TPS53830是 D-CAP+ ? 模式集成降壓轉(zhuǎn)換器，用于 DDR5 on-DIMM 電源。它為 DIMM 模塊上的 DRAM 芯片提供 VDD、VDDQ 和 VPP 電壓，具有可配置的電流能力。大電流軌可配置為 2 相或 2 路輸出，通過(guò) D-CAP+ ? 模式控制提供高達(dá) 12 A（或 6 A + 6 A）的電流。該轉(zhuǎn)換器還采用內(nèi)部補(bǔ)償，以提高易用性并減少外部元件。

該轉(zhuǎn)換器提供一整套遙測(cè)功能，包括輸入電壓、輸出電壓和輸出電流。還提供過(guò)壓、欠壓、過(guò)流限制和過(guò)熱保護(hù)。
*附件：tps53830.pdf

TPS53830 采用熱增強(qiáng)型 35 引腳 QFN 封裝，工作溫度范圍為 -40°C 至 +125°C。

特性

• 支持 DDR5 應(yīng)用的單芯片設(shè)計(jì)
• 3 個(gè)輸出，用于提供 VDD （1.1V）、VDDQ （1.1V） 和 VPP （1.8V），可選第 4 個(gè)輸出 （VDD2）
• 對(duì)于 3 個(gè)輸出，VDD（SWA 雙相）為 12 A，VDDQ（SWC） 為 6 A，VPP（SWD） 為 5 A，具有 3 個(gè)輸出
• 4 個(gè)輸出，VDD1（SWA） 為 6 A，VDD2（SWB） 為 6 A，VDDQ（SWC） 為 6 A，VPP（SWD） 為 5 A
• 差分遠(yuǎn)程感應(yīng)：VDD、VDDQ 和 VPP
• D-CAP+ ? 控制，實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)
• 寬輸入電壓：4.5 V 至 15 V
• 可編程內(nèi)部環(huán)路補(bǔ)償
• 每相逐周期電流限制
• 可編程頻率：500 kHz 至 1.375 MHz
• 支持 I^2^C 和 I^3^C 總線接口，用于遙測(cè)電壓、電流、功率、溫度和故障條件
• 過(guò)流、過(guò)壓、過(guò)熱保護(hù)
• 持久寄存器（黑盒）功能
• 低靜態(tài)電流
• 5 mm × 5 mm、35 引腳、QFN PowerPad? 封裝

參數(shù)

方框圖

1. 產(chǎn)品概述

• ?產(chǎn)品名稱?：TPS53830
• ?應(yīng)用?：DDR5 On-DIMM電源供應(yīng)
• ?特點(diǎn)?：?jiǎn)涡酒O(shè)計(jì)，支持DDR5應(yīng)用，提供3個(gè)或4個(gè)輸出電壓，具備遠(yuǎn)程差分感測(cè)和快速瞬態(tài)響應(yīng)控制
• ?封裝?：5 mm × 5 mm，35-Pin，QFN PowerPad?封裝

2. 主要特性

• ?輸出電壓與電流?：
  • 3個(gè)輸出時(shí)：VDD(1.1V) 12A, VDDQ(1.1V) 6A, VPP(1.8V) 5A
  • 4個(gè)輸出時(shí)：VDD1(1.1V) 6A, VDD2(1.1V) 6A, VDDQ(1.1V) 6A, VPP(1.8V) 5A
• ?輸入電壓范圍?：4.5 V至15 V
• ?控制功能?：D-CAP+?控制，可編程內(nèi)部環(huán)路補(bǔ)償，每相逐周期電流限制
• ?可編程性?：可編程頻率（500 kHz至1.375 MHz），支持I2C和I3C總線接口
• ?保護(hù)功能?：過(guò)流、過(guò)壓、過(guò)熱保護(hù)
• ?其他特性?：持久寄存器（黑匣子）功能，低靜態(tài)電流，差分遠(yuǎn)程感測(cè)

3. 應(yīng)用領(lǐng)域

• ?DDR5 On-DIMM電源供應(yīng)?：適用于服務(wù)器DDR5內(nèi)存模塊的電源管理

4. 文檔與支持

• ?文檔更新通知?：可通過(guò)TI官網(wǎng)的產(chǎn)品文件夾訂閱文檔更新通知
• ?支持資源?：TI E2E?支持論壇提供快速、經(jīng)驗(yàn)證的設(shè)計(jì)幫助
• ?靜電放電警告?：提醒用戶處理集成電路時(shí)需采取適當(dāng)預(yù)防措施，以防靜電放電損壞

5. 機(jī)械、包裝與可訂購(gòu)信息

• ?封裝類型?：QFN PowerPad?
• ?封裝尺寸?：5 mm × 5 mm
• ?引腳數(shù)?：35
• ?可訂購(gòu)狀態(tài)?：ACTIVE（推薦用于新設(shè)計(jì)）
• ?操作溫度范圍?：-40°C至+125°C