IMD1工藝是指在第一層金屬之間的介質(zhì)隔離材料。IMD1的材料是 ULK （Ultra Low K）SiCOH材料。

1） 淀積 SiCN 刻蝕停止層（Etch Stop Layer,ESL）。利用PECVD淀積一層厚度為600A的SiCN,SiCN作為第一層金屬刻蝕停止層。圖4-238所示為淀積SiCN 的剖面圖。

2）淀積SiCOH層。利用PECVD 淀積一層厚度為 3000A的 SiCOH。利用 DEMS（Di-甲基乙氧基硅烷）和 CHO（氧化環(huán)乙烯或C6H10O），可以淀積具有CxHy的OSG 有機復(fù)合膜。利用超紫外（UV）和可見光處理排除有機氣體，最終形成多孔的SiCOH 介質(zhì)薄膜。SiCOH作為內(nèi)部金屬氧化物隔離層，可以有效地減小金屬層之間的寄生電容。

3）淀積 USG。通過PECVD淀積一層厚度約為500A 的USG。淀積的方式是利用 TEOS在400°C發(fā)生分解反應(yīng)形成二氧化硅淀積層。USG 和 TiN 硬掩膜可以防止去光刻膠工藝中的氧自由基破壞 ULK 薄膜。

4）淀積 TiN 硬掩膜版層。利用PVD淀積一層厚度約 300A的TiN。通入氣體Ar 和N2轟擊Ti靶材，淀積TiN 薄膜。TiN 為硬掩膜版層和抗反射層。圖4-239所示為淀積 TiN 的剖面圖。