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FIB制備Low-K材料的TEM樣品面臨難點

上海季豐電子 ? 來源:上海季豐電子 ? 2025-04-29 10:27 ? 次閱讀

何謂Low-K材料?

指介電常數(shù)較低的材料。這種材料廣泛運用于集成電路中,可以減少漏電電流、降低導線之間的電容效應,并減少集成電路的發(fā)熱問題? ,在高頻基板和高速電路設計中尤為重要,能夠減少信號延遲,提高電路的響應速度。

材料特性:

1. 多孔隙材料;

2. 對熱敏感;

3. 對電子束敏感;

4. 力學性能差、易變形? 。

FIB制備Low-K材料的TEM樣品面臨難點:

在FIB制樣的過程,無法避免電子束影響的問題,電子束帶來的影響有著熱效應以及電子束輻解的問題,在面對LK材料更是一大挑戰(zhàn)。

1熱效應:

當電子束與樣品發(fā)生非彈性散射時,入射電子與原子電子之間的碰撞會導致能量轉化為熱量,使樣品局部溫度升高,產(chǎn)生熱損傷。

2電子束輻解:

輻解是一種非彈性電子散射過程引起;根據(jù)材料的成分和化學鍵合性質,它會導致多種物理和化學變化;可能發(fā)生在有機和無機化合物中,導致化學鍵解離、原子位移、質量損失、材料擴散、等。

測試與結果:

觀察FIB-SEM電子束對于Low-K材料的微觀結構變化,電子束電壓2KV、電流是0.17nA的電子束輻射下隨時間的演變。

圖1顯示了在8min電子束的輻照過程中樣品整體外觀結構出現(xiàn)明顯的變化,出現(xiàn)了形變。

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圖1

在圖2、圖3可以看到Low-K膜層數(shù)值上的變化,在縱向的膜厚隨著電子束輻照的時間呈現(xiàn)逐漸減少的趨勢,在橫向的膜層有輕微的增加,但并不明顯。

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圖2

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圖3

季豐電子改善電子束輻照對Low-K材料的影響,采取以下幾種方法:

1表層處理:

在表面添加一層導電性良好的膜層,改善樣品的導電性,減弱荷電效應。

2調整SEM觀察電壓:

在利用掃描電子顯微鏡(SEM)觀察低介電常數(shù)材料時,適當降低觀察電壓,可以減小高能電子束對樣品的輻射損傷和荷電效應。

3優(yōu)化電子束輻照條件:

通過控制電子束的加速電壓、束流和輻照時間等參數(shù),可以優(yōu)化電子束輻照條件,從而減小對低介電常數(shù)材料的損傷。

科技的不斷進步和半導體行業(yè)的持續(xù)發(fā)展,低介電常數(shù)材料的研究和應用將會更加深入和廣泛,如何有效地降低電子束對低介電常數(shù)材料的損傷,從而更準確地分析低介電常數(shù)材料是季豐電子不斷努力的方向,思考優(yōu)化制樣過程,提供更準確的測試結果是季豐一直以來的目標,詳詢:sales@giga-force.com。

季豐電子

季豐電子成立于2008年,是一家聚焦半導體領域,深耕集成電路檢測相關的軟硬件研發(fā)及技術服務的賦能型平臺科技公司。公司業(yè)務分為四大板塊,分別為基礎實驗室、軟硬件開發(fā)、測試封裝和儀器設備,可為芯片設計、晶圓制造、封裝測試、材料裝備等半導體產(chǎn)業(yè)鏈和新能源領域公司提供一站式的檢測分析解決方案。

季豐電子通過國家級專精特新“小巨人”、國家高新技術企業(yè)、上海市“科技小巨人”、上海市企業(yè)技術中心、研發(fā)機構、公共服務平臺等企業(yè)資質認定,通過了ISO9001、 ISO/IEC17025、CMA、CNAS、IATF16949、ISO/IEC27001、ISO14001、ISO45001、ANSI/ESD S20.20等認證。公司員工超1000人,總部位于上海,在浙江、北京、深圳、成都等地設有子公司。

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原文標題:FIB制備TEM樣品其電子束對Low-K材料的影響

文章出處:【微信號:zzz9970814,微信公眾號:上海季豐電子】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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