LM74501-Q1 與外部 N 溝道 MOSFET 配合使用，作為低損耗反極性保護(hù)解決方案。該器件支持 3.2V 至 65V 的寬電源輸入范圍。3.2V 輸入電壓支持特別適合汽車(chē)系統(tǒng)中嚴(yán)格的冷啟動(dòng)要求。該器件可以承受并保護(hù)負(fù)載免受低至 –18 V 的負(fù)電源電壓的影響。LM74501-Q1 沒(méi)有反向電流阻斷功能，適用于負(fù)載的輸入反極性保護(hù)，這些負(fù)載可能會(huì)將能量輸送回輸入電源，例如汽車(chē)車(chē)身控制模塊電機(jī)負(fù)載。
*附件：lm74501-q1.pdf

LM74501-Q1 控制器為外部 N 溝道 MOSFET 提供電荷泵柵極驅(qū)動(dòng)。LM74501-Q1 具有獨(dú)特的集成功能，使系統(tǒng)能夠滿(mǎn)足汽車(chē) ISO7637 脈沖 1 瞬態(tài)要求，而無(wú)需額外的 TVS 二極管（TVS 更少）。LM74501-Q1 具有一個(gè)集成開(kāi)關(guān)，可通過(guò)外部電阻分壓器實(shí)現(xiàn)電池電壓監(jiān)控。當(dāng)使能引腳為低電平時(shí)，控制器處于關(guān)閉狀態(tài)，僅消耗約 1 μA 的電流，因此在進(jìn)入休眠模式時(shí)可提供較低的系統(tǒng)電流。

特性

• 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)，結(jié)果如下
  • 器件溫度等級(jí) 1：-40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
  • 器件 HBM ESD 分類(lèi) 2 級(jí)
  • 器件 CDM ESD 分類(lèi)等級(jí) C4B
• 3.2V 至 65V 輸入范圍（3.9V 啟動(dòng)）
• –18V 反向電壓額定值
• 用于外部 N 溝道 MOSFET 的電荷泵
• 柵極放電定時(shí)器：滿(mǎn)足汽車(chē) ISO7637-2 脈沖 1 瞬態(tài)要求，無(wú)需額外的 TVS 二極管（TVS 較?。?/li>
• 1μA 關(guān)斷電流（EN = 低）
• 80μA 典型工作靜態(tài)電流（EN = 高）
• 20V VDS 箝位（EN = 低）
• 集成電池電壓監(jiān)控開(kāi)關(guān) （SW）
• 8 引腳 SOT-23 封裝 2.90 mm × 1.60 mm

參數(shù)

方框圖

1. 概述

LM74501-Q1是一款針對(duì)汽車(chē)應(yīng)用的反向電池保護(hù)控制器，通過(guò)外部N溝道MOSFET實(shí)現(xiàn)低損耗的反向極性保護(hù)。該設(shè)備符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)，適用于汽車(chē)車(chē)身電子、信息娛樂(lè)系統(tǒng)、ADAS域控制器等應(yīng)用。

2. 主要特性

• ?寬輸入電壓范圍?：3.2V至65V（啟動(dòng)電壓3.9V）
• ?高反向電壓額定值?：-18V
• ?集成電荷泵?：為外部N溝道MOSFET提供柵極驅(qū)動(dòng)電壓
• ?門(mén)極放電定時(shí)器?：滿(mǎn)足汽車(chē)ISO7637-2脈沖1瞬態(tài)要求，無(wú)需額外TVS二極管
• ?低靜態(tài)電流?：1μA（關(guān)斷模式），80μA（典型工作模式）
• ?小型封裝?：8引腳SOT-23，2.90mm × 1.60mm

3. 應(yīng)用

• ?汽車(chē)車(chē)身電子?：如車(chē)身控制模塊（BCM）、雨刮器模塊
• ?汽車(chē)信息娛樂(lè)系統(tǒng)?：如數(shù)字駕駛艙處理單元
• ?ADAS域控制器?

4. 功能描述

• ? 輸入電壓（SOURCE） ?：用于為L(zhǎng)M74501-Q1供電，支持寬范圍輸入電壓。
• ? 電荷泵（VCAP） ?：為外部N溝道MOSFET提供必要的柵極驅(qū)動(dòng)電壓，通過(guò)外部電容充電。
• ? 使能（EN） ?：允許通過(guò)外部信號(hào)啟用或禁用LM74501-Q1，EN引腳可承受高達(dá)±65V的電壓。
• ? 門(mén)極驅(qū)動(dòng)（GATE） ?：控制外部N溝道MOSFET的柵極電壓，實(shí)現(xiàn)低損耗的反向極性保護(hù)。
• ? 電池電壓監(jiān)測(cè)（SW） ?：通過(guò)SW引腳和外部電阻分壓器實(shí)現(xiàn)電池電壓監(jiān)測(cè)。
• ?門(mén)極放電定時(shí)器?：在ISO7637-2脈沖1事件期間，通過(guò)外部電容保持MOSFET導(dǎo)通一段時(shí)間，實(shí)現(xiàn)TVS-less操作。

5. 設(shè)備功能模式

• ?關(guān)斷模式?：當(dāng)EN引腳電壓低于指定閾值時(shí)，LM74501-Q1進(jìn)入關(guān)斷模式，電荷泵和門(mén)極驅(qū)動(dòng)器均被禁用。
• ?全導(dǎo)通模式?：當(dāng)滿(mǎn)足特定條件時(shí)，LM74501-Q1進(jìn)入全導(dǎo)通模式，外部MOSFET完全導(dǎo)通。
• ?VDS鉗位模式?：當(dāng)DRAIN和SOURCE之間的電壓差超過(guò)VDS鉗位閾值時(shí)，LM74501-Q1自動(dòng)將外部MOSFET導(dǎo)通，以防止電壓過(guò)高。

6. 典型應(yīng)用電路

• 提供了針對(duì)12V電池保護(hù)的典型應(yīng)用電路，展示了如何使用LM74501-Q1與外部N溝道MOSFET實(shí)現(xiàn)反向極性保護(hù)。
• 詳細(xì)說(shuō)明了電路中的元件選擇和參數(shù)計(jì)算，包括MOSFET的選擇、門(mén)極放電定時(shí)器電容（CT）的選擇等。

7. 布局指南

• 建議將SOURCE、GATE和DRAIN引腳與MOSFET的相應(yīng)引腳緊密連接。
• 使用厚銅跡線(xiàn)以減少源極和漏極的電阻損耗。
• 將輸入電容放置在SOURCE引腳附近，以減小長(zhǎng)地環(huán)路的影響。
• 將電荷泵電容（VCAP）遠(yuǎn)離MOSFET放置，以降低熱效應(yīng)對(duì)電容值的影響。

8. 文檔支持

• 提供了數(shù)據(jù)手冊(cè)、應(yīng)用指南和相關(guān)應(yīng)用筆記的支持鏈接。
• 用戶(hù)可以訂閱文檔更新通知，以獲取最新產(chǎn)品信息。

通過(guò)以上總結(jié)，用戶(hù)可以全面了解LM74501-Q1的主要特性、應(yīng)用、功能描述、設(shè)備功能模式、典型應(yīng)用電路、布局指南以及文檔支持。