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便攜儲(chǔ)能新方案:世平推出基于晶豐明源 MCU 和 AFE 的 48V BMS 解決方案

大大通 ? 2025-05-15 08:12 ? 次閱讀
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一、方案描述

大聯(lián)大世平集團(tuán)針對(duì)便攜式儲(chǔ)能的電池保護(hù)系統(tǒng),推出基于晶豐明源(BPS)的MCU LKS32MC453 和 AFE BM81710H 的 48V 高邊 BMS 方案。NMOS 采用芯邁(Silicon Magic)的 SDN10N3P5B-AA。PMOS 采用華潤微(Crmicro)的 CRTM900P10LQ。方案還配備一個(gè)納芯微的氣體壓力傳感器 NSPGS2。此方案具有電芯電壓采集、電流采集、溫度采集、被動(dòng)均衡、充放電控制、高邊開關(guān)、充放電同口等功能特點(diǎn),支持:過壓/欠壓保護(hù)、高/低溫保護(hù)、斷路保護(hù)、過流保護(hù)等保護(hù)機(jī)制。

wKgZO2gkNjqANNIwAAWG6YkP1aI234.png



二、硬件設(shè)計(jì)說明

1. 主控

BPS 的 LKS32MC453 MCU, 192MHz 32位CortexM4F 內(nèi)核,具有豐富的DSP指令,硬件浮點(diǎn)運(yùn)算單元。內(nèi)置高達(dá)256KB的Flash存儲(chǔ)器,支持加密保護(hù),最大40KB的SRAM。集成了高性能模擬器件、多種I/O端口和豐富的外設(shè)。內(nèi)置12MHz高精度RC時(shí)鐘和低速32kHz 低速時(shí)鐘,可外掛12~24MHz外部晶振,內(nèi)部PLL可提供最高 192MHz 主頻。


256KB Flash,40KB SRAMB。

包含 3路14Bit SAR ADC,2 Msps采樣及轉(zhuǎn)換速率。

包含 2路12bit DAC 數(shù)模轉(zhuǎn)換器。

3個(gè)通用16位Timer、2個(gè)通用32位Timer、1個(gè)24bit systick 定時(shí)器。

2 個(gè) I2C 接口、2 個(gè) SPI 接口、1路 CAN 接口和 3路 UART 接口

1路獨(dú)立DMA引擎, 共8個(gè)通道, 支持8、16、32bit傳輸

ADC自檢模塊,支持開路短路檢查

1個(gè)CRC模塊


2. AFE-BM81710H

BM81710H 是一款高集成高精度鋰電池監(jiān)控及全方位的安全保護(hù)芯片,且具有高邊NMOS 充放電管驅(qū)動(dòng)控制,適用于10-17 串三元鋰或磷酸鐵鋰等多種電池包應(yīng)用。主要有以下功能特點(diǎn):

支持 10~17 串電池;

輸入電壓:5V~95V;

電池電壓采集 ADC:14-bit/16-bitΔΣ ,精度:±5mV@2~4.25V/25℃;

4 路溫度檢測(cè) ADC:14-bit/16-bitΔΣ ,精度:±1℃@-40℃~85℃;

母線電流采集 ADC:16-bit ΔΣ ,精度:±20uV@±5mV/25℃, ±50uV@±200mV/25℃, ±150uV@±200mV/(-40 ℃ ~85℃) ;

帶庫侖計(jì), 精度:±5%uVh,范圍: ±291271uVh ;

支持充電、放電的高邊 NMOS 管控制;

支持預(yù)充電、預(yù)放電的高邊 PMOS 管控制;

通過 400kHz I2C 總線與 MCU 通訊,CRC-8 校驗(yàn);

支持過流保護(hù)、過壓/欠壓保護(hù)、短路保護(hù)、高/低溫度保護(hù);

支持?jǐn)嗑€檢測(cè)、負(fù)載和充電器接入檢測(cè);

支持 0V 禁充保護(hù);

支持被動(dòng)的硬件自主控制均衡和軟件控制均衡;

支持外部 ECTRL 管腳控制放電管;

支持電子鎖;

耗電參數(shù):130uA @full power mode/25℃ ,

60uA @Normal sleep mode/25℃,

10uA @deep sleep mode/25℃ ,1uA @shunt down mode/25℃ ;

工作環(huán)境溫度:-40~125℃

封裝:LQFP-48。


3. N-MOSFET

充放電開關(guān)控制部分,方案的開關(guān)管 N-MOSFET 采用芯邁的 SDN10N3P5B-AA 來做充電、放電控制開關(guān)。該 MOS 管的漏源電壓(VDS)能夠達(dá)到 100V,其連續(xù)漏電流(ID)可達(dá) 120A@25℃,113A@100℃。當(dāng) VGS = 10V 時(shí),RDS(on) 的最大值為 3.5mΩ。體二極管正向壓降為 0.9V 左右。


4. P-MOSFET

預(yù)充放電開關(guān)控制部分,方案的開關(guān)管 P-MOSFET 采用華潤微的 CRTM900P10LQ 來做預(yù)充電、預(yù)放電控制開關(guān)。該 MOS 管的漏源電壓(VDS)能夠達(dá)到 -100V,其連續(xù)漏電流(ID)可達(dá) -17A@25℃,-12A@100℃。當(dāng) VGS = 10V 時(shí),RDS(on) 的典型值為 74mΩ 。體二極管正向壓降為 0.9V 左右。


5. DC-DC

DC-DC 部分,方案采用杰華特的 JWH5140F 來對(duì) BAT+ 的電壓進(jìn)行降壓處理,使 DC-DC 輸出 6V。JWH5140F 的特點(diǎn)如下:

工作輸入范圍為 6V 至 100V。

擁有6A 輸出電流,且內(nèi)部具備軟啟動(dòng)功能。

可調(diào)節(jié)開關(guān)頻率。

在輕載下的強(qiáng)制連續(xù)導(dǎo)通模式(FCCM)。

支持短路保護(hù)。

支持高溫保護(hù)。

封裝:DFN4X-4-8。


6. LDO

LDO 部分,方案采用杰華特的 JW7806 來對(duì) DC-DC 的輸出電壓進(jìn)行再一步的降壓處理使 LDO 輸出 3.3V 。JW7806 的特點(diǎn)如下:

輸入電壓范圍:2V-5.5V。

輸出電壓范圍:2V-4.5V。

輸出電壓精度:±2%。

輸出電流:300mA。

低壓差:120mV(典型值)。

電源抑制比(PSRR):82dB@1kHz。

無需噪聲旁路電容器。

低輸出電壓噪聲:12 uVRMS。

限流保護(hù)。

過溫保護(hù)。

工作溫度范圍:-40℃-125℃。

封裝:SOT23-5。


7. NSPGS2

壓力檢測(cè)部分,方案采用納芯微的 NSPGS2,NSPGS2系列設(shè)計(jì)用于操作壓力范圍為-100kPa至350kPa,其特點(diǎn)如下:

0°C 至 60°C 范圍內(nèi)優(yōu)于 ±1.5%(模擬)。

-40°C 至 70°C 范圍內(nèi)優(yōu)于 ±2.5%(模擬)。

0°C 至 60°C 范圍內(nèi)優(yōu)于 ±1%(數(shù)字)。

-40°C 至 70°C 范圍內(nèi)優(yōu)于 ±2%(數(shù)字)。

溫度范圍:-40°C ~70°C。

比率/絕對(duì)模擬輸出。

24 位 I2C。

帶空氣噴嘴的 SOP 封裝,易于組裝。



三、方案原理圖

1. MCU

wKgZPGgkNjqAZqY_AANbyD9hZfc868.png


2. 壓力檢測(cè)

wKgZPGgkNjqADoUXAAA2nm16Q9I794.png


3. BM81710H

wKgZPGgkNjqAc7XqAAENQek2cqo568.png


4. 電源

wKgZO2gkNjqASFu-AAEPU-R-sas192.png


5. 充放電控制

wKgZO2gkNjqAVTEUAAEwIcnhcXg352.png


6.均衡電路

wKgZPGgkNjuAbqSeAAIau99bAyY089.png


PCB Layout:

TOP Layer:

wKgZO2gkNjuATWobAAKUQcVsYmM736.png


BOTTOM Layer:

wKgZPGgkNjuAaTDkAAHSJ8v5jiw798.png



四、軟件設(shè)計(jì)說明

PES-BMS 方案的軟件架構(gòu)如下圖所示,包含驅(qū)動(dòng)層、中間層和應(yīng)用層。


驅(qū)動(dòng)層:是 MCU 的底層驅(qū)動(dòng),直接與硬件交互,控制和管理 MCU 的硬件資源。主要負(fù)責(zé)初始化、配置和管理硬件資源。PES-BMS 方案涉及到的外設(shè)包括:GPIO、SPI、UART、TIMER、ADC、FLASH、IWDG、AON 等。


中間層:在 MCU 軟件架構(gòu)中扮演著重要的角色,它為上層應(yīng)用提供必要的服務(wù)和功能接口,處理應(yīng)用程序與硬件之間的通信?。同時(shí)隔離系統(tǒng)軟件與底層硬件的直接交互,從而簡化了硬件的復(fù)雜性?。包括AFE 和 BM81710H 驅(qū)動(dòng)、TIMER 中斷處理、Flash 的存取、LED 的開關(guān)、與 PD 面板通訊相關(guān)的串口處理等等。


應(yīng)用層:包括對(duì) AFE 的管理和控制、充放電控制、電池異常狀態(tài)的處理、SOC/SOH、用戶界面(PD Panel)相關(guān)通訊協(xié)議、低功耗管理等等,確保系統(tǒng)與 PES-BMS 應(yīng)用相關(guān)的功能正常運(yùn)行。

wKgZO2gkNjuAEjReAAEmPOeN65k867.png



場(chǎng)景應(yīng)用圖

wKgZPGgkNjuAAyviAAE0WBDB6p0248.png



展示板照片

wKgZPGgkNjuAX0zJAASx6t19sSE471.png



?方案方塊圖

wKgZO2gkNjuAeF2hAAGunCuHFhs460.png



核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)

1. MCU:

主頻 192MHz,32位CortexM4F 內(nèi)核,具有豐富的DSP指令,硬件浮點(diǎn)運(yùn)算單元。內(nèi)置高達(dá)256KB的Flash存儲(chǔ)器,支持加密保護(hù),最大40KB的SRAM。

2. AFE:

1) 電池電壓采集 ADC:14-bit/16-bit ΔΣ ,精度:±5mV@2~4.25V/25℃;

2) 4 路溫度檢測(cè) ADC:14-bit/16-bit ΔΣ ,精度:±1℃@-40℃~85℃;

3) 母線電流采集 ADC:16-bit ΔΣ ,精度:±20uV@±5mV/25℃, ±50uV@±200mV/25℃, ±150uV@±200mV/(-40 ℃ ~85℃) ;

4) 帶庫侖計(jì), 精度:±0.5%uVh,范圍: ±291271uVh ;

5) 耗電參數(shù):130uA @full power mode/25℃,60uA @Normal sleep mode/25℃,10uA @deep sleep mode/25℃,1uA @shunt down mode/25℃。

3. 高邊開關(guān)。

4. 支持過流保護(hù)、過壓/欠壓保護(hù)、短路保護(hù)、高/低溫度保護(hù)。

5. 支持?jǐn)嗑€檢測(cè)、負(fù)載和充電器接入檢測(cè)。

6. 支持 0V 禁充保護(hù)。

7. 支持被動(dòng)控制均衡。

8. 支持外部 ECTRL 管腳控制放電管。

9. 支持電子鎖。

10. 支持 SOC、SOH。



方案規(guī)格

1. 支持 10 ~ 17 串三元鋰電池、磷酸鐵鋰電池。

2. 輸入電壓:8.5V~95V。

3. 持續(xù)充放電電流可達(dá)到 84A。

4. 高邊開關(guān):支持充電、放電的高邊 NMOS 開關(guān)和預(yù)充電、預(yù)放電的高邊 PMOS 開關(guān)。

5. 支持過流保護(hù)、過壓/欠壓保護(hù)、短路保護(hù)、高/低溫度保護(hù)。

6. 支持?jǐn)嗑€檢測(cè)、負(fù)載和充電器接入檢測(cè)。

7. 支持 0V 禁充保護(hù)。

8. 支持被動(dòng)控制均衡。

9. 支持外部 ECTRL 管腳控制放電管。

10. 支持電子鎖。

11. 支持 SOC、SOH。

12. 充放電同口。

13. 支持串口通訊。

14. 支持外部按鍵開啟/關(guān)閉輸出,并且通過 LED 燈指示輸出狀態(tài)。

15. 支持外部按鍵復(fù)位/重啟。

開發(fā)板尺寸 : 125 * 87 mm。

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    線上研討會(huì) @9/26 科技創(chuàng)芯,助力智能家電芯時(shí)代 <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>豐</b><b class='flag-5'>明</b><b class='flag-5'>源</b>一站式智能家電<b class='flag-5'>解決方案</b>

    攜多款產(chǎn)品及解決方案出席2024慕尼黑上海電子展

    應(yīng)用市場(chǎng),共同探討行業(yè)未來發(fā)展趨勢(shì)和先進(jìn)解決方案。作為國內(nèi)專業(yè)的電源管理和控制驅(qū)動(dòng)芯片供應(yīng)商,攜眾多產(chǎn)品
    的頭像 發(fā)表于 07-11 11:25 ?1116次閱讀