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晶振圈專業(yè)名詞解釋,你都知道嗎(下)

揚(yáng)興科技 ? 2025-03-19 17:03 ? 次閱讀

書接上回,昨天小揚(yáng)給大家整理了晶振圈里的名詞解釋,今天分享下半部分,瞧仔細(xì)咯~~

如有晶振相關(guān)問題也可咨詢小揚(yáng)為您解答···

10、等效電阻

等效電阻(ESR,Rr,R1),又稱諧振電阻。在規(guī)定條件下,石英晶體諧振器不串聯(lián)負(fù)載電容在諧振頻率時(shí)的電阻。

11、激勵(lì)功率電平

晶體工作時(shí)所消耗功率的表征值,AT切晶體激勵(lì)電平的增大,其頻率變化是正的。激勵(lì)電平過高會(huì)引起非線性效應(yīng),導(dǎo)致可能出現(xiàn)寄生振蕩,嚴(yán)重?zé)犷l漂,過應(yīng)力頻漂及電阻突變。當(dāng)激勵(lì)電平過低時(shí)則會(huì)造成起振阻力不易克服、工作不良及指標(biāo)的不穩(wěn)定。

12、激勵(lì)電平相關(guān)性

又稱激勵(lì)電平依賴性,為晶體元件諧振電阻隨激勵(lì)電平條件變化的效應(yīng)。當(dāng)加在晶體元件上的激勵(lì)電平改變時(shí),其諧振電阻也隨之變化,該變化在一般情況下有一定規(guī)律,可用兩個(gè)激勵(lì)電平所對應(yīng)的兩個(gè)電阻之比表示,其表達(dá)式為:DLD=Rr1/Rr2(Rr1-為較低激勵(lì)電平時(shí)的電阻,Rr2-為較高激勵(lì)電平時(shí)的電阻)。

13、絕緣電阻

指晶振的各個(gè)引腳之間,或者引腳與外殼之間的電阻值。簡單來說,它反映了晶振內(nèi)部絕緣性能的好壞。絕緣電阻越大,說明晶振的絕緣性能越好,漏電流越小,能夠有效防止信號(hào)干擾和電氣短路。

14、基頻

晶振在最低階振動(dòng)模式下產(chǎn)生的頻率,也就是它的“主振動(dòng)頻率”。

基頻是晶振最基礎(chǔ)、最主要的振動(dòng)頻率,其他振動(dòng)模式(如泛音)都是基于基頻的倍數(shù)或衍生?;l決定了晶振的核心工作頻率。

15、泛音

泛音是晶振機(jī)械振動(dòng)中產(chǎn)生的高階諧波頻率。接近基頻整數(shù)倍(如3倍、5倍、7倍、9倍)等,但并不完全相等。

例如,3次泛音的頻率接近基頻的3倍,但會(huì)略低一些。泛音的存在使得晶振能夠在更高的頻率下工作。

16、等效電路

石英晶體諧振器的振動(dòng)實(shí)質(zhì)上是一種機(jī)械振動(dòng),可以被一個(gè)具有電子轉(zhuǎn)換性能的兩端網(wǎng)絡(luò)測出。這個(gè)回路包括L1、C1,同時(shí)C0作為一個(gè)石英晶體的絕緣體的電容被并入回路,與彈性振動(dòng)有關(guān)的阻抗R1是在諧振頻率時(shí)石英晶體諧振器的諧振阻抗。

17、負(fù)性阻抗

負(fù)性阻抗是指從石英晶振的兩個(gè)引腳向振蕩電路看過去時(shí),電路在振蕩頻率下的阻抗特性。它不是晶振本身的參數(shù),而是振蕩電路的重要特性。為了提高電路的起振能力,需要增大電路中的負(fù)性阻抗。如果負(fù)性阻抗不足,電路可能難以起振。通常,負(fù)性阻抗的值應(yīng)達(dá)到晶振諧振阻抗的5-10倍,以確保電路穩(wěn)定工作。

18、年老化率

以年為衡量單位,在規(guī)定條件下,晶體工作頻率隨時(shí)間而允許的相對變化。頻率變化最大是在晶體頻率組件生產(chǎn)完后的第一個(gè)月,之后頻率隨時(shí)間的變化就會(huì)減少。導(dǎo)致此老化的原因很多,如:密封特性和完整性、制造工藝、材料類型、工作溫度和頻率。

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