名國(guó)內(nèi)頂尖的高校專家、行業(yè)領(lǐng)袖，共同聚焦SiC、GaN等前沿技術(shù)領(lǐng)域，探討技術(shù)創(chuàng)新、標(biāo)準(zhǔn)制定及產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所原副所長(zhǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（以下簡(jiǎn)稱第三代半導(dǎo)體聯(lián)盟）副理事長(zhǎng)兼秘書長(zhǎng)楊富華，廣電計(jì)量檢測(cè)集團(tuán)股份有限公司副總經(jīng)理陸裕東出席論壇并致辭。

半導(dǎo)體和集成電路是支撐現(xiàn)代經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展的戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性和先導(dǎo)性產(chǎn)業(yè)，是引領(lǐng)新一輪科技革命和產(chǎn)業(yè)變革的關(guān)鍵力量，也是新質(zhì)生產(chǎn)力的典型代表。本次論壇以“創(chuàng)‘芯’驅(qū)動(dòng)發(fā)展，標(biāo)準(zhǔn)引領(lǐng)未來”為主題，由第三代半導(dǎo)體聯(lián)盟、廣州數(shù)字科技集團(tuán)有限公司指導(dǎo)，第三代半導(dǎo)體聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)、廣電計(jì)量聯(lián)合主辦，廣東工業(yè)大學(xué)集成電路學(xué)院、是德科技（中國(guó)）有限公司協(xié)辦。廣電計(jì)量集成電路測(cè)試與分析事業(yè)部副總經(jīng)理李汝冠，廣東工業(yè)大學(xué)集成電路學(xué)院副院長(zhǎng)、教授劉遠(yuǎn)共同擔(dān)任主持。

楊富華在致辭中表示，2023年第三代半導(dǎo)體（SiC、GaN）功率器件的市場(chǎng)153.2億元，同比增長(zhǎng)45%，產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展空間很大。第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展離不開標(biāo)準(zhǔn)、檢測(cè)、科技創(chuàng)新的支持，第三代半導(dǎo)體聯(lián)盟團(tuán)隊(duì)十余年都在探索推動(dòng)科技創(chuàng)新、標(biāo)準(zhǔn)研制與產(chǎn)業(yè)發(fā)展的協(xié)同機(jī)制，希望以標(biāo)準(zhǔn)化為橋梁，促進(jìn)創(chuàng)新技術(shù)成果向產(chǎn)業(yè)化的發(fā)展，協(xié)調(diào)上中下游的協(xié)作創(chuàng)新。

陸裕東在致辭中表示，作為工信部、發(fā)改委及廣東省、江蘇省和上海市支持掛牌的集成電路公共服務(wù)平臺(tái)，廣電計(jì)量是國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體質(zhì)量評(píng)價(jià)與可靠性解決方案服務(wù)提供方，同時(shí)也是國(guó)內(nèi)首家進(jìn)行車規(guī)級(jí)芯片驗(yàn)證的國(guó)有上市第三方服務(wù)機(jī)構(gòu)，廣泛參與了半導(dǎo)體與集成電路的評(píng)估驗(yàn)證、標(biāo)準(zhǔn)研制和產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，積極為行業(yè)創(chuàng)新發(fā)展注入新動(dòng)能。

會(huì)上，來自全國(guó)頂尖高校學(xué)者、行業(yè)專家、企業(yè)代表，聚焦SiC、GaN等前沿技術(shù)領(lǐng)域分享最新技術(shù)創(chuàng)新成果。

中國(guó)科學(xué)院空間應(yīng)用中心載人航天空間應(yīng)用系統(tǒng)總體元器件技術(shù)負(fù)責(zé)人、正高級(jí)工程師張澤明作《面向航天應(yīng)用的半導(dǎo)體器件測(cè)試與標(biāo)準(zhǔn)》報(bào)告。

工業(yè)和信息化部電子第五研究所研究員陳媛作《SiC MOS功率器件標(biāo)準(zhǔn)體系構(gòu)建及動(dòng)態(tài)可靠性測(cè)試挑戰(zhàn)》報(bào)告。

重慶大學(xué)電氣工程學(xué)院教授、博士生導(dǎo)師曾正作《SiC MOS功率器件開關(guān)測(cè)試及實(shí)踐》報(bào)告。

廣電計(jì)量集成電路測(cè)試與分析中心總監(jiān)江雪晨作《SiC MOSFET超越Si器件標(biāo)準(zhǔn)的可靠性測(cè)試及篩選方案》報(bào)告。

電子科技大學(xué)集成電路科學(xué)與工程學(xué)院教授、博士生導(dǎo)師明鑫作《功率GaN健康驅(qū)動(dòng)策略研究》報(bào)告。

北京大學(xué)集成電路學(xué)院研究員、博士生導(dǎo)師魏進(jìn)作《增強(qiáng)型GaN功率器件動(dòng)態(tài)閾值電壓：原理與解決方案》報(bào)告。

西安電子科技大學(xué)廣州研究院副教授李祥東作《硅基GaN外延片電性分析》報(bào)告。

廣東工業(yè)大學(xué)集成電路學(xué)院教授賀致遠(yuǎn)作《GaN HEMT功率器件標(biāo)準(zhǔn)體系構(gòu)建思考及建議》報(bào)告。

其中廣電計(jì)量集成電路測(cè)試與分析中心總監(jiān)江雪晨分享《SiC MOSFET超越Si器件標(biāo)準(zhǔn)的可靠性測(cè)試及篩選方案》的報(bào)告。江雪晨表示，廣電計(jì)量為半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈提供專業(yè)的失效分析、晶圓級(jí)制造工藝分析、元器件篩選、可靠性測(cè)試等服務(wù)，在SiC MOSFET可靠性評(píng)估及篩選領(lǐng)域積累了豐富的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，構(gòu)筑了創(chuàng)新發(fā)展領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。

同期，聯(lián)盟還在廣電計(jì)量科技產(chǎn)業(yè)園分別召開了SiC MOSEET器件開關(guān)動(dòng)態(tài)測(cè)試方法標(biāo)準(zhǔn)起草、GaN的標(biāo)準(zhǔn)體系標(biāo)準(zhǔn)起草的閉門會(huì)議，定向邀請(qǐng)行業(yè)專家開展“頭腦風(fēng)暴”，共同探討行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)的最新進(jìn)展和未來趨勢(shì)，以標(biāo)準(zhǔn)引領(lǐng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。

高質(zhì)量發(fā)展離不開標(biāo)準(zhǔn)的支撐與引領(lǐng)，產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新發(fā)展需要上中下游的協(xié)同推進(jìn)，未來廣電計(jì)量將加強(qiáng)產(chǎn)學(xué)研用技術(shù)交流與合作，打造一流半導(dǎo)體與集成電路協(xié)同創(chuàng)新平臺(tái)，推進(jìn)形成更多的共識(shí)，共建產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展生態(tài)，支撐SiC/GaN功率器件的新興市場(chǎng)開拓，為新質(zhì)生產(chǎn)力高質(zhì)量發(fā)展注入強(qiáng)勁動(dòng)能。