IMD4 工藝是形成 TMV （Top Metal VIA，頂層金屬通孔）的介質隔離材料，同時IMD4 會隔離第三層金屬和頂層 AL金屬。IMD4 的材料也是 USG 和SiON材料。

1）淀積 SiCN 刻蝕停止層。利用 PECVD 淀積一層厚度約為 600A 的 SiCN,SiCN 作為刻蝕停止層和 M3的覆蓋層，SiCN 可以防止Cu 擴散。這樣 Ta/TaN 和 SiCN 就形成一個容器包裹著Cu，防止Cu 向外擴散。圖4-283 所示為淀積SiCN 的剖面圖。

2）淀積 USG。通過 PECVD 淀積一層厚度約為3000A的 USG。淀積的方式是利用 TEOS在400°C發(fā)生分解反應形成二氧化硅淀積層。

3）淀積SiON。利用 PECVD 淀積一層厚度約300A的SiON層，利用硅烷（SiH4）、一氧化二氮（N2O）和He 在400°C的溫度下發(fā)生化學反應形成 SiON 淀積。圖4-284所示為淀積SiON 的剖面圖。