近日，上海瞻芯電子科技股份有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“瞻芯電子”）基于第三代工藝平臺(tái)開(kāi)發(fā)的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品（IV3Q12013T4Z）通過(guò)了車(chē)規(guī)級(jí)可靠性(AEC-Q101)測(cè)試認(rèn)證；同時(shí)，瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET工藝平臺(tái)正式量產(chǎn)，后續(xù)將依托浙江義烏的車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅(SiC)晶圓廠(chǎng)推出更多第三代SiC MOSFET產(chǎn)品。

瞻芯電子的第三代1200V 13.5mΩSiC MOSFET，現(xiàn)有3款產(chǎn)品：IV3Q12013T4Z，IV3Q12013BA，IV3Q12013BD，主要用于車(chē)載電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，憑借出色的性能表現(xiàn)，已獲得多家車(chē)載電驅(qū)動(dòng)客戶(hù)的項(xiàng)目定點(diǎn)。

瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET特性

第三代1200V SiC MOSFET仍為平面柵型MOSFET，相比第二代工藝，元胞的Pitch縮小了超過(guò)20%。

同時(shí)在核心指標(biāo)上，第三代產(chǎn)品在保證器件的耐壓和短路能力的前提下，將比導(dǎo)通電阻Rsp降低至2.5mΩ*cm2，達(dá)到國(guó)際第一梯隊(duì)的水平。同時(shí)，第三代產(chǎn)品的開(kāi)關(guān)損耗，對(duì)比第二代產(chǎn)品進(jìn)一步降低30%以上。

而且，第三代產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻Rds(on)的溫度系數(shù)明顯降低，在高溫運(yùn)行情況下，導(dǎo)通電阻增加較少。如下圖所示，當(dāng)Vgs=15V應(yīng)用時(shí)，175°C時(shí)的Rds(on)對(duì)比25°C時(shí)的Rds(on)只有1.42倍；當(dāng)Vgs=18V應(yīng)用時(shí)，175°C時(shí)的Rds(on)對(duì)比25°C時(shí)的Rds(on)只有1.65倍。

在可靠性方面，首款產(chǎn)品IV3Q12013T4Z不僅按照AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)完成了三批次可靠性認(rèn)證，獲得車(chē)規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證證書(shū)，而且通過(guò)了更嚴(yán)格的Beyond-AECQ可靠性考核，包括動(dòng)態(tài)可靠性（D-HTRB，D-H3TRB，AC-BTI)，柵極負(fù)偏壓下的HTRB等。 通過(guò)上述Beyond-AECQ和極限性能測(cè)試，充分驗(yàn)證了第三代工藝平臺(tái)及產(chǎn)品在多種邊界工況下的穩(wěn)定性和魯棒性，為迎接市場(chǎng)考驗(yàn)做好了充足的準(zhǔn)備。

關(guān)于瞻芯電子

上海瞻芯電子科技股份有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“瞻芯電子”）是一家聚焦于碳化硅(SiC)半導(dǎo)體領(lǐng)域的高科技芯片公司，2017年成立于上海臨港。公司致力于開(kāi)發(fā)碳化硅功率器件和模塊、驅(qū)動(dòng)和控制芯片產(chǎn)品，并圍繞碳化硅(SiC)應(yīng)用，為客戶(hù)提供一站式解決方案。

瞻芯電子是中國(guó)第一家自主開(kāi)發(fā)并掌握6英寸碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品以及工藝平臺(tái)的公司，擁有一座車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅(SiC)晶圓廠(chǎng)，標(biāo)志著瞻芯電子順利實(shí)現(xiàn)由Fabless邁向IDM的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型，進(jìn)入中國(guó)領(lǐng)先碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體公司行列。

瞻芯電子將持續(xù)創(chuàng)新，放眼世界，致力于打造中國(guó)領(lǐng)先、國(guó)際一流的碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體和芯片解決方案提供商。

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