聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
ti
+關(guān)注
關(guān)注
113文章
8032瀏覽量
214999 -
電壓
+關(guān)注
關(guān)注
45文章
5711瀏覽量
118015 -
MOSEFT
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
35瀏覽量
4685
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
MOSFET柵極應(yīng)用電路分析匯總(驅(qū)動、加速、保護、自舉等等)
同時抑制EMI干擾。5:保護柵極,防止異常高壓條件下柵極擊穿。6:增加驅(qū)動能力,在較小的信號下,可以驅(qū)動MOSFET。
純分享貼,有需要可以
發(fā)表于 05-06 17:13
SiC MOSFET驅(qū)動電路設(shè)計的關(guān)鍵點
柵極驅(qū)動器是確保SiC MOSFET安全運行的關(guān)鍵,設(shè)計柵極驅(qū)動電路的關(guān)鍵點包括柵極電阻、

互補MOSFET脈沖變壓器的隔離驅(qū)動電路設(shè)計
結(jié)合 GTR 和功率 MOSFET 而產(chǎn)生的功率絕緣柵控雙極晶體管(IGBT)。在這些開關(guān)器件中,功率 MOSFET 由于開關(guān)速度快,驅(qū)動功率小,易并聯(lián)等優(yōu)點成為開關(guān)電源中最常用的器件
發(fā)表于 03-27 14:48
集成雙極晶體管的MOSFET驅(qū)動電路以及外圍器件選型設(shè)計講解
前言
在MOSFET驅(qū)動電路中,經(jīng)常會遇到使用集成雙極晶體管BJT作為柵極驅(qū)動器的情況。這種設(shè)計在PWM控制或電機驅(qū)動中非常常見,尤其是在需
發(fā)表于 03-11 11:14
東芝TLP5814H 具備增強安全功能的SiC MOSFET柵極驅(qū)動光電耦合器
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)宣布,最新推出一款可用于驅(qū)動碳化硅(SiC)MOSFET的柵極驅(qū)動光電耦合器——“ TLP5814H ”,具備+6.8 A/–4.8 A的輸出

柵極驅(qū)動ic和源極的區(qū)別 柵極驅(qū)動ic選型看哪些參數(shù)
一、柵極驅(qū)動IC與源極的區(qū)別 柵極驅(qū)動IC和源極在電子器件中扮演著不同的角色,它們的主要區(qū)別體現(xiàn)在功能和位置上。 功能差異 : 柵極
自激振蕩原因及條件分析
自激振蕩是一種在沒有外部驅(qū)動信號的情況下,系統(tǒng)內(nèi)部由于某種機制自發(fā)產(chǎn)生的振蕩現(xiàn)象。這種現(xiàn)象在電子、機械、聲學(xué)等多個領(lǐng)域中廣泛存在,其產(chǎn)生的

柵極驅(qū)動芯片怎么提高電流
柵極驅(qū)動芯片提高電流的方法主要有以下幾種: 1. 增加功率管 增加MOSFET數(shù)量 :通過增加MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)等功率管的數(shù)量,可以線性地增加電流能力。這是因
柵極驅(qū)動芯片選型低功耗原因
柵極驅(qū)動芯片選型時考慮低功耗的原因主要有以下幾點: 1. 降低系統(tǒng)能耗 低功耗的柵極驅(qū)動芯片能夠顯著降低整個系統(tǒng)的待機功耗,這對于需要長時間
簡述自激振蕩產(chǎn)生的原因
自激振蕩是指在沒有外部驅(qū)動信號的情況下,系統(tǒng)內(nèi)部由于某種機制自發(fā)產(chǎn)生的振蕩現(xiàn)象。這種現(xiàn)象在電子、機械、聲學(xué)等多個領(lǐng)域中廣泛存在,其產(chǎn)生的
igbt柵極驅(qū)動的參數(shù)要求和驅(qū)動條件
柵極驅(qū)動的參數(shù)要求和驅(qū)動條件。 一、IGBT柵極驅(qū)動概述 IGBT是一種集MOSFET和雙極型晶
igbt驅(qū)動波形振蕩原因及解決方法
振蕩的原因 寄生參數(shù)的影響 寄生電容 :IGBT的寄生電容包括柵極-發(fā)射極電容(C_{GE})、柵極-集電極電容(C_{GC})和發(fā)射極-集電極電容(C_{EC})。這些電容在開關(guān)過程
評論