華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司"半導(dǎo)體器件制造"專利公開
上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司于2024年5月28日提交的名為“半導(dǎo)體器件的形成方法”的專利已正式發(fā)布，專利公開編號為CN118099098A。
該技術(shù)方案主要包括以下步驟：首先在襯底內(nèi)構(gòu)建第一溝槽與第二溝槽，其中第一溝槽位于MOS區(qū)域，第二溝槽位于SBR區(qū)域；接著在上述溝槽的內(nèi)壁依次制備第一氧化物層、氮化物層以及第二氧化物層；然后在第一溝槽底部及第二溝槽底部分別形成第一屏蔽柵與第二屏蔽柵；再在第一屏蔽柵與第二屏蔽柵表面分別制備第一隔離層與第二隔離層；隨后去除第一溝槽側(cè)壁的第二氧化物層與氮化物層，同時去除第二溝槽側(cè)壁的第二氧化物層與第一溝槽側(cè)壁的第一氧化物層；最后在第一溝槽側(cè)壁制備柵氧化層，其厚度應(yīng)大于第一氧化物層厚度，并去除第二溝槽側(cè)壁的氮化物層，同時在第一溝槽內(nèi)制備第一柵多晶硅，在第二溝槽內(nèi)制備第二柵多晶硅。
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