在戶外電源、移動儲能箱等便攜式設(shè)備爆發(fā)式增長的背后，工程師們正面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)：“高功率密度、低溫升、長壽命”的“不可能三角”。

傳統(tǒng)封裝MOS器件受限于結(jié)構(gòu)設(shè)計，應(yīng)用在儲能應(yīng)用時，普遍存在三大致命傷:

1.過流瓶頸：鍵合線數(shù)量不足導(dǎo)致動態(tài)電流超限時燒毀；

2.散熱受限：熱阻（Rthja）＞50℃/W，80%負(fù)載下溫升超40℃；

3. 體積束縛：封裝尺寸擠占PCB空間，制約電池容量提升。

仁懋電子TOLL封裝系列（MOT6113HT/MOT8120T/MOT8125T）通過器件結(jié)構(gòu)創(chuàng)新+工藝革命，直擊上述痛點，為便攜儲能設(shè)備開啟全新可能。

技術(shù)突圍：TOLL封裝三大創(chuàng)新引擎

1. 多打線矩陣技術(shù)：優(yōu)化電流分布，過流能力提升20% ，改善溫度特性

針對瞬態(tài)浪涌電流導(dǎo)致的失效問題，MOT8120T采用16鍵合點矩陣布局（傳統(tǒng)封裝僅9-12點），通過優(yōu)化電流分布路徑，實現(xiàn)**單脈沖雪崩能量（EAS）達(dá)2176mJ，在2000W逆變器突加負(fù)載測試中，峰值電流耐受值提升至1200A（VDS=85V）。

2. 銅夾片銀燒結(jié)工藝：降低內(nèi)阻、內(nèi)阻，帶來更好的溫度特性及更低的導(dǎo)通損耗

MOT6113HT引入納米銀燒結(jié)+銅Clip一體成型技術(shù)，消除鍵合線界面熱阻：

熱阻（Rthjc）降至0.45℃/W，較傳統(tǒng)工藝降低9%；

導(dǎo)通電阻（RDS(on)）@10V僅1.25mΩ，同等尺寸下?lián)p耗減少15%。

3. 定制化框架設(shè)計：晶圓利用率提升25% ，提供功率密度

自主開發(fā)的TOLL-DFN5x6兼容框架，MOT8125T不僅突破傳統(tǒng)TOLL的6. 2mm2上限,將可封裝芯片面積提升至8.6mm2。而且在18V/30A工況下，輸出功率密度達(dá)48W/cm3，助力1000Wh儲能箱體積縮小30%。

場景化產(chǎn)品矩陣

每立方厘米的能效戰(zhàn)爭”，仁懋TOLL封裝以“更冷、更小、更猛”的硬核實力，正在重新定義功率器件價值標(biāo)準(zhǔn)。