作為晶振行業(yè)的“圈內(nèi)人”或剛剛進(jìn)入晶振行業(yè)的小白同學(xué)來(lái)說(shuō)，了解晶振的專業(yè)術(shù)語(yǔ)就顯得尤為必要了，今天小揚(yáng)給大家整理一些基本的晶振專業(yè)名詞解釋：

1、標(biāo)稱頻率

標(biāo)稱頻率指的是在正常匹配的振蕩電路下，晶振中的石英晶片振動(dòng)的頻次，表示為MHz或KHz。
例如：石英晶片在1秒內(nèi)振動(dòng)了一百萬(wàn)次，那么該頻率為1MHz。

2、調(diào)整頻差

指晶振在常溫（25℃）下，實(shí)際輸出頻率與標(biāo)稱頻率之間允許的最大偏差。晶振在標(biāo)準(zhǔn)溫度下的頻率誤差范圍。這個(gè)誤差通常用ppm（百萬(wàn)分之一）來(lái)表示。

例如：標(biāo)稱頻率為10MHz的晶振，如果調(diào)整頻差為±10ppm，實(shí)際頻率可能在9.9999MHz到10.0001MHz之間波動(dòng)。調(diào)整頻差越小，晶振的頻率精度越高。

3、溫度頻差

指晶振在工作溫度范圍內(nèi)，實(shí)際輸出頻率與標(biāo)稱頻率之間允許的最大偏差。

晶振在不同溫度下工作時(shí)，頻率可能會(huì)因?yàn)闇囟茸兓a(chǎn)生一定的波動(dòng)。這個(gè)偏差通常也用ppm（百萬(wàn)分之一）來(lái)表示。

例如：晶振的溫度頻差為±20ppm，規(guī)定的溫度范圍內(nèi)，實(shí)際頻率可能會(huì)比標(biāo)稱頻率高或低最多20ppm。溫度頻差越小，晶振的頻率穩(wěn)定性越好，受溫度變化的影響越小。

4、工作溫度范圍

工作溫度范圍是晶振能正常工作的溫度區(qū)間，在這個(gè)范圍內(nèi)晶振的頻率偏差和其它性能都能保持正常。

比如，晶振的工作溫度范圍是-40℃到85℃，在這個(gè)區(qū)間內(nèi)就能穩(wěn)定運(yùn)行。超出這個(gè)范圍，性能可能就不行了。工作溫度范圍越寬，晶振就越能適應(yīng)不同的環(huán)境。

5、儲(chǔ)存溫度范圍

指晶振在不工作（沒(méi)通電）時(shí)，能安全存放的溫度范圍，一個(gè)晶振的儲(chǔ)存溫度范圍是-55℃到125℃，只要在這個(gè)區(qū)間里放著，它的性能就不會(huì)壞。但如果超出這個(gè)范圍，可能會(huì)少用幾年或者性能變差。儲(chǔ)存溫度范圍一般比工作溫度范圍更寬，是為了讓晶振在運(yùn)輸或存放時(shí)更安全。

6、負(fù)載電容（負(fù)載電容是由外部電容和電路中的雜散電容共同決定的）

① 負(fù)載電容是指與晶振串聯(lián)的外部電容，它會(huì)直接影響晶振的諧振頻率。負(fù)載電容就像是晶振的“調(diào)頻器”——當(dāng)負(fù)載電容發(fā)生變化時(shí)，晶振的輸出頻率也會(huì)隨之改變。

② 常見(jiàn)的負(fù)載電容值有：8pF、9pF、10pF、12pF、12.5pF、15pF、18pF、20pF等。不同的負(fù)載電容值適用于不同的電路設(shè)計(jì)需求。

③ 負(fù)載電容的計(jì)算公式為：CL = (Cg × Cd) / (Cg + Cd) + Cs。

·Cg和Cd是晶振兩個(gè)引腳上連接的外部電容值。

·Cs是電路中的雜散電容，通常為3pF～5pF。

7、靜態(tài)電容

指晶振內(nèi)部石英芯片與兩個(gè)電極之間形成的電容，還有一小部分電容來(lái)自石英芯片與連接線之間的導(dǎo)電材料，以及晶振封裝外殼的電容。

8、切割方式

不同應(yīng)用場(chǎng)景和工作溫度的需求，石英晶體會(huì)按照特定的角度進(jìn)行切割，形成不同的切割方式。切割類型包括：AT切、BT切、CT切、SC切、DT切、NT切、GT切等。每種切割方式的角度不同，會(huì)影響晶體的彈性常數(shù)、壓電常數(shù)和介電常數(shù)，進(jìn)而影響其頻率特性和溫度穩(wěn)定性。

切割角度決定了晶振的振動(dòng)模式和溫頻特性。石英晶體有結(jié)晶軸，切割時(shí)沿垂直于結(jié)晶軸的特定角度進(jìn)行。

9、振動(dòng)模式

不同的石英切割角度及不同電極形狀的電場(chǎng)效應(yīng)，石英芯片展現(xiàn)了各種不同的振動(dòng)模式，以經(jīng)常產(chǎn)生的振動(dòng)模式可以分為彎曲模式，伸縮模式，面切變模式和厚度切變振動(dòng)模式。